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épitaxie par faisceaux moléculaires [1 fiche]

Fiche 1 2024-01-27

Anglais

Subject field(s)
  • Industrial Techniques and Processes
  • Semiconductors (Electronics)
  • Lasers and Masers
  • Optical Telecommunications
CONT

Molecular beam epitaxy (MBE) has established itself as a unique and important epitaxial crystal growth technique yielding useful semiconductor devices, both electronic and photonic and high quality layer structures for fundamental semiconductor physics research.

Français

Domaine(s)
  • Techniques industrielles
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Masers et lasers
  • Télécommunications optiques
DEF

Procédé d'épitaxie utilisant plusieurs fours à effusion pour former des couches épitaxiales de diverses natures sur un substrat semiconducteur.

CONT

L'épitaxie par jets moléculaires est la meilleure technique connue jusqu'à présent pour réaliser des couches particulièrement minces. Grâce à l'épitaxie, une gamme infinie de semi-conducteurs différents peut être obtenue en couches minces.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Procesos y técnicas industriales
  • Semiconductores (Electrónica)
  • Láser y máser
  • Telecomunicaciones ópticas
DEF

Método de fabricación de circuitos microelectrónicos.

CONT

La epitaxia de haz molecular forma las capas diminutas de una plaqueta o microcircuito a niveles atómicos. Las capas, que pueden ser tan delgadas como dos átomos, se colocan en la plaqueta o microcircuito en lugares específicos.

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