TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Three possible theoretical models can be extracted from the technical literature concerning the modelling of concrete structures : approach by layers, approach by additional stiffness to steel and approach by curvatures.  1, fiche 1, Anglais, - approach%20by%20additional%20stiffness%20to%20steel

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Pour modéliser, à l'aide d'éléments finis, une structure en béton armé ou en béton précontraint et ensuite déterminer son comportement aux états-limites ultimes […], trois approches possibles de modélisation des structures en béton : approche par couches, approche par rigidité additionnelle de l'acier et approche par courbures.  1, fiche 1, Français, - approche%20par%20rigidit%C3%A9%20additionnelle%20de%20l%27acier

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Three possible theoretical models can be extracted from the technical literature concerning the modelling of concrete structures : approach by layers, approach by additional stiffness to steel and approach by curvatures.  1, fiche 2, Anglais, - approach%20by%20layers

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Pour modéliser, à l'aide d'éléments finis, une structure en béton armé ou en béton précontraint et ensuite déterminer son comportement aux états-limites ultimes […], trois approches possibles de modélisation des structures en béton : approche par couches, approche par rigidité additionnelle de l'acier et approche par courbures.  1, fiche 2, Français, - approche%20par%20couches

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

Three possible theoretical models can be extracted from the technical literature concerning the modelling of concrete structures : approach by layers, approach by additional stiffness to steel and approach by curvatures.  1, fiche 3, Anglais, - approach%20by%20curvatures

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

Pour modéliser, à l'aide d'éléments finis, une structure en béton armé ou en béton précontraint et ensuite déterminer son comportement aux états-limites ultimes […], trois approches possibles de modélisation des structures en béton : approche par couches, approche par rigidité additionnelle de l'acier et approche par courbures.  1, fiche 3, Français, - approche%20par%20courbures

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Department of Chemistry, University College London. Computer modelling of crystal-crystal adhesion. The agglomeration of crystals in industrial crystallization processes is a major problem in the manufacture of many solid products. The EPSRC have funded a major collaborative project between UCL chemical engineering and chemistry to combine crystallization and micro-mechanic experiments with theoretical modelling, to develop a molecular based model of crystal agglomeration. One of the positions in this project is a PhD studentship to develop the modelling of inter-crystal forces at the atomistic level.  1, fiche 4, Anglais, - agglomeration%20of%20crystals

Record number: 4, Textual support number: 2 CONT

... crystalline products [have a] tendency to cake or bind together ... the material [that] shall flow freely ... makes the prevention of caking of crystals a serious problem for a manufacturer.  3, fiche 4, Anglais, - agglomeration%20of%20crystals

Record number: 4, Textual support number: 3 CONT

Crystallization: Saturation, Nucleation, Crystallization rate, Effect of impurities, Effect of temperature on solubility. Caking of crystals, Batch crystallizers, Continuous crystallizers.  4, fiche 4, Anglais, - agglomeration%20of%20crystals

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

L'agglomération ou prise en masse des cristaux [...] par les inconvénients qu'elle présente pour la conservation des corps cristallisés, tassés dans des magasins ou dans des sacs, est un problème industriel de première importance.  1, fiche 4, Français, - prise%20en%20masse%20des%20cristaux

Record number: 4, Textual support number: 2 CONT

En cristallisation industrielle, l'agglomération des cristaux constitue un phénomène très important, surtout dans les réactions de précipitation [...] On distingue deux types d'agglomération, classiquement désignés par primaire et secondaire. Agglomération primaire. Elle concerne les microparticules de taille en général inférieure à 1µm [...] Agglomération secondaire. Elle est provoquée soit par le mouvement brownien des particules (agrégation péricinétique), soit par les forces de cisaillement de la suspension dues aux conditions d'agitation (agrégation orthocinétique).  3, fiche 4, Français, - prise%20en%20masse%20des%20cristaux

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

La cristallisation, au sens large du terme, est un changement d'état qui conduit, à partir d'une phase gazeuse ou liquide, à un solide appelé «cristal», de structure régulière et organisée. [...] Dans l'industrie, la cristallisation est une opération unitaire de génie chimique très importante. Elle conduit à des solides de natures très diverses, aussi bien minérales qu'organiques, à l'aide de procédés très variés.  3, fiche 4, Français, - prise%20en%20masse%20des%20cristaux

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

It has been assumed that the Si delta-layers are characterized by the Si bulk band-structure in the theoretical modelling. Si is an indirect band-gap semiconductor, while GaAs is of direct type. This means that a Si electron experiences the Si delta-layer as a quantum well, while the Si delta-layer instead constitutes a barrier for a GaAs electron.  1, fiche 5, Anglais, - indirect%2Dband%20gap%20semiconductor

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Semi-conducteur dont les électrons du haut de la bande et du bas de la bande de conduction n'ont pas les mêmes vecteurs.  1, fiche 5, Français, - semi%2Dconducteur%20%C3%A0%20structure%20de%20bande%20indirecte

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

Where information must be derived for each individual spill incident, as is the case with environmental dispersion modelling, theoretical base appropriate for the broadest possible range of spill circumstances are provided [in the Envirotips series manuals]...  2, fiche 6, Anglais, - spill%20incident

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

Voir : «incident».  2, fiche 6, Français, - cas%20de%20d%C3%A9versement

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

The ratio of the applied excitation force phasor to the resulting velocity phasor with all other connection points of the system free, i.e. having zero restraining forces. Free impedance is the arithmetic reciprocal of a single element of the mobility matrix.  1, fiche 7, Anglais, - free%20impedance

Record number: 7, Textual support number: 1 OBS

Historically, often no distinction has been made between blocked impedance and free impedance. Caution should, therefore, be exercised in interpreting published data. While experimentally determined free impedances could be assembled into a matrix, this matrix would be quite different from the blocked impedance matrix, resulting from mathematical modelling of the structure and, therefore, would not conform to the requirements for using mechanical impedance in a overall theoretical analysis of the system.  1, fiche 7, Anglais, - free%20impedance

Fiche 7,  Justifications,  Français

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

Rapport du vecteur tournant de la force d'excitation au vecteur tournant de la vitesse résultante, tous les autres points de connexion du système étant libres, c'est-à-dire ayant des forces de contrainte nulle. L'impédance libre est l'inverse arithmétique d'un élément unique de la matrice de mobilité.  1, fiche 7, Français, - imp%C3%A9dance%20libre

Record number: 7, Textual support number: 1 OBS

Par le passé, on a rarement fait la distinction entre impédance bloquée et impédance libre. Il faudrait donc faire attention lorsqu'on interprète les données publiées. Alors que les impédances libres déterminées expérimentalement pourraient être regroupées en une matrice, celle-ci serait tout à fait différente de la matrice d'impédance bloquée résultant de la modélisation mathématique de la structure et ne serait donc pas conforme aux exigences portant sur l'utilisation de l'impédance mécanique dans une analyse théorique globale du système.  1, fiche 7, Français, - imp%C3%A9dance%20libre

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol