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Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

A GaAs FET... is simply a [field effect transistor] with a diode gate structure... made from gallium arsenide(GaAs)...  2, fiche 1, Anglais, - gallium%20arsenide%20field%20effect%20transistor

Fiche 1,  Justifications,  Français

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

A circuit wherein the source terminal of an FET [field effect transistor] is placed at signal ground.  2, fiche 2, Anglais, - common%2Dsource%20circuit

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

The input signal is applied between gate and source and the output obtained from the drain section. There is a 180 ° phase reversal between input and output signals.  2, fiche 2, Anglais, - common%2Dsource%20circuit

Record number: 2, Textual support number: 2 OBS

common-source circuit: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, fiche 2, Anglais, - common%2Dsource%20circuit

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

circuit à source commune : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  2, fiche 2, Français, - circuit%20%C3%A0%20source%20commune

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

A voltage-controlled semiconductor which has a high input impedance comparable to that of a vacuum tube.  4, fiche 3, Anglais, - field%20effect%20transistor

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

Field effect transistors are used to replace vacuum tubes in equipment for improved reliability.  4, fiche 3, Anglais, - field%20effect%20transistor

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

field-effect transistor; FET : term and abbreviation term officially approved by the Lexicon Project Committee(New Brunswick).  5, fiche 3, Anglais, - field%20effect%20transistor

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Dispositif à semi-conducteurs commandé par la tension et présentant une impédance d'entrée très élevée, analogue à celle d'un tube à vide.  2, fiche 3, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

Remplace le tube à vide dans certains équipements étant donné sa performance et une sûreté de fonctionnement plus grande.  2, fiche 3, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ

Record number: 3, Textual support number: 2 OBS

transistor à effet de champ : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  3, fiche 3, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Dispositivo semiconductor, de tres terminales, que actúa como elemento de almacenamiento de carga variable.  1, fiche 3, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

A FET(field-effect transistor) transistor is operating in depletion mode when the gate voltage repels the carrier charges.  2, fiche 4, Anglais, - depletion%20mode

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

depletion mode: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, fiche 4, Anglais, - depletion%20mode

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d'un transistor à effet de champ normalement conducteur, c'est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour réduire ou annuler le courant de la source au drain par appauvrissement du canal en porteurs de charge.  5, fiche 4, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d'appauvrissement [et] régime d'enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d'appauvrissement lorsqu'une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d'enrichissement lorsque c'est une tension positive qui y est appliquée. Les D-MOSFETS sont, en général, utilisés en régime d'appauvrissement.  6, fiche 4, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

mode de déplétion : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  7, fiche 4, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de silicio. Cuando [está] en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta.  1, fiche 4, Espagnol, - modo%20de%20empobrecimiento

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

The input(control) electrode of a field-effect transistor [FET]  1, fiche 5, Anglais, - gate

Record number: 5, Textual support number: 1 OBS

it is analogous to the base of a [conventional] transistor or the grid of a vacuum tube.  2, fiche 5, Anglais, - gate

Record number: 5, Textual support number: 2 DEF

Symbol for gate.  1, fiche 5, Anglais, - gate

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Elément de commande d'un transistor à effet de champ (T.E.C.).  4, fiche 5, Français, - grille

Record number: 5, Textual support number: 2 DEF

Symbole indiquant la grille d'un T.E.C. dans les schémas.  4, fiche 5, Français, - grille

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Region of the working-current terminal(at one end of the channel in a FET) that is the drain for holes or free electrons from the channel, and that corresponds to the collector of a bipolar transistor.  1, fiche 6, Anglais, - drain%20region

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Région vers laquelle les porteurs majoritaires circulent en provenance du canal d'un transistor à effet de champ.  1, fiche 6, Français, - r%C3%A9gion%20de%20drain

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Record number: 7, Textual support number: 1 OBS

Contrast enhancement FET and depletion FET.  1, fiche 7, Anglais, - junction%2Dgate%20field%20effect%20transistor

Fiche 7,  Justifications,  Français

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ dont plusieurs régions de grille forment une ou plusieurs jonctions PN avec le canal.  2, fiche 7, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20jonction%20de%20grille

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol

Fiche 8,  Justifications,  Anglais

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

A FET [field-effect transistor] which exhibits substantial device current(IDSS) with zero gate-to-source bias.  3, fiche 8, Anglais, - depletion%2Dmode%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 8,  Justifications,  Français

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ dont le canal a une conductance qui peut être augmentée ou diminuée suivant la polarité de la tension grille source.  3, fiche 8, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Fiche 8,  Justifications,  Espagnol

Fiche 9,  Justifications,  Anglais

Record number: 9, Textual support number: 1 OBS

Contrast P-channel FET.  1, fiche 9, Anglais, - N%2Dchannel%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 9,  Justifications,  Français

Record number: 9, Textual support number: 1 OBS

Comparer TEC à canal P.  1, fiche 9, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20canal%20N

Fiche 9,  Justifications,  Espagnol

Fiche 10,  Justifications,  Anglais

Record number: 10, Textual support number: 1 DEF

A FET [field-effect transistor] in which no device current flows(leakage only) when [gate-to-source voltage] is zero volts.  2, fiche 10, Anglais, - enhancement%2Dmode%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 10, Textual support number: 1 OBS

Conduction does not begin until [gate-to-source voltage] reaches the threshold voltage.  2, fiche 10, Anglais, - enhancement%2Dmode%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 10,  Justifications,  Français

Record number: 10, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ ayant une conductance sensiblement nulle pour une tension grille-source nulle et dont le canal peut être rendu conducteur par l'application d'une tension grille-source de polarité appropriée.  2, fiche 10, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20enrichissement

Fiche 10,  Justifications,  Espagnol

Fiche 11,  Justifications,  Anglais

Record number: 11, Textual support number: 1 DEF

One of the three terminals of the FET. It is at one end of the FET channel and is structured to receive the current passing through the channel. The output terminal of a field-effect transistor.  1, fiche 11, Anglais, - drain

Fiche 11,  Justifications,  Français

Record number: 11, Textual support number: 1 OBS

Ce terme désigne également la borne ou la broche connectée à cette région du transistor.  1, fiche 11, Français, - drain

Fiche 11,  Justifications,  Espagnol

Fiche 12,  Justifications,  Anglais

Record number: 12, Textual support number: 1 DEF

A circuit wherein the gate terminal of an FET is placed at signal ground. The input signal is applied between the source and gate terminals and the output obtained from the drain section. There is no phase reversal between input and output signals. Another term for this system is the grounded gate circuit.  1, fiche 12, Anglais, - common%2Dgate%20circuit

Fiche 12,  Justifications,  Français

Fiche 12,  Justifications,  Espagnol

Fiche 13,  Justifications,  Anglais

Record number: 13, Textual support number: 1 OBS

In the insulated-gate FET structure a thin dielectric barrier is used to isolate the gate and the channel. The control voltage applied to the gate terminal induces an electric field across the dielectric barrier and modulates the free-carrier concentration in the channel region.  1, fiche 13, Anglais, - gate%20voltage

Fiche 13,  Justifications,  Français

Record number: 13, Textual support number: 1 CONT

Si la tension de grille est inférieure à la tension d'inversion, dite tension de seuil, il y a entre source et drain une jonction P.N polarisée en inverse, qui bloque la conduction.  1, fiche 13, Français, - tension%20de%20grille

Fiche 13,  Justifications,  Espagnol

Fiche 14,  Justifications,  Anglais

Record number: 14, Textual support number: 1 DEF

A high speed device concept that relies on electrons traveling not within a layer but across its thickness. The switching speed of a transistor is limited by the time needed for an electron to traverse the device's middle terminal-the gate in a FET, the base in a bipolar device. Electrons lose speed as they travel because they bump into atoms and each other. By making the path short enough, the electron will sail from one side to the other like a projectile without a single collision. Such ballistic transport was first demonstrated last year at IBM's Thomas J. Watson Research Labs(Yorktown Heights, N. Y.).  1, fiche 14, Anglais, - ballistic%20transistor

Fiche 14,  Justifications,  Français

Fiche 14,  Justifications,  Espagnol

Fiche 15,  Justifications,  Anglais

Record number: 15, Textual support number: 1 CONT

Power supply for a FET LNA is provided on the downverter input connector for further cost savings and ease of system integration.  1, fiche 15, Anglais, - downverter%20input%20connector

Fiche 15,  Justifications,  Français

Record number: 15, Textual support number: 1 CONT

Afin de rendre son emploi plus économique encore et de faciliter son intégration dans le système, on a placé son alimentation en énergie sur le connecteur d'entrée de l'étage abaisseur de fréquence, avec amplificateur à faible bruit constitué de transistors à effet de champ.  1, fiche 15, Français, - connecteur%20d%27entr%C3%A9e%20de%20l%27%C3%A9tage%20abaisseur%20de%20fr%C3%A9quence

Fiche 15,  Justifications,  Espagnol