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THICK OXIDE [1 fiche]

Fiche 1 1995-02-21

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Telecommunications

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Télécommunications
DEF

Dans le procédé MOS, couche de dioxyde de silicium, de l'ordre de 4000 à 6000 [Angström] d'épaisseur, déposée sur les régions correspondant au drain et à la source du transistor que l'on veut réaliser.

Espagnol

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