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IMPLANTATION DEPTH [3 fiches]
Fiche 1 - données d’organisme interne 2007-07-04
Fiche 1, Anglais
Fiche 1, Subject field(s)
- Semiconductors (Electronics)
- Physics of Solids
Fiche 1, La vedette principale, Anglais
- implantation depth
1, fiche 1, Anglais, implantation%20depth
correct
Fiche 1, Les abréviations, Anglais
Fiche 1, Les synonymes, Anglais
Fiche 1, Justifications, Anglais
Record number: 1, Textual support number: 1 CONT
The method of claim... wherein the material of the covering layer is chosen to minimize differences between a coefficient of implantation depth of semiconductor material of the uneven surface layer and a coefficient of implantation depth of the covering layer material. 1, fiche 1, Anglais, - implantation%20depth
Fiche 1, Français
Fiche 1, Domaine(s)
- Semi-conducteurs (Électronique)
- Physique des solides
Fiche 1, La vedette principale, Français
- profondeur d'arrêt
1, fiche 1, Français, profondeur%20d%27arr%C3%AAt
correct, nom féminin
Fiche 1, Les abréviations, Français
Fiche 1, Les synonymes, Français
- profondeur d'implantation 1, fiche 1, Français, profondeur%20d%27implantation
correct, nom féminin
Fiche 1, Justifications, Français
Record number: 1, Textual support number: 1 CONT
Implantation des ions dans le semiconducteur [...] La profondeur d'arrêt (ou d'implantation), pour une impureté et un semiconducteur donnés, dépend de l'énergie du faisceau [d'ions]. En règle générale, elle est inférieure au micron. 1, fiche 1, Français, - profondeur%20d%27arr%C3%AAt
Fiche 1, Espagnol
Fiche 1, Justifications, Espagnol
Fiche 2 - données d’organisme interne 2001-05-15
Fiche 2, Anglais
Fiche 2, Subject field(s)
- Semiconductors (Electronics)
- Printed Circuits and Microelectronics
Fiche 2, La vedette principale, Anglais
- ion beam implantation equipment
1, fiche 2, Anglais, ion%20beam%20implantation%20equipment
correct
Fiche 2, Les abréviations, Anglais
Fiche 2, Les synonymes, Anglais
Fiche 2, Justifications, Anglais
Record number: 2, Textual support number: 1 OBS
Ion implantation is a precise and reproducible method of doping semiconductors to achieve a desired characteristic. With this equipment, ions of the particular dopant are energized and accelerated to the point where they can be driven in a focused beam directly into the silicon wafer. This technique assures uniform, accurately controlled depth of implantation and ionic diffusion in the wafer, and is highly repeatable on succeeding wafers. 1, fiche 2, Anglais, - ion%20beam%20implantation%20equipment
Fiche 2, Français
Fiche 2, Domaine(s)
- Semi-conducteurs (Électronique)
- Circuits imprimés et micro-électronique
Fiche 2, La vedette principale, Français
- équipement par implantation ionique
1, fiche 2, Français, %C3%A9quipement%20par%20implantation%20ionique
correct, nom masculin
Fiche 2, Les abréviations, Français
Fiche 2, Les synonymes, Français
Fiche 2, Justifications, Français
Record number: 2, Textual support number: 1 CONT
équipements de production à commande par programme enregistré par l'implantation ionique ayant des courants du faisceau de 5 m A ou plus. 1, fiche 2, Français, - %C3%A9quipement%20par%20implantation%20ionique
Fiche 2, Espagnol
Fiche 2, Justifications, Espagnol
Fiche 3 - données d’organisme interne 2000-09-11
Fiche 3, Anglais
Fiche 3, Subject field(s)
- Printed Circuits and Microelectronics
- Semiconductors (Electronics)
- Industrial Techniques and Processes
Fiche 3, La vedette principale, Anglais
- diffusion depth tester
1, fiche 3, Anglais, diffusion%20depth%20tester
correct
Fiche 3, Les abréviations, Anglais
Fiche 3, Les synonymes, Anglais
Fiche 3, Justifications, Anglais
Record number: 3, Textual support number: 1 CONT
Traditionally impurities were diffused into a wafer through a masking layer in a diffusion furnace. Today impurities are increasingly being implanted into a wafer structure through a process called ion implantation. A diffusion depth tester is used to determine to what depth these diffused impurities have penetrated into the wafer. 1, fiche 3, Anglais, - diffusion%20depth%20tester
Fiche 3, Français
Fiche 3, Domaine(s)
- Circuits imprimés et micro-électronique
- Semi-conducteurs (Électronique)
- Techniques industrielles
Fiche 3, La vedette principale, Français
- testeur de profondeur de diffusion
1, fiche 3, Français, testeur%20de%20profondeur%20de%20diffusion
proposition, nom masculin
Fiche 3, Les abréviations, Français
Fiche 3, Les synonymes, Français
Fiche 3, Justifications, Français
Fiche 3, Espagnol
Fiche 3, Justifications, Espagnol
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