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CIRCUIT INTEGRE MOS [1 fiche]

Fiche 1 2004-01-13

Anglais

Subject field(s)
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • Electronic Circuits Technology
CONT

MOS transistors are inherently slower than bipolar devices in logic applications, due to high impedance levels and parasitic capacitances associated with them. The speed-power product of bipolar circuits is normally 10 to 100 times greater than MOS circuits.

OBS

MOS: metal-oxide-semiconductor.

Terme(s)-clé(s)
  • metal-oxide-semiconductor circuit
  • metal oxide semiconductor circuit

Français

Domaine(s)
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Technologie des circuits électroniques
CONT

Les circuits MOS (métal/oxyde/semi-conducteur) sont des circuits constitués de transistors dont le fonctionnement est fondé sur les effets de conduction superficielle de semi-conducteur.

CONT

[L'approche cellulaire] se prête bien à une conception rapide et sûre des circuits MOS de quelques milliers de portes logiques.

OBS

MOS : métal-oxyde-semiconducteur.

Terme(s)-clé(s)
  • circuit métal-oxyde-semiconducteur

Espagnol

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