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RATE-GROWN JUNCTION TRANSISTOR [1 fiche]

Fiche 1 2003-09-04

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
DEF

A junction transistor in which both impurities (such as gallium and antimony) are placed in the melt at the same time and the temperature is suddenly raised and lowered to produce the alternate p-type and n-type layers of rate-grown junctions.

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
OBS

Par variation périodique de la vitesse de croissance du cristal.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Semiconductores (Electrónica)
DEF

Variación del transistor doblemente contaminado, en que las impurezas de tipo N y de tipo P se agregan a la masa fundida.

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