TERMIUM Plus®

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TUNNEL MAGNETORESISTANCE [1 record]

Record 1 2021-12-06

English

Subject field(s)
  • Physics
  • Magnetism and Electromagnetism
  • Electronics
CONT

Tunnel magnetoresistance (TMR) is a magnetoresistive effect that occurs in a magnetic tunnel junction (MTJ), which is a component consisting of two ferromagnets separated by a thin insulator. If the insulating layer is thin enough (typically a few nanometres), electrons can tunnel from one ferromagnet into the other.

Key term(s)
  • tunneling magneto-resistance
  • tunneling magneto-resistance effect
  • tunnel magneto-resistance

French

Domaine(s)
  • Physique
  • Magnétisme et électromagnétisme
  • Électronique
CONT

La magnétorésistance tunnel [...] utilise la différence de densité d'état électronique en fonction du spin pour les matériaux ferromagnétiques. On considère que lors d'une transition tunnel, l'électron qui a traversé la barrière tunnel ne change pas de spin. Pour obtenir une [magnétorésistance tunnel], on réalise un empilement de deux couches ferromagnétiques séparées cette fois par une couche très mince (de l'ordre de nanomètre) d'isolant, jouant le rôle de barrière tunnel pour les électrons.

Key term(s)
  • magnéto-résistance tunnel
  • magnéto-résistance à effet tunnel

Spanish

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