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METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR [1 fiche]

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Fiche 1 2011-06-07

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
DEF

An insulated-gate field-effect transistor (IGFET) in which the insulating layer between each gate electrode and the channel is native oxide material.

OBS

Transistors with nitride in the insulating layer are also called MOSFETs.

OBS

metal-oxide semiconductor field-effect transistor: term standardized by IEC.

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
DEF

Transistor à effet de champ à grille isolée dans lequel la couche isolante entre chaque électrode de grille et le canal est un oxyde.

OBS

Le terme s'applique aussi aux transistors dont la couche isolante contient du nitride.

OBS

transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur : terme normalisé par la CEI.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Semiconductores (Electrónica)
DEF

Semiconductor caracterizado por una impedancia de entrada extremadamente alta, una impedancia activa bastante alta, y velocidades de cambios bajos.

CONT

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de silicio. Cuando [está] en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta.

OBS

Al aplicarse un voltaje (negativo respecto al substrato) a una compuerta o acceso, este transistor se conducirá como un conductor, y al aplicarse una diferencia de potencial entre la fuente y la carga, habrá un flujo de corriente.

OBS

transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico: Los equivalentes que indican que MOS (metal-óxido-semiconductor) es un semiconductor no son precisos. En realidad, el semiconductor es una de las tres capas que componen esta estructura junto con el metal y el óxido.

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