TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

When the p–n junction is reverse-biased, ... the junction barrier (and therefore resistance) becomes greater and charge flow is minimal.  3, fiche 1, Anglais, - reverse%2Dbiased

Record number: 1, Textual support number: 1 PHR

reverse-biased junction  4, fiche 1, Anglais, - reverse%2Dbiased

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 PHR

diode à polarisation inverse  3, fiche 1, Français, - polaris%C3%A9%20dans%20le%20sens%20inverse

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

A junction between P and N type semiconductor materials.  5, fiche 2, Anglais, - PN%20junction

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

PN junction : term and definition standardized by the International Electrotechnical Commission(IEC).  6, fiche 2, Anglais, - PN%20junction

Record number: 2, Textual support number: 2 OBS

PN junction; pn junction; p-n junction : terms officially approved by the Lexicon Project Committee(New Brunswick).  7, fiche 2, Anglais, - PN%20junction

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Jonction entre des matériaux semiconducteurs de type P et N.  4, fiche 2, Français, - jonction%20PN

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

jonction PN : terme et définition normalisés par la Commission électrotechnique internationale (CEI).  5, fiche 2, Français, - jonction%20PN

Record number: 2, Textual support number: 2 OBS

jonction PN; jonction p-n : termes uniformisés par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  6, fiche 2, Français, - jonction%20PN

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

An external voltage applied to a semiconductor pn [positive negative] junction to reduce the flow of current across the junction and thereby widen the depletion region.  4, fiche 3, Anglais, - reverse%20bias

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

It is the opposite of forward bias.  4, fiche 3, Anglais, - reverse%20bias

Record number: 3, Textual support number: 2 OBS

reverse bias; back bias: terms officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  5, fiche 3, Anglais, - reverse%20bias

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Tension appliquée à une jonction pn [positive négative] dans le sens qui entraîne son blocage.  4, fiche 3, Français, - polarisation%20inverse

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

La polarisation inverse donne naissance à un courant inverse de faible intensité qu'on peut qualifier de négligeable en comparaison à l'intensité du courant direct.  4, fiche 3, Français, - polarisation%20inverse

Record number: 3, Textual support number: 2 OBS

polarisation inverse; polarisation en sens inverse : termes uniformisés par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  5, fiche 3, Français, - polarisation%20inverse

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

The voltage required to cause electrical conduction in a junction of two dissimilar materials, such as a PN junction diode.  2, fiche 4, Anglais, - barrier%20voltage

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

barrier voltage: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, fiche 4, Anglais, - barrier%20voltage

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

tension seuil de conduction : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  2, fiche 4, Français, - tension%20seuil%20de%20conduction

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

A solar cell consisting of p and n silicon layers placed one above the other to form a pn junction at which radiant energy is converted into electricity.  3, fiche 5, Anglais, - silicon%20solar%20cell

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Photopile utilisant le silicium comme matériau semiconducteur.  2, fiche 5, Français, - photopile%20au%20silicium

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

Dans la photopile au silicium, du point de vue technologique, on réalise la jonction p-N en faisant diffuser du bore (impureté «acceptrice») dans une plaquette monocristalline de silicium dopée au phosphore (impureté «donatrice») de type N, de telle sorte qu'il se constitue sur l'une des faces une couche p de quelques microns d'épaisseur.  4, fiche 5, Français, - photopile%20au%20silicium

Record number: 5, Textual support number: 1 OBS

Photopile : Dispositif utilisant l'effet photovoltaïque, qui convertit directement en électricité une partie de l'énergie du rayonnement du soleil ou d'une autre source de lumière.  5, fiche 5, Français, - photopile%20au%20silicium

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

A process for a pn junction in which electrons move in each direction between the conduction band in the n-region and the valence band in the p-region.  2, fiche 6, Anglais, - tunnel%20effect

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

Quantitative Study of the Tunnel Effect in p-n Junctions ...  1, fiche 6, Anglais, - tunnel%20effect

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d'une jonction PN dans lequel les électrons se déplacent dans chaque direction entre la bande de conduction de la région N et la bande de valence de la région P.  2, fiche 6, Français, - effet%20tunnel

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

The inherent voltage across the depletion layer of a PN junction.  2, fiche 7, Anglais, - barrier%20potential

Fiche 7,  Justifications,  Français

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

Tension inhérente à la zone de déplétion d'une jonction PN.  2, fiche 7, Français, - potentiel%20de%20barri%C3%A8re

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol

Fiche 8,  Justifications,  Anglais

Record number: 8, Textual support number: 1 CONT

Then film cells, in which a semiconducting film is deposited on a substrate, include commercial cadmium sulfide cells, which actually have a pn junction between layers of cadmium sulfide and copper sulfide, and cells made of thin films of amorphous semiconductors  3, fiche 8, Anglais, - cadmium%20sulfide%20solar%20cell

Fiche 8,  Justifications,  Français

Record number: 8, Textual support number: 1 CONT

[...] on peut choisir une homojonction ou une hétérojonction qui fonctionne à la manière de la cellule solaire au sulfure de cadmium : la couche avant absorbe les photons incidents, génère des porteurs libres collectés par la deuxième couche de type opposé.  1, fiche 8, Français, - pile%20solaire%20au%20sulfure%20de%20cadmium

Record number: 8, Textual support number: 1 OBS

Le sulfure de cadmium se montre beaucoup plus efficace dans la conversion de l'énergie lumineuse en énergie électrique que le silicium des cellules solaires actuelles.  3, fiche 8, Français, - pile%20solaire%20au%20sulfure%20de%20cadmium

Fiche 8,  Justifications,  Espagnol

Fiche 9,  Justifications,  Anglais

Record number: 9, Textual support number: 1 CONT

A cell can have pn junctions on both the illuminated and most of the unilluminated side(n⁺ pn^+</sup> structure). Contacts are made to the p-type bulk from the back side through openings in the n⁺ layer. This is called the tandem junction cell.  1, fiche 9, Anglais, - tandem%20junction%20cell

Fiche 9,  Justifications,  Français

Record number: 9, Textual support number: 1 CONT

Pile à contact arrière interdigité (IBC : Interdigitated Back Contact Cell) et jonction tandem [...] Dans ces deux structures, la prise de contact et la jonction sont reportées sur la face arrière de la photopile [...] Dans la jonction tandem, la surface éclairée comporte une jonction réalisée sur une très faible épaisseur qui n'est en général pas reliée. La structure de cette cellule s'apparente à celle d'un transistor, la face avant N⁺ étant l'émetteur, le volume P la base, et la région arrière N⁺ le collecteur.  1, fiche 9, Français, - pile%20%C3%A0%20jonction%20tandem

Fiche 9,  Justifications,  Espagnol

Fiche 10,  Justifications,  Anglais

Record number: 10, Textual support number: 1 DEF

A pn junction diode, similar to the IMPATT diode, but characterized by the formation of a trapped space-charge plasma within the junction region; used in the generation and amplification of microwave power.  1, fiche 10, Anglais, - trapped%20plasma%20avalanche%20transit%20time%20diode

Fiche 10,  Justifications,  Français

Fiche 10,  Justifications,  Espagnol

Fiche 11,  Justifications,  Anglais

Record number: 11, Textual support number: 1 OBS

A varactor is a pn junction semiconductor diode designed for low loss at high frequencies.  1, fiche 11, Anglais, - varactor

Record number: 11, Textual support number: 2 OBS

Term(s) officialized by the Department of National Defence  2, fiche 11, Anglais, - varactor

Fiche 11,  Justifications,  Français

Record number: 11, Textual support number: 1 OBS

Diode de jonction pn à semi-conducteur, qui accuse peu de perte à haute fréquence.  1, fiche 11, Français, - varactor

Fiche 11,  Justifications,  Espagnol

Fiche 12,  Justifications,  Anglais

Record number: 12, Textual support number: 1 DEF

A two-terminal solid-state device that utilizes the voltage-variable capacitance of a pn junction.  1, fiche 12, Anglais, - varactor

Record number: 12, Textual support number: 1 OBS

In the normal semiconductor diode efforts are made to minimize inherent capacitance while in the varactor, this capacitance is emphasized. Since the capacitance varies with the applied voltage, it is possible to amplify, multiply, and switch with this device.  1, fiche 12, Anglais, - varactor

Fiche 12,  Justifications,  Français

Record number: 12, Textual support number: 1 CONT

La capacité de transition, susceptance parasite dans les jonctions PN courantes, est utilisée dans certaines jonctions comme élément réactif variable. Ces jonctions, appelées varactors ou encore diodes à capacité variable, travaillent normalement dans leur zone de polarisation inverse et présentent une capacité variable avec la tension inverse appliquée.  1, fiche 12, Français, - varactor

Fiche 12,  Justifications,  Espagnol