TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

[A] sensitive electronic device based on the Coulomb blockade effect.  5, fiche 1, Anglais, - single%2Delectron%20transistor

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Such a rapid variation in conductance makes the single-electron transistor an ideal device for high-precision electrometry. In this type of application the SET has two gate electrodes, and the bias voltage is kept close to the Coulomb blockade voltage to enhance the sensitivity of the current to changes in the gate voltage.  6, fiche 1, Anglais, - single%2Delectron%20transistor

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

[Dispositif] électronique basé sur l’effet de blocage de Coulomb.  4, fiche 1, Français, - transistor%20%C3%A0%20un%20%C3%A9lectron

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Les caractéristiques de faible tension de polarisation d’un transistor à un électron doté d’un îlot Nb [niobium] et de fils en Al [aluminium] correspondaient à des transitions résonantes entre des états quantiques, déterminés par la charge transférée par le biais du circuit.  5, fiche 1, Français, - transistor%20%C3%A0%20un%20%C3%A9lectron

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

A FET (field-effect transistor) transistor is operating in depletion mode when the gate voltage repels the carrier charges.  2, fiche 2, Anglais, - depletion%20mode

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

depletion mode: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, fiche 2, Anglais, - depletion%20mode

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d’un transistor à effet de champ normalement conducteur, c'est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour réduire ou annuler le courant de la source au drain par appauvrissement du canal en porteurs de charge.  5, fiche 2, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d’appauvrissement [et] régime d’enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d’appauvrissement lorsqu’une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d’enrichissement lorsque c’est une tension positive qui y est appliquée. Les D-MOSFETS sont, en général, utilisés en régime d’appauvrissement.  6, fiche 2, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

mode de déplétion : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  7, fiche 2, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de silicio. Cuando [está] en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta.  1, fiche 2, Espagnol, - modo%20de%20empobrecimiento

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

MOS: metal-oxide semiconductor.  2, fiche 3, Anglais, - floating%2Dgate%20MOS%20transistor

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

La structure de point mémoire, la plus simple, est celle représentée [à la] figure 7. C'est essentiellement un transistor MOS à grille flottante, dans lequel on charge cette grille, par injection d’électrons à partir de la jonction P plus N portée au claquage [...]  1, fiche 3, Français, - transistor%20MOS%20%C3%A0%20grille%20flottante

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

MOS : métal-oxyde-semiconducteur.  2, fiche 3, Français, - transistor%20MOS%20%C3%A0%20grille%20flottante

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

MOS: metal-oxide semiconductor.  2, fiche 4, Anglais, - floating%2Dgate%20avalanche%2Dinjection%20MOS%20transistor

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

Transistor MOS [métal-oxyde-semiconducteur] comportant une grille «flottante», c'est-à-dire isolée de tout conducteur, chargée électriquement par effet d’avalanche et gardant sa charge jusqu'à ce qu'elle soit exposée à des rayons ultraviolets permettant aux électrons piégés de s’écouler à travers la couche isolante qui l'entoure pour retourner au substrat.  1, fiche 4, Français, - transistor%20FAMOS

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

FAMOS: metal óxido semiconductor de inyección de avalancha de puerta flotante.  2, fiche 4, Espagnol, - transistor%20FAMOS

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

A battery charge regulator where the charging current is controlled by a switch, transistor, or field-effect transistor connected in series with the device providing the charge, such as a solar module.  1, fiche 5, Anglais, - series%20regulator

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Régulateur de charge de batterie dont le courant de charge est contrôlé par un commutateur, un transistor ou un transistor à effet de champ brahnchés en série avec un dispositif dispensateur de la charge, tel qu'un module solaire.  2, fiche 5, Français, - rh%C3%A9ostat%20en%20s%C3%A9rie

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Region of a bipolar transistor into which charge carriers flow from the base region, having previously been emitted from the emitter region.  3, fiche 6, Anglais, - collector

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

a transistor has three terminals: the emitter, base, and collector.  4, fiche 6, Anglais, - collector

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Dans un transistor bipolaire, région semiconductrice vers laquelle se dirigent les porteurs de charge en provenance de la base et de l'émetteur. Par extension, l'électrode connectée à cette région est également appelée «collecteur».  2, fiche 6, Français, - collecteur

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

Les transistors comportent 3 électrodes nommées : émetteur, base et collecteur.  3, fiche 6, Français, - collecteur

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Fiche 7,  Justifications,  Français

Record number: 7, Textual support number: 1 OBS

canal de transistor à effet de champ formé dans le substrat sous une mince couche de semiconducteur de type opposé à celui du substrat, ce qui repousse le canal légèrement au-dessous de la surface du substrat et évite ainsi les pertes de porteurs de charge par recombinaison en surface.  2, fiche 7, Français, - canal%20enterr%C3%A9

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol