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Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

The planar detector consists of a crystal of either rectangular or circular cross section and a sensitive thickness of 1-20 mm ... The electric field is perpendicular to the cross-sectional area of the crystal. The crystal thickness is selected on the basis of the gamma-ray energy region relevant to the application of interest, with the small thicknesses optimum for low-energy measurements (for example in the L-x-ray region for special nuclear material). Planar detectors usually achieve the best energy resolution, because of their low capacitance; they are preferred for detailed spectroscopy, such as the analysis of the complex low-energy gamma-ray and x-ray spectra of uranium and plutonium.  1, fiche 1, Anglais, - planar%20detector

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

Solid-state detectors are produced mainly in two configurations: planar and coaxial. These terms refer to the detector crystal shape and the manner in which it is wired into the detector circuit.  1, fiche 1, Anglais, - planar%20detector

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

Détecteurs réalisés selon la technique d’implantation ionique «planaire». La technologie de fabrication des détecteurs [au] silicium a beaucoup évolué au cours du dernier demi-siècle grâce aux progrès de la microélectronique. Aujourd’hui, on utilise le procédé d’implantation passivée planaire(ou Implantation Planar Process) qui a complètement supplanté les techniques de fabrication des détecteurs à barrière de surface ou à jonction diffusée. La technique actuelle basée sur l'utilisation d’implanteurs(accélérateurs d’ions de faible énergie), permet de réaliser des jonctions abruptes et minces grâce à un contrôle très précis de la position en profondeur des dopants(B pour type P et As pour type N) à l'intérieur d’un substrat de Si(réduction de la zone morte du dispositif) de haute résistivité(de type N–). Celui-ci est recouvert d’une couche mince de passivation(SiO₂) afin de minimiser les courants de fuite de surface. Un traitement chimique par photolithographie permet de définir la géométrie finale du détecteur.  2, fiche 1, Français, - d%C3%A9tecteur%20planaire

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

A low-energy ion accelerator process used to build a planar device such as a detector.  4, fiche 2, Anglais, - planar%20ion%2Dimplantation%20technique

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Détecteurs réalisés selon la technique d’implantation ionique «planaire». La technologie de fabrication des détecteurs silicium a beaucoup évolué au cours du dernier demi-siècle grâce aux progrès de la microélectronique. Aujourd’hui, on utilise le procédé d’implantation passivée planaire […] qui a complètement supplanté les techniques de fabrication des détecteurs à barrière de surface ou à jonction diffusée. La technique actuelle basée sur l'utilisation d’implanteurs(accélérateurs d’ions de faible énergie), permet de réaliser des jonctions abruptes et minces grâce à un contrôle très précis de la position en profondeur des dopants(B pour type P et As pour type N) à l'intérieur d’un substrat de Si(réduction de la zone morte du dispositif) de haute résistivité(de type N–). Celui-ci est recouvert d’une couche mince de passivation(SiO₂) afin de minimiser les courants de fuite de surface. Un traitement chimique par photolithographie permet de définir la géométrie finale du détecteur.  1, fiche 2, Français, - proc%C3%A9d%C3%A9%20d%26rsquo%3Bimplantation%20passiv%C3%A9e%20planaire

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol