TERMIUM Plus®
La banque de données terminologiques et linguistiques du gouvernement du Canada.
TRANSISTOR COUCHE MINCE [4 fiches]
Fiche 1 - données d’organisme interne 2001-12-13
Fiche 1, Anglais
Fiche 1, Subject field(s)
- Semiconductors (Electronics)
Fiche 1, La vedette principale, Anglais
- metal-semi-conductor-field-effect-transistor
1, fiche 1, Anglais, metal%2Dsemi%2Dconductor%2Dfield%2Deffect%2Dtransistor
correct
Fiche 1, Les abréviations, Anglais
Fiche 1, Les synonymes, Anglais
- MESFET 2, fiche 1, Anglais, MESFET
correct
Fiche 1, Justifications, Anglais
Record number: 1, Textual support number: 1 DEF
A field effect transistor whose gate structure consists of a metallic Schottky barrier. 2, fiche 1, Anglais, - metal%2Dsemi%2Dconductor%2Dfield%2Deffect%2Dtransistor
Fiche 1, Terme(s)-clé(s)
- Metallic Schottky FET
Fiche 1, Français
Fiche 1, Domaine(s)
- Semi-conducteurs (Électronique)
Fiche 1, La vedette principale, Français
- transistor à effet de champ métal-semiconducteur
1, fiche 1, Français, transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Dsemiconducteur
correct, nom masculin
Fiche 1, Les abréviations, Français
- MESFET 1, fiche 1, Français, MESFET
correct, nom masculin
Fiche 1, Les synonymes, Français
Fiche 1, Justifications, Français
Record number: 1, Textual support number: 1 DEF
Transistor à effet de champ dont l'électrode de commande est une barrière de Schottky réalisée par dépôt d’une couche de métal directement sur la surface d’un mince film d’arséniure de gallium. 1, fiche 1, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Dsemiconducteur
Fiche 1, Espagnol
Fiche 1, Justifications, Espagnol
Fiche 2 - données d’organisme interne 1992-10-28
Fiche 2, Anglais
Fiche 2, Subject field(s)
- Semiconductors (Electronics)
Fiche 2, La vedette principale, Anglais
- gate oxide 1, fiche 2, Anglais, gate%20oxide
Fiche 2, Les abréviations, Anglais
Fiche 2, Les synonymes, Anglais
- thin oxide 1, fiche 2, Anglais, thin%20oxide
- thinox 1, fiche 2, Anglais, thinox
Fiche 2, Justifications, Anglais
Fiche 2, Français
Fiche 2, Domaine(s)
- Semi-conducteurs (Électronique)
Fiche 2, La vedette principale, Français
- oxyde de grille
1, fiche 2, Français, oxyde%20de%20grille
nom masculin
Fiche 2, Les abréviations, Français
Fiche 2, Les synonymes, Français
- oxyde fin 1, fiche 2, Français, oxyde%20fin
nom masculin
Fiche 2, Justifications, Français
Record number: 2, Textual support number: 1 DEF
Dans le procédé MOS, mince couche de dioxyde de silicium déposée sur la région correspondant à la grille du transistor. 1, fiche 2, Français, - oxyde%20de%20grille
Fiche 2, Espagnol
Fiche 2, Justifications, Espagnol
Fiche 3 - données d’organisme interne 1992-06-29
Fiche 3, Anglais
Fiche 3, Subject field(s)
- Control Systems (Electronic Instrumentation)
Fiche 3, La vedette principale, Anglais
- tunnel effect superconducting transistor
1, fiche 3, Anglais, tunnel%20effect%20superconducting%20transistor
proposition
Fiche 3, Les abréviations, Anglais
Fiche 3, Les synonymes, Anglais
- tunnel effect superconductive transistor 1, fiche 3, Anglais, tunnel%20effect%20superconductive%20transistor
proposition
Fiche 3, Justifications, Anglais
Fiche 3, Français
Fiche 3, Domaine(s)
- Systèmes cybernétiques de contrôle et de commande
Fiche 3, La vedette principale, Français
- transistor supraconducteur à effet tunnel
1, fiche 3, Français, transistor%20supraconducteur%20%C3%A0%20effet%20tunnel
correct, nom masculin
Fiche 3, Les abréviations, Français
Fiche 3, Les synonymes, Français
Fiche 3, Justifications, Français
Record number: 3, Textual support number: 1 CONT
Le groupe japonais Sanyo Electric vient d’annoncer la mise au point de ce qu'il considère comme le premier transistor supraconducteur à effet tunnel du monde; réalisé au moyen d’une faible couche de Ba-K-Bi-O, de l'épaisseur d’un seul cristal, déposée sur un substrat d’oxyde semi-conducteur, également très mince, ce nouveau composant serait en mesure d’offrir une vitesse de commutation dix fois plus grande que celle des semi-conducteurs bipolaires, en n’ utilisant qu'à peine un centième du courant d’alimentation de ceux-ci. 1, fiche 3, Français, - transistor%20supraconducteur%20%C3%A0%20effet%20tunnel
Fiche 3, Espagnol
Fiche 3, Justifications, Espagnol
Fiche 4 - données d’organisme interne 1992-04-10
Fiche 4, Anglais
Fiche 4, Subject field(s)
- Telecommunications
- Electrical Engineering
- Semiconductors (Electronics)
Fiche 4, La vedette principale, Anglais
- buried channel 1, fiche 4, Anglais, buried%20channel
Fiche 4, Les abréviations, Anglais
Fiche 4, Les synonymes, Anglais
Fiche 4, Justifications, Anglais
Fiche 4, Français
Fiche 4, Domaine(s)
- Télécommunications
- Électrotechnique
- Semi-conducteurs (Électronique)
Fiche 4, La vedette principale, Français
- canal enterré 1, fiche 4, Français, canal%20enterr%C3%A9
Fiche 4, Les abréviations, Français
Fiche 4, Les synonymes, Français
Fiche 4, Justifications, Français
Record number: 4, Textual support number: 1 OBS
canal de transistor à effet de champ formé dans le substrat sous une mince couche de semiconducteur de type opposé à celui du substrat, ce qui repousse le canal légèrement au-dessous de la surface du substrat et évite ainsi les pertes de porteurs de charge par recombinaison en surface. 2, fiche 4, Français, - canal%20enterr%C3%A9
Fiche 4, Espagnol
Fiche 4, Justifications, Espagnol
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