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MBE [4 fiches]

Fiche 1 2024-01-27

Anglais

Subject field(s)
  • Industrial Techniques and Processes
  • Semiconductors (Electronics)
  • Lasers and Masers
  • Optical Telecommunications
CONT

Molecular beam epitaxy(MBE) has established itself as a unique and important epitaxial crystal growth technique yielding useful semiconductor devices, both electronic and photonic and high quality layer structures for fundamental semiconductor physics research.

Français

Domaine(s)
  • Techniques industrielles
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Masers et lasers
  • Télécommunications optiques
DEF

Procédé d'épitaxie utilisant plusieurs fours à effusion pour former des couches épitaxiales de diverses natures sur un substrat semiconducteur.

CONT

L'épitaxie par jets moléculaires est la meilleure technique connue jusqu'à présent pour réaliser des couches particulièrement minces. Grâce à l'épitaxie, une gamme infinie de semi-conducteurs différents peut être obtenue en couches minces.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Procesos y técnicas industriales
  • Semiconductores (Electrónica)
  • Láser y máser
  • Telecomunicaciones ópticas
DEF

Método de fabricación de circuitos microelectrónicos.

CONT

La epitaxia de haz molecular forma las capas diminutas de una plaqueta o microcircuito a niveles atómicos. Las capas, que pueden ser tan delgadas como dos átomos, se colocan en la plaqueta o microcircuito en lugares específicos.

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Fiche 2 2012-02-13

Anglais

Subject field(s)
  • Optics
  • Analytical Chemistry
DEF

The section of the mass spectrometer in which the beam of ions emerging from the ion source is separated into a series of beams, according to the mass-to-charge ratios.

CONT

Mass spectrometers, which operate under high vacuum, consist of four basic parts: a handling system ...; an ionization chamber ...; an analyzer, in which the particles in the beam are separated according to mass; and a detector ...

CONT

Mass analyzers are systems designed to identify and measure materials according to their molecular weights. The technique has been adapted for many other applications ranging from physics research and the identification of complex molecular structure to assuring the integrity of the fuel systems on the space shuttle and routine helium leak detection. While the uses of mass analyzers in the microelectronics industry include some exotic applications, such as SIMS, the greatest number of systems are used for various types of gas analysis. Applications for mass analyzers include process monitoring, process engineering and control in such areas as evaporation, MBE, sputter etch and deposition, plasma etch and deposition, ion, implantation, LPCVD, CVD, and diffusion furnaces. Another important application is high purity gas certification and electronic gas mixture verification.

Terme(s)-clé(s)
  • analyser
  • mass analyzer

Français

Domaine(s)
  • Optique
  • Chimie analytique
CONT

Un spectromètre de masse comprend quatre éléments essentiels : 1. un système de prélèvement et de transport de l'échantillon vers la source d'ions; 2. une source d'ions [...] 3. un analyseur qui, au moyen de combinaisons variées de champs électriques et magnétiques, sépare les espèces ioniques en faisceaux distincts qu'il filtre, selon le rapport m/e de leur masse à leur charge; 4. un détecteur [...]

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Óptica
  • Química analítica
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Fiche 3 2007-10-18

Anglais

Subject field(s)
  • Electronic Circuits Technology
  • Semiconductors (Electronics)
CONT

... MBE [molecular beam epitaxy] can grow semiconductors with large area and ultra-thin crystal layer with high uniformity and high-quality crystals, and with uniform doping profile necessary for an abrupt junction. Since the solar spectrum is broad by nature, the window effect for high-performance solar cells is also feasible by MBE using lattice-matched GaAlAs mixed crystals.

Français

Domaine(s)
  • Technologie des circuits électroniques
  • Semi-conducteurs (Électronique)
CONT

Le fonctionnement des dispositifs à semi-conducteur tels que les détecteurs et les modulateurs du rayonnement électromagnétique repose sur les phénomènes d'interaction entre les semi-conducteurs et le rayonnement électromagnétique. [...] Dans notre travail, on traite particulièrement les composés AlxGa1-xAs parmi les semi-conducteurs ternaires [...] Les avantages physiques proviennent de deux effets : l'effet fenêtre et l'effet du champ interne qui apparaît dans le semi-conducteur à bande interdite variable AlxGa1-xAs. La décroissance de la bande interdite du composé AlxGa1-xAs avec l'épaisseur permet une pénétration profonde du flux lumineux incident et l'absorption près de la jonction, met en évidence l'effet fenêtre. L'effet du champ interne provenant du gradient de la bande interdite est de réduire les pertes de recombinaisons en volume et en surface de l'échantillon. Le deuxième avantage a un aspect technologique.

Espagnol

Conserver la fiche 3

Fiche 4 1987-09-23

Anglais

Subject field(s)
  • Atomic Physics
DEF

A technique of growing single crystals in which beams of atoms or molecules are made to strike a single-crystalline substrate in a vacuum, giving rise to crystals whose crystallographic orientation is related to that of the substrate.

Français

Domaine(s)
  • Physique atomique
OBS

épitaxie : Dépôt de cristaux d'une espèce chimique sur des cristaux préexistants d'une autre espèce, dans une orientation relative constante.

OBS

faisceau moléculaire : Molécules ou atomes neutres se déplaçant dans le vide en un faisceau étroit, souvent à une vitesse thermique.

Espagnol

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