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CROISSANCE RUBANS SILICIUM [1 fiche]

Fiche 1 1986-03-27

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Industrial Techniques and Processes
OBS

(Berlin conf., 156/USA (2.7).

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Techniques industrielles
OBS

(Acta, p. 106-109) (...) plutôt que de découper des tranches dans des lingots plus ou moins cylindriques, on tente maintenant de faire croître des monocristaux sous forme de rubans. Il existe deux méthodes de croissance de rubans, la croissance horizontale et la croissance verticale. Parmi les méthodes de croissance verticale on distingue: la croissance dendritique (cf. pos.317) et la croissance de type Czochralski, dans laquelle on impose au silicium liquide d'épouser une géométrie particulière au moyen de pièces en forme comportant des fentes, des rainures, des capillaires etc. (Acta electronica, 20,2,1977, p. 106-107).

Espagnol

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