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Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

Forward current increases rapidly to its peakpoint value at peak-point voltage. A further increase in forward bias reduces the forward current to a minimum value at valley-point voltage.  2, fiche 1, Anglais, - valley%2Dpoint%20current

Fiche 1,  Justifications,  Français

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

[A] sensitive electronic device based on the Coulomb blockade effect.  5, fiche 2, Anglais, - single%2Delectron%20transistor

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Such a rapid variation in conductance makes the single-electron transistor an ideal device for high-precision electrometry. In this type of application the SET has two gate electrodes, and the bias voltage is kept close to the Coulomb blockade voltage to enhance the sensitivity of the current to changes in the gate voltage.  6, fiche 2, Anglais, - single%2Delectron%20transistor

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

[Dispositif] électronique basé sur l'effet de blocage de Coulomb.  4, fiche 2, Français, - transistor%20%C3%A0%20un%20%C3%A9lectron

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Les caractéristiques de faible tension de polarisation d'un transistor à un électron doté d'un îlot Nb [niobium] et de fils en Al [aluminium] correspondaient à des transitions résonantes entre des états quantiques, déterminés par la charge transférée par le biais du circuit.  5, fiche 2, Français, - transistor%20%C3%A0%20un%20%C3%A9lectron

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

The transistor bias corresponds to the voltage or current that is applied to a transistor to ensure that it operates in the desired manner.  2, fiche 3, Anglais, - transistor%20bias

Record number: 3, Textual support number: 2 OBS

transistor bias: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, fiche 3, Anglais, - transistor%20bias

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

La polarisation de transistor correspond à la tension ou au courant que l'on applique à un transistor pour s'assurer qu'il se comporte de la manière voulue.  3, fiche 3, Français, - polarisation%20de%20transistor

Record number: 3, Textual support number: 2 OBS

polarisation du transistor : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  4, fiche 3, Français, - polarisation%20de%20transistor

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

The bias voltage which tends to produce current flow in the forward direction.  2, fiche 4, Anglais, - forward%20bias

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

forward bias: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  2, fiche 4, Anglais, - forward%20bias

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

Tension appliquée à une jonction dans le sens qui entraîne le passage du courant direct.  4, fiche 4, Français, - polarisation%20directe

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

polarisation en sens direct : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  4, fiche 4, Français, - polarisation%20directe

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

A compact, high-resolution and energy-dispersive x-ray detector.  3, fiche 5, Anglais, - silicon%20drift%20detector

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

Silicon Drift Detectors(SDD) are essentially 450 μm-thick discs of high-resistivity silicon which is fully depleted by applying a negative bias voltage to both sides of the disc. On one side of the planar structure the bias is graduated across the device by means of a series of "drift rings" such that a strong transverse electric field component is developed within the structure. This is used to direct electrons produced as a result of x-ray interactions towards a small charge collecting anode. On the opposite side of the device(x-ray entrance side) there is a uniform shallow implanted junction contact to allow good low energy x-ray sensitivity and minimum charge loss.  2, fiche 5, Anglais, - silicon%20drift%20detector

Fiche 5,  Justifications,  Français

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

For example, a bias voltage is applied to a transistor in an electronic amplifier to allow the transistor to operate in a particular region of its transconductance curve. For vacuum tubes, a(much higher) grid bias voltage is also often applied to the grid electrodes for precisely the same reason.  2, fiche 6, Anglais, - grid%20bias%20voltage

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

grid bias voltage : term officially approved by the Electronics and Telecommunications Terminology Committee.  3, fiche 6, Anglais, - grid%20bias%20voltage

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

La tension de polarisation de grille est telle [qu'un] tube sera conducteur avec une tension d'écran.  2, fiche 6, Français, - tension%20de%20polarisation%20de%20grille

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

tension de polarisation de grille : terme uniformisé par le Comité d’uniformisation des termes de l’électronique et des télécommunications (CUTEL).  3, fiche 6, Français, - tension%20de%20polarisation%20de%20grille

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

A balanced valve operation in which a grid bias voltage reduces the total anode current to approximately zero.  1, fiche 7, Anglais, - quiescent%20push%2Dpull%20valve%20operation

Fiche 7,  Justifications,  Français

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol

Fiche 8,  Justifications,  Anglais

Record number: 8, Textual support number: 1 CONT

This reverse polarity voltage rises in magnitude until it reaches a value sufficient to forward bias the freewheeling diode, bringing it into conduction.  1, fiche 8, Anglais, - reverse%20polarity%20voltage

Fiche 8,  Justifications,  Français

Record number: 8, Textual support number: 1 CONT

Un couplage (des transformateurs) parallèle de côte secondaire cause une tension de polarité inverse et peut être mortel.  1, fiche 8, Français, - tension%20de%20polarit%C3%A9%20inverse

Fiche 8,  Justifications,  Espagnol

Fiche 9,  Justifications,  Anglais

Record number: 9, Textual support number: 1 CONT

Voltage-reference diodes are semiconductor devices which have been widely known and used in the industry for many years. A voltage-reference diode is used in the reverse bias breakdown mode. A voltage-reference is designed so that, once it is in the breakdown mode, the voltage across it is stable over a relatively wide range of currents.  3, fiche 9, Anglais, - voltage%2Dreference%20diode

Fiche 9,  Justifications,  Français

Record number: 9, Textual support number: 1 DEF

Diode à jonction à tension de claquage suffisamment reproductible pour être utilisée comme référence de tension seule ou, plus souvent et plus récemment, en combinaison avec une ou deux autres diodes à jonction.  3, fiche 9, Français, - diode%20de%20r%C3%A9f%C3%A9rence%20de%20tension

Fiche 9,  Justifications,  Espagnol

Fiche 10,  Justifications,  Anglais

Record number: 10, Textual support number: 1 CONT

The electronic mirror consists of an array of monolithic, solid-state, varactor diodes together with antennas and bias lines. The incident electromagnetic wave is steered through a progressive phase shift introduced across the array through a simple bias voltage.  1, fiche 10, Anglais, - electronic%20mirror

Fiche 10,  Justifications,  Français

Fiche 10,  Justifications,  Espagnol

Fiche 11,  Justifications,  Anglais

Record number: 11, Textual support number: 1 DEF

A thin insulator separating two superconducting materials; it displays the Josephson effect.  4, fiche 11, Anglais, - superconducting%20tunnel%20junction

Record number: 11, Textual support number: 1 CONT

A Superconducting Tunnel Junction(STJ-or Josephson junction) consists of two thin films of a superconducting metal such as niobium, tantalum or hafnium separated by a thin insulating layer. When operated at temperatures well below the superconductor's critical temperature(typically below 1 K), the equilibrium state of the junction is easily perturbed by any photon striking it. By applying a small bias voltage across the junction and a suitable parallel magnetic field to suppress the Josephson current, an electrical charge proportional to the energy of the perturbing photon can be extracted from the device.  1, fiche 11, Anglais, - superconducting%20tunnel%20junction

Fiche 11,  Justifications,  Français

Record number: 11, Textual support number: 1 DEF

Circuit qui utilise des supraconducteurs et qui nécessite des températures avoisinant le zéro absolu.  5, fiche 11, Français, - jonction%20supraconductrice%20%C3%A0%20effet%20tunnel

Fiche 11,  Justifications,  Espagnol

Record number: 11, Textual support number: 1 CONT

Los circuitos de conjunción de Josephson se construyen para ser sumergidos en unidades de refrigeración de helio líquido. Son notables por sus velocidades de conmutación ultrarrápidas, que se estiman en una escala de 5 a 20 picosegundos (milésimos de nanosegundos) y fueron nombrados así por Brian Josephson quien desarrolló la teoría original en que se basan.  2, fiche 11, Espagnol, - junci%C3%B3n%20de%20Josephson

Fiche 12,  Justifications,  Anglais

Record number: 12, Textual support number: 1 DEF

A circuit that adds a fixed bias to a wave at each occurrence of some predetermined feature of the wave so that the voltage or current of the feature is held at or "clamped" to some specified level. The level may be fixed or adjustable.  2, fiche 12, Anglais, - clamping%20circuit

Record number: 12, Textual support number: 1 OBS

clamp: term and first definition standardized by the International Electrotechnical Commission.  3, fiche 12, Anglais, - clamping%20circuit

Record number: 12, Textual support number: 2 OBS

clamping circuit: term and second definition standardized by IEEE.  3, fiche 12, Anglais, - clamping%20circuit

Fiche 12,  Justifications,  Français

Record number: 12, Textual support number: 1 DEF

Dispositif électronique qui maintient un point déterminé du signal à une valeur de référence donnée.  1, fiche 12, Français, - caleur

Record number: 12, Textual support number: 1 OBS

caleur : terme normalisé par la CEI.  1, fiche 12, Français, - caleur

Fiche 12,  Justifications,  Espagnol

Record number: 12, Textual support number: 1 DEF

Circuito que mantiene a cierto nivel uno de los extremos de amplitud de una onda; es decir, circuito que fija el nivel de corriente continua de una onda.  1, fiche 12, Espagnol, - circuito%20fijador%20de%20nivel

Fiche 13,  Justifications,  Anglais

Record number: 13, Textual support number: 1 DEF

Junction breakdown under the influence of a large reverse-bias voltage.  2, fiche 13, Anglais, - reverse%20bias%20breakdown

Record number: 13, Textual support number: 1 CONT

Reverse bias breakdown.... The maximum reverse bias voltage that can be applied to a p-n diode is limited by breakdown. Breakdown is characterized by the rapid increase of the current under reverse bias. The corresponding applied voltage is referred to as the breakdown voltage.  3, fiche 13, Anglais, - reverse%20bias%20breakdown

Fiche 13,  Justifications,  Français

Fiche 13,  Justifications,  Espagnol

Fiche 14,  Justifications,  Anglais

Record number: 14, Textual support number: 1 CONT

Xeroradiographic processing must be carefully optimized to produce the best image quality at the lowest dose. Adjustments of electrical bias voltages and image toning parameters should be carried out in consultation with the equipment manufacturer’s technical consultants.  1, fiche 14, Anglais, - electrical%20bias%20voltage

Record number: 14, Textual support number: 1 OBS

The bias voltage that establishes a semiconductors desired DC operating voltage.  2, fiche 14, Anglais, - electrical%20bias%20voltage

Fiche 14,  Justifications,  Français

Record number: 14, Textual support number: 1 CONT

Ce montage va nous permettre de polariser la diode avec une tension de 4,5 V et un courant de 50mA. La tension de polarisation sera ensuite modulée.  1, fiche 14, Français, - tension%20de%20polarisation

Fiche 14,  Justifications,  Espagnol

Fiche 15,  Justifications,  Anglais

Record number: 15, Textual support number: 1 DEF

A feedback bias circuit in which the base current is obtained from the collector voltage.  1, fiche 15, Anglais, - self%20bias

Fiche 15,  Justifications,  Français

Fiche 15,  Justifications,  Espagnol

Fiche 16,  Justifications,  Anglais

Record number: 16, Textual support number: 1 CONT

Research has shown that the problem [dark spot] is due to the high bias voltage, typically between five and seven kilovolts.  1, fiche 16, Anglais, - high%20bias%20voltage

Fiche 16,  Justifications,  Français

Record number: 16, Textual support number: 1 CONT

Ce phénomène [la présence de points noires] est imputable à la différence de potentiel élevée, en général de 5 à 7 kV, que l'on applique entre l'écran phosphorique et la plaque de microcanaux pour accélérer les électrons libérés par la plaque, de façon que leur énergie soit suffisante pour générer une bonne image sur le phosphore.  1, fiche 16, Français, - diff%C3%A9rence%20de%20potentiel%20%C3%A9lev%C3%A9e

Fiche 16,  Justifications,  Espagnol

Fiche 17,  Justifications,  Anglais

Record number: 17, Textual support number: 1 CONT

The detector elements operate in the voltage mode with a bias voltage applied to maintain and optimize the pyroelectric effect near thepara-electric-ferroelectric phase transition.  1, fiche 17, Anglais, - voltage%20mode

Fiche 17,  Justifications,  Français

Record number: 17, Textual support number: 1 CONT

Les éléments détecteurs fonctionnent sur le mode tension, avec application d'un prévoltage pour maintenir et optimiser l'effet pyroélectrique au voisinage de la transition de phase paraélectricité/ferroélectricité.  1, fiche 17, Français, - mode%20tension

Fiche 17,  Justifications,  Espagnol

Fiche 18,  Justifications,  Anglais

Record number: 18, Textual support number: 1 CONT

The detector elements operate in the voltage mode with a bias voltage applied to maintain and optimize the pyroelectric effect near the para-electric-ferroelectric phase transition.  1, fiche 18, Anglais, - para%2Delectric%2Dferroelectric%20phase%20transition

Fiche 18,  Justifications,  Français

Record number: 18, Textual support number: 1 CONT

Les éléments détecteurs fonctionnent sur le mode tension, avec application d'un prévoltage pour maintenir et optimiser l'effet pyroélectrique au voisinage de la transition de phase para-ferro/électrique.  1, fiche 18, Français, - transition%20de%20phase%20para%2Dferro%2F%C3%A9lectrique

Fiche 18,  Justifications,  Espagnol

Fiche 19,  Justifications,  Anglais

Record number: 19, Textual support number: 1 DEF

Determination of energy levels of trapping centers from, usually, the temperature dependence of the rate of decay of the capacitance of a pn or MOS capacitor made on the semiconductor under study, following a step change in the bias voltage across the capacitor.  1, fiche 19, Anglais, - deep%2Dlevel%20transient%20spectroscopy

Fiche 19,  Justifications,  Français

Record number: 19, Textual support number: 1 OBS

Les niveaux profonds d'impuretés peuvent [...] s'analyser par DTSL (Deep Level Transient Spectroscopy). Cette méthode fondée sur un principe de mesure capacitive consiste à étudier la décroissance de la capacité de transition après excitation par une impulsion électrique.  2, fiche 19, Français, - spectroscopie%20capacitive

Fiche 19,  Justifications,  Espagnol

Fiche 20,  Justifications,  Anglais

Record number: 20, Textual support number: 1 OBS

bias : a d-c voltage applied to a transistor control electrode to establish the desired operating point.  1, fiche 20, Anglais, - bias%20supply

Fiche 20,  Justifications,  Français

Record number: 20, Textual support number: 1 OBS

dispositif fournissant la tension de polarisation.  1, fiche 20, Français, - dispositif%20de%20polarisation

Fiche 20,  Justifications,  Espagnol

Fiche 21,  Justifications,  Anglais

Record number: 21, Textual support number: 1 CONT

For PMOS devices the threshold voltage(i. e. the gate-source bias at which a conductive channel is formed between the source and the drain) is in the range of 2 to 5V.  1, fiche 21, Anglais, - threshold%20voltage

Fiche 21,  Justifications,  Français

Record number: 21, Textual support number: 1 CONT

A l'interface entre les deux diélectriques il existe des pièges qui sont susceptibles de retenir les charges injectées d'une façon non volatile. On modifie ainsi la valeur de la tension de seuil du transistor MOS (...)  1, fiche 21, Français, - tension%20de%20seuil

Fiche 21,  Justifications,  Espagnol

Fiche 22,  Justifications,  Anglais

Record number: 22, Textual support number: 1 DEF

A battery used to supply voltage for grid bias in a vacuum-tube circuit.  1, fiche 22, Anglais, - C%20Battery

Fiche 22,  Justifications,  Français

Fiche 22,  Justifications,  Espagnol

Fiche 23,  Justifications,  Anglais

Record number: 23, Textual support number: 1 CONT

Low-frequency noise tends to put a slightly different voltage bias on each scan line. The bias varies at the 60 Hz rate as scan lines are scanned. This noise typically occurs in the form of a sine wave, so the resulting effect is slight intensity changes from line to line as the intensity is biased by it.  1, fiche 23, Anglais, - low%2Dfrequency%20noise

Fiche 23,  Justifications,  Français

Fiche 23,  Justifications,  Espagnol