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SILICON GATE [6 fiches]

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Liste alphabétique des termes

Fiche 1 2011-03-28

Anglais

Subject field(s)
  • Trade Names
  • Electronics
DEF

A gate-controlled full-wave a-c silicon switch designed to switch from a blocking obate to a conducting state for either polarity of applied voltage with positive or negative gate tuggering(Modern Dictionary of Electronics)

OBS

A trademark of General Electric.

Terme(s)-clé(s)
  • Triac

Français

Domaine(s)
  • Appellations commerciales
  • Électronique
OBS

TriacMC : Marque de commerce de General Electric.

Espagnol

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Fiche 2 2008-11-25

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
DEF

A type of EPROM [erasable programmable read-only memory] that uses ultraviolet light for erasing and an avalanche transport mode.

OBS

The FAMOS device uses silicon-gate field-effect transistors with no connection to the silicon gate. Memory operation depends on charge transport by avalanche injection from a source or drain.

Terme(s)-clé(s)
  • floating gate avalanche injection MOS
  • floating-gate avalanche MOS
  • floating gate avalanche injection metal oxide semiconductor

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Semiconductores (Electrónica)
OBS

[...] transistor MOS al que se le intercala, entre la puerta y el canal, una deposición de polisilicio (semiconductor) rodeado de [sílice] (aislante). La idea se basa en colocar una pantalla eléctrica entre puerta y canal para evitar la inducción de cargas en el canal que permitan la corriente por el mismo. Pero se desea que uno pueda retirar esta pantalla si se lo propone. La deposición mencionada actúa como una puerta flotante pues no tiene ningún contacto eléctrico con otra parte del circuito.

Conserver la fiche 2

Fiche 3 - données d’organisme externe 2002-02-27

Anglais

Subject field(s)
  • Scientific Research Equipment
  • Compartment - Canadian Nuclear Safety Commission
CONT

... framing tubes and solid-state imaging devices for use with cameras controlled in paragraph(b) as follows :(1) proximity focused image intensifier tubes having the photocathode deposited on a transparent conductive coating to decrease photocathode sheet resistance; gate silicon intensifier target(SIT) vidicon tubes, where a fast system allows gating the photoelectrons from the photocathode before they impinge on the SIT plate...

OBS

Regulation cited: Nuclear Non-Proliferation Import and Export Control Regulations.

Terme(s)-clé(s)
  • gate SIT vidicon tube

Français

Domaine(s)
  • Matériel et équipement (Recherche scientifique)
  • Tiroir - Commission canadienne de sûreté nucléaire
CONT

[...] tubes à images et imageurs à semi-conducteurs destinés à être utilisés avec les caméras mentionnées au paragraphe b), comme suit : (1) tubes intensificateurs d'images avec mise au point sur proximité, dont la cathode photovoltaïque est déposée sur une couche conductrice transparente afin de diminuer la résistance de couche de la cathode photovoltaïque; (2) tubes intensificateurs vidicons au silicium et à grilles où un système rapide permet de séparer les photoélectrons de la cathode photovoltaïque avant qu'ils ne soient projetés contre la plaque de l'intensificateur vidicon au silicium [...]

OBS

Règlement cité : Règlement sur le contrôle de l'importation et de l'exportation aux fins de la non-prolifération nucléaire.

Espagnol

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Fiche 4 2002-01-03

Anglais

Subject field(s)
  • Electronic Circuits Technology
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • Industrial Techniques and Processes
DEF

A type of MOS in which the gate is made of silicon instead of metal. Faster and denser than metal-gate MOS.

Français

Domaine(s)
  • Technologie des circuits électroniques
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Techniques industrielles
DEF

Grille d'un transistor MOS intégré réalisé en polysilicium fortement dopé pour augmenter sa conductibilité électrique.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Tecnología de los circuitos electrónicos
  • Circuitos impresos y microelectrónica
  • Procesos y técnicas industriales
DEF

Tecnología de metal-óxido-semiconductor (MOS) o a cualquier otra que emplea el silicio como semiconductor.

Conserver la fiche 4

Fiche 5 2001-02-08

Anglais

Subject field(s)
  • Electronics
CONT

The ISFET(Ion Sensitive Field Effect Transistor) methodoly for ion measurements is developed on the basis of the MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor). The first attempts to use the ISFET as pH sensor were made already in 1970. The basic principle underlying the MOSFET is the control of a current flowing between two semiconductor electrodes. Drain and source are placed on the same element, with a third electrode, the gate, between them.

Français

Domaine(s)
  • Électronique

Espagnol

Conserver la fiche 5

Fiche 6 1977-03-02

Anglais

Subject field(s)
  • Printed Circuits and Microelectronics
CONT

[The] silicon bilateral switches(SBS) are advanced semiconductors having negative resistance switching characteristics similar to the 3-layer diode, 4-layer diode and unijunction transistor. The SBS is a bilateral version of the SUS. It is actually two SUS's on the same chip with metallization connecting the anode of the other and having a common gate(...)

Français

Domaine(s)
  • Circuits imprimés et micro-électronique
CONT

Le déclenchement par commutateur bilatéral, ou SBS, qui n'est que l'assemblage en antiparallèle de deux SUS, fait appel aux mêmes principes (...) Les spécifications du SBS sont identiques à celle du SUS [silicon unilateral switch].

Espagnol

Conserver la fiche 6

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