TERMIUM Plus®

Par le Bureau de la traduction

Dans les médias sociaux

Consultez la banque de données terminologiques du gouvernement du Canada.

MEMOIRE MOS ACCES DIRECT [1 fiche]

Fiche 1 1989-12-18

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
CONT

The common reference to data memories is RAM (a misnomer), standing for random access memory, a name which has stuck. Data memories are normally read-write memories which may be either MOS or bipolar. (...) MOS RAMs may be either static or dynamic.

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
CONT

Par rapport à une mémoire MOS à accès aléatoire, les mémoires à transfert de charge présentent beaucoup moins de diffusions et de prises de contact.

Terme(s)-clé(s)
  • mémoire MOS à accès sélectif
  • mémoire MOS à accès direct

Espagnol

Conserver la fiche 1

Avis de droit d’auteur pour la banque de données TERMIUM Plus®

© Services publics et Approvisionnement Canada, 2026
TERMIUM Plus®, la banque de données terminologiques et linguistiques du gouvernement du Canada
Un produit du Bureau de la traduction

En vedette

GCtraduction (accessible uniquement sur le réseau du gouvernement du Canada)

Utilisez ce prototype d’intelligence artificielle pour traduire le contenu du gouvernement du Canada jusqu’au niveau Protégé B inclusivement. Réservé au personnel de certains ministères et organismes.

Outils d'aide à la rédaction

Les outils d’aide à la rédaction du Portail linguistique ont fait peau neuve! Faciles à consulter, ils vous donnent accès à une foule de renseignements utiles pour mieux écrire en français et en anglais.

Lexiques et vocabulaires

Accédez aux lexiques et vocabulaires du Bureau de la traduction.

Date de modification :