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Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

A method of growing large size, high quality semiconductor crystal by slowly lifting a seed crystal from a molten bath of the material under careful cooling conditions.  5, fiche 1, Anglais, - Czochralski%20process

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

Procédé de fabrication d’un cristal unique dans lequel un germe cristallin est mis en contact avec un matériau fondu dans un creuset, puis tiré lentement en tournant.  4, fiche 1, Français, - proc%C3%A9d%C3%A9%20Czochralski

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

A rod-shaped metal filament on which silicon crystals have been deposited in order to make mono-crystalline silicon used in the production of solar cells.  2, fiche 2, Anglais, - silicon%20rod

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

Two different technological prodedures are used to produced monocrystalline silicon from pure silicon: Czochralski method [and] float zone [method]...  1, fiche 2, Anglais, - silicon%20rod

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Filament métallique en forme de barreau sur lequel on a déposé des cristaux de silicium afin d’obtenir du monocristal de silicium utilisé dans la fabrication des cellules solaires.  2, fiche 2, Français, - barreau%20de%20silicium

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

On fait appel à deux procédés différents pour obtenir le monocristal de silicium, soit le procédé Czochralski et le procédé de la zone flottante.  2, fiche 2, Français, - barreau%20de%20silicium

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Growing silicon crystals directly in ribbon form.  1, fiche 3, Anglais, - edge%20defined%20film%2Dfed%20growth

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

Méthode EFG. [...] Le silicium fondu monte par capillarité entre deux parois parallèles de la largeur du ruban. Le liquide qui émerge à la partie supérieure entre en contact avec un germe monocristallin plat, et le tirage s’effectue comme par la technique Czochralski.  3, fiche 3, Français, - tirage%20de%20ruban%20par%20croissance

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

Tirage de ruban par croissance à partir d’un film délimité par un contour. Croissance en filière (EFG = edge-defined film growth, ou méthode de Stepanov du nom de son premier inventeur).  1, fiche 3, Français, - tirage%20de%20ruban%20par%20croissance

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

... a method for pulling single crystals from a melt of semiconductor material, in which a monocrystalline seed crystal grows to form a single crystal, the seed crystal being dipped into the melt and raised in a controlled manner in the vertical direction with respect to the melt, while the melt forms a molten pool which is held on a support body only by the surface tension and by electromagnetic forces due to an induction coil.  1, fiche 4, Anglais, - pedestal%20pulling

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Technologie du composant. [...] Le triage piédestal [...] ne requiert pas l'emploi d’un creuset. On localise la zone fondue à l'extrémité supérieure du lingot. Le germe plonge dans le liquide. Le tirage se produit comme par la technique Czochralski.  1, fiche 4, Français, - triage%20pi%C3%A9destal

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

The pure, molten silicon from which single crystal silicon is grown in a crystal pulling furnace during the Czochralski process.  1, fiche 5, Anglais, - melt

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Silicium pur et au point de fusion à partir duquel on opère la cristallisation des monocristaux de silicium grâce à la méthode de tirage en creuset de Czochralski.  2, fiche 5, Français, - bain%20fondu

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

A circular in shape piece of single-crystal semiconductor material typically resulting from the Czochralski crystal growth process ...  4, fiche 6, Anglais, - ingot

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

... ingot is shaped and then sliced, using high-precision diamond saw, into wafers used to manufacture semiconductor devices.  4, fiche 6, Anglais, - ingot

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Barreau cylindrique de matériau semiconducteur(habituellement du silicium) obtenu généralement par la méthode de tirage en creuset de Czochralski, dont le diamètre peut atteindre 150 mm.  3, fiche 6, Français, - lingot%20monocristallin

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

Ce barreau est ensuite scié en tranches d’environ 0.3 mm d’épaisseur.  3, fiche 6, Français, - lingot%20monocristallin

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Fiche 7,  Justifications,  Français

Record number: 7, Textual support number: 1 OBS

Système à encapsulation liquide.  2, fiche 7, Français, - Czochralski%20sous%20encapsulation%20liquide

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol

Fiche 8,  Justifications,  Anglais

Fiche 8,  Justifications,  Français

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

Méthode de fabrication de lingots monocristallins qui consiste à tremper un germe de matériau semiconducteur (silicium, germanium, etc.) dans un creuset contenant le même matériau en fusion, et à tirer progressivement du bain de fusion le lingot en cours de formation.  1, fiche 8, Français, - tirage%20de%20Czochralski

Fiche 8,  Justifications,  Espagnol

Fiche 9,  Justifications,  Anglais

Record number: 9, Textual support number: 1 DEF

growth of a large single-crystal ingot by slowly withdrawing a seed crystal in contact with molten material.  1, fiche 9, Anglais, - CZ%20growth

Fiche 9,  Justifications,  Français

Record number: 9, Textual support number: 1 CONT

On étudie également des croissances par tirage Czochralski, à partir du silicium de qualité métallurgique. Ce matériau contient des impuretés telles que le cuivre, l'aluminium, le fer, le nickel. Le tirage CZ provoque une ségrégation de ces impuretés, on purifie de la sorte le lingot [...]  1, fiche 9, Français, - croissance%20par%20tirage%20Czochralski

Fiche 9,  Justifications,  Espagnol

Fiche 10,  Justifications,  Anglais

Fiche 10,  Justifications,  Français

Record number: 10, Textual support number: 1 DEF

Variante de la méthode de tirage de cristaux de Czochralski dans laquelle la croissance se fait dans un appareil muni de deux creusets reliés par un tube. Le creuset intérieur contient du silicium dopé et le creuset extérieur, du silicium pur. Il y a un apport régulier de silicium pur dans le creuset central pour empêcher le bain de devenir surdopé.  1, fiche 10, Français, - tirage%20%C3%A0%20double%20creuset

Fiche 10,  Justifications,  Espagnol

Fiche 11,  Justifications,  Anglais

Fiche 11,  Justifications,  Français

Record number: 11, Textual support number: 1 DEF

Dans la méthode de tirage de Czochralski, vitesse à laquelle tourne le germe dans le bain pendant la croissance du lingot monocristallin.  1, fiche 11, Français, - vitesse%20de%20rotation

Fiche 11,  Justifications,  Espagnol

Fiche 12,  Justifications,  Anglais

Fiche 12,  Justifications,  Français

Record number: 12, Textual support number: 1 DEF

Dans la méthode de tirage de Czochralski, vitesse à laquelle on retire le germe hors du bain de silicium pendant la croissance du lingot monocristallin.  1, fiche 12, Français, - vitesse%20de%20tirage

Fiche 12,  Justifications,  Espagnol

Fiche 13,  Justifications,  Anglais

Fiche 13,  Justifications,  Français

Record number: 13, Textual support number: 1 DEF

Variante du tirage de Czochralski dans laquelle le bain fondu de silicium est recouvert d’un liquide non miscible qui en empêche la contamination.  1, fiche 13, Français, - tirage%20Czochralski%20sous%20encapsulation%20liquide

Fiche 13,  Justifications,  Espagnol

Fiche 14,  Justifications,  Anglais

Record number: 14, Textual support number: 1 CONT

For the first time; the Kyropolous crystal method was used to grow single crystal silicon ingots.  1, fiche 14, Anglais, - single%20crystal%20silicon%20ingot

Fiche 14,  Justifications,  Français

Record number: 14, Textual support number: 1 DEF

Masse de silicium (Si) monocristallin de forme cylindrique résultant de la fusion du dit métal, lequel est ensuite coulé dans un moule où il se solidifie.  2, fiche 14, Français, - lingot%20de%20silicium%20monocristallin

Record number: 14, Textual support number: 1 CONT

La méthode Czochralski est la méthode la plus couramment utilisée pour l'obtention des lingots de silicium monocristallin. Le silicium est fondu dans un creuset en quartz. Le creuset est en rotation de même que l'axe porte germe. La croissance mettant en contact avec ce bain un germe de silicium monocristallin de faible diamètre. Le silicium du bain fondu se solidifie sur le germe qui est ensuite lentement remonté.  3, fiche 14, Français, - lingot%20de%20silicium%20monocristallin

Fiche 14,  Justifications,  Espagnol

Fiche 15,  Justifications,  Anglais

Record number: 15, Textual support number: 1 OBS

(Berlin conf., 156/USA (2.7).  1, fiche 15, Anglais, - silicon%20ribbon%20growth

Fiche 15,  Justifications,  Français

Record number: 15, Textual support number: 1 OBS

(Acta, p. 106-109)(...) plutôt que de découper des tranches dans des lingots plus ou moins cylindriques, on tente maintenant de faire croître des monocristaux sous forme de rubans. Il existe deux méthodes de croissance de rubans, la croissance horizontale et la croissance verticale. Parmi les méthodes de croissance verticale on distingue : la croissance dendritique(cf. pos. 317) et la croissance de type Czochralski, dans laquelle on impose au silicium liquide d’épouser une géométrie particulière au moyen de pièces en forme comportant des fentes, des rainures, des capillaires etc.(Acta electronica, 20, 2, 1977, p. 106-107).  1, fiche 15, Français, - croissance%20de%20rubans%20de%20silicium

Fiche 15,  Justifications,  Espagnol