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DENSITE DEFAUTS [1 fiche]

Fiche 1 2001-02-28

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Computer Graphics
DEF

The fraction of the total active area of a medium obscured by defects.

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Infographie
CONT

Lors de l'oxydation thermique à 1000 deg. C, nous avons constaté que si la densité des défauts Pb+Pb0 est peu variable autour de quelques 1011/cm2 dès la première minute d'oxydation (A15 A de SiO2), celle des centres Pb1 est maximale (1012/cm2) après 1 minute d'oxydation puis ne cesse de décroître (jusqu'à un ordre de grandeur) avec la durée d'oxydation. Nous pensions que ce comportement particulier des défauts Pb1, que l'on retrouve lors des traitements sous ammoniac, est à relier à la nature particulièrement instable de leur structure microscopique puisque les modèles proposés à l'heure actuelle suggèrent qu'il s'agit d'un défaut situé sur un atome de silicium engagé dans un dimère silicium-silicium.

Espagnol

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