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La banque de données terminologiques et linguistiques du gouvernement du Canada.

VAPOUR DEPOSITION [9 fiches]

Fiche 1 2016-02-02

Anglais

Subject field(s)
  • Plating of Metals
  • Surface Coating (Metals)
  • Coining

Français

Domaine(s)
  • Placage des métaux
  • Recouvrement des métaux
  • Monnayage

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Enchapado de metales
  • Revestimiento de metales
  • Acuñación de moneda
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Fiche 2 2016-02-02

Anglais

Subject field(s)
  • Plating of Metals
  • Surface Treatment of Metals
  • Steel
DEF

[A process] where material vaporized from a solid or liquid source is transported as a vapor through a vacuum or low-pressure gaseous or plasma environment.

OBS

The vaporized material may be an element, alloy or compound.

Français

Domaine(s)
  • Placage des métaux
  • Traitements de surface des métaux
  • Acier

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Enchapado de metales
  • Tratamiento de superficie de los metales
  • Acero
DEF

Deposición de metales en fase vapor obtenidos en vacío mediante arco eléctrico y plasma con gases reactivos.

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Fiche 3 2008-11-25

Anglais

Subject field(s)
  • Electrical Engineering
DEF

A process for obtaining thin films on substrates (vacuum deposition) by vaporizing materials to be deposited under vacuum.

OBS

When depositing metals, vacuum evaporation is sometimes called vacuum metallization.

Terme(s)-clé(s)
  • vapour phase deposition

Français

Domaine(s)
  • Électrotechnique
DEF

Technique de dépôt de couches minces qui procède par condensation de la vapeur du matériau à déposer sur le substrat à recouvrir.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Electrotecnia
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Fiche 4 2008-11-25

Anglais

Subject field(s)
  • Electrical Engineering
OBS

Chemical vapor deposition (CVD) deposits atoms or molecules by reducing the decomposition of a chemical-vapor precursor species that contains the material to be deposited. The reduction is normally accomplished using hydrogen at an elevated temperature. Decomposition is accomplished by thermal activation. The use of a plasma allows the reduction or decomposition to be done at a lower temperature than using temperature alone.

Terme(s)-clé(s)
  • plasma-enhanced chemical vapour deposition

Français

Domaine(s)
  • Électrotechnique
DEF

Technique de dépôt chimique de couches minces en présence d'un gaz partiellement ionisé, appelé plasma.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Electrotecnia
CONT

La deposición de películas delgadas de materiales dieléctricos para separar eléctricamente partes de los dispositivos electrónicos a realizar es inevitable en la mayor parte de los casos. Una de las técnicas mejor establecidas para ello es la deposición en fase vapor asistida por plasma [...], que permite obtener dieléctricos con baja porosidad y uniformes en tallas laterales de sustrato grandes, conformes con la topología del sustrato, y con velocidades de depósito altas.

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Fiche 5 2008-11-25

Anglais

Subject field(s)
  • Electrical Engineering
DEF

The process of applying a thin film to a substrate using chemically reactive gasses controlled by temperature and/or formation of a plasma.

Français

Domaine(s)
  • Électrotechnique
DEF

Méthode de préparation de couches minces par dépôt en phase vapeur formé par réaction chimique à partir d'un milieu gazeux de composition différente.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Electrotecnia
OBS

Aplicable a aceros de alta y media aleación y a aceros rápidos.

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Fiche 6 2008-08-28

Anglais

Subject field(s)
  • Electrical Engineering
CONT

CVD [chemical vapor deposition] processes have numerous other names, such as ... low-pressure CVD when the pressure is less than ambient ...

Terme(s)-clé(s)
  • low pressure chemical vapour deposition

Français

Domaine(s)
  • Électrotechnique
DEF

Technique de dépôt de couches minces sur un substrat, dans laquelle les réactions chimiques ont lieu dans une enceinte à faible pression reliée à une pompe à vide.

Espagnol

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Fiche 7 2008-08-20

Anglais

Subject field(s)
  • Electrical Engineering
CONT

CVD [chemical vapor deposition] processes have numerous other names, such as ... metalorganic CVD when a plasma is used to induce or enhance decomposition and reaction ...

Terme(s)-clé(s)
  • metalorganic chemical vapor deposition
  • organometallic chemical vapor deposition
  • metalorganic chemical vapour deposition
  • metal-organic chemical vapour deposition

Français

Domaine(s)
  • Électrotechnique

Espagnol

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Fiche 8 2000-08-01

Anglais

Subject field(s)
  • Industrial Techniques and Processes
  • Optical Telecommunications
CONT

The MCVD process was developed mainly at Bell Laboratories and it is now the most widely used production technology for making preforms.

PHR

Pressurized MCVD method.

Français

Domaine(s)
  • Techniques industrielles
  • Télécommunications optiques

Espagnol

Conserver la fiche 8

Fiche 9 1982-06-22

Anglais

Subject field(s)
  • Aeroindustry
CONT

Hughes Aircraft is under contract to the US Air Force to demonstrate for use in manufacturing a new process that coats microelectronic devices with a silicon nitride insulating film, offering several key advantages over previous insulating techniques. Microcircuits are prepared for a reactor chamber designed for the photo-chemical vapour deposition (Photo-CVD) process. Developed by Hughes with company funds, Photo-CVD offers the potential of eliminating wire bond corrosion, device degradation due to leaky standard metal or ceramic hermetic packages, and failure due to loose conductive particles. According to the company, it is not destructive because it does not generate the ionized particles and broadband electromatic radiation encountered in Plasma-CVD and physical sputtering processes.

Terme(s)-clé(s)
  • photochemical vapor deposition
  • photochemical vapour deposition process
  • photo-CVD process

Français

Domaine(s)
  • Constructions aéronautiques
CONT

(...) la société Hughes Aircraft effectue des travaux visant à démontrer la possibilité d'utiliser, pour la fabrication en série des microcircuits, le procédé de déposition de vapeur photochimique appelé Photo-CVD (photochemical vapour deposition). (...) ce procédé consiste à déposer un film isolant de nitrure de silicium, lequel évite la corrosion aux points de soudure des fils, les dégradations imputables à un manque d'étanchéité des boîtiers et les pannes pouvant être provoquées par des particules conductrices détachées. Le film ne provoque lui-même aucune détérioration, étant donné qu'il ne produit ni particules ionisées ni rayonnement électromagnétique à large bande comme c'est le cas avec le procédé Plasma-CVD et les méthodes classiques de pulvérisation.

Espagnol

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