TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

[A] sensitive electronic device based on the Coulomb blockade effect.  5, fiche 1, Anglais, - single%2Delectron%20transistor

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Such a rapid variation in conductance makes the single-electron transistor an ideal device for high-precision electrometry. In this type of application the SET has two gate electrodes, and the bias voltage is kept close to the Coulomb blockade voltage to enhance the sensitivity of the current to changes in the gate voltage.  6, fiche 1, Anglais, - single%2Delectron%20transistor

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

[Dispositif] électronique basé sur l’effet de blocage de Coulomb.  4, fiche 1, Français, - transistor%20%C3%A0%20un%20%C3%A9lectron

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Les caractéristiques de faible tension de polarisation d’un transistor à un électron doté d’un îlot Nb [niobium] et de fils en Al [aluminium] correspondaient à des transitions résonantes entre des états quantiques, déterminés par la charge transférée par le biais du circuit.  5, fiche 1, Français, - transistor%20%C3%A0%20un%20%C3%A9lectron

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

The transistor bias corresponds to the voltage or current that is applied to a transistor to ensure that it operates in the desired manner.  2, fiche 2, Anglais, - transistor%20bias

Record number: 2, Textual support number: 2 OBS

transistor bias: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, fiche 2, Anglais, - transistor%20bias

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

La polarisation de transistor correspond à la tension ou au courant que l'on applique à un transistor pour s’assurer qu'il se comporte de la manière voulue.  3, fiche 2, Français, - polarisation%20de%20transistor

Record number: 2, Textual support number: 2 OBS

polarisation du transistor : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques(Nouveau-Brunswick).  4, fiche 2, Français, - polarisation%20de%20transistor

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

Transistor biasing consists in setting the voltage or current values that are required by a transistor to operate in the desired manner.  2, fiche 3, Anglais, - transistor%20biasing

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

La polarisation de transistor consiste à établir les valeurs de tension ou de courant dont un transistor a besoin pour se comporter de la manière voulue.  2, fiche 3, Français, - polarisation%20de%20transistor

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

The magnetic tunnel transistor (MTT) is [a] type of hot-electron transistor. The main difference with the [spin-valve transistor] is the use of a tunnel barrier as [an] injector for hot electrons.  2, fiche 4, Anglais, - magnetic%20tunnel%20transistor

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Une autre approche [est] le transistor magnétique à effet tunnel [...] Contrairement à l'exemple à vanne de spin [...], la polarisation en spin est assurée par une jonction tunnel, qui permet [...] d’injecter les électrons chauds dans la base à une énergie au-dessus du niveau de Fermi. Cette énergie est contrôlable par la différence de potentiel entre la base et l'émetteur [...]  1, fiche 4, Français, - transistor%20magn%C3%A9tique%20%C3%A0%20effet%20tunnel

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

In [a] spin valve transistor (SVT)[,] electrons are injected in [a] metallic base across a Schottky barrier [(emitter side),] pass through the spin valve and reach the opposite side [(collector side)] of [the] transistor.  3, fiche 5, Anglais, - spin%2Dvalve%20transistor

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

Le transistor magnétique à vanne de spin [...] : on retrouve l'architecture à deux barrières Schottky[, ] l'une pour l'injection des électrons chauds dans la vanne de spin, l'autre pour la collecte et la sélection en énergie des électrons. La polarisation en spin, ainsi que la détection, sont assurées par des couches ferromagnétiques, grâce à la magnétorésistance géante.  3, fiche 5, Français, - transistor%20%C3%A0%20vanne%20de%20spin

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

the no-signal values of i 'in', e'in', and e'in' are called quiescent values [. The point defined by I]b, E/b, and E/c is called the quiescent point ... also operating point LOWEL 67 133  2, fiche 6, Anglais, - working%20point

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

l'étude des caractéristiques est très importante : elle permet de déterminer les régions amplificatrices du transistor et de choisir un point de polarisation ou point de fonctionnement convenable.  1, fiche 6, Français, - point%20de%20polarisation

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol