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CROISSANCE EPITAXIALE [1 fiche]

Fiche 1 2008-01-14

Anglais

Subject field(s)
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • Semiconductors (Electronics)
  • Lasers and Masers
  • Heating
DEF

A process of growing one or more layers of material on a carefully selected substrate.

OBS

Usually silicon is grown on a silicon substrate. However, silicon and other semiconductor materials may be grown on a substrate as suitable crystallography, such as sapphire (silicon-on-sapphire). It is a process by which a single crystal of material is deposited and grows upon the surface of a substrate. The material is usually of a different resistivity or conductivity than the substrate.

Français

Domaine(s)
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Masers et lasers
  • Chauffage
CONT

Dans le cas de la croissance épitaxiale, le substrat sert de germe à la croissance mono-cristalline pouvant constituer, à elle seule, la totalité de la partie active de la photopile.

Espagnol

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