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HOMOEPITAXIE [1 fiche]

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Fiche 1 2007-07-04

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Physics of Solids
DEF

Epitaxial deposition process in which chemical composition of epi material and the substrate are the same; e.g. Si epi layer on Si substrate.

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Physique des solides
CONT

L'épitaxie consiste à faire croître une couche mince, le plus souvent monocristalline, sur un substrat servant de germe. En général, l'épaisseur totale du dépôt n'excède pas 20-50 µm pour le silicium et 2-5 µm avec l'AsCa. Avec un support et une couche de même matériau, l'opération s'appelle une homoépitaxie; dans le cas contraire il s'agit d'une hétéroépitaxie.

Espagnol

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