TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

A voltage-controlled semiconductor which has a high input impedance comparable to that of a vacuum tube.  4, fiche 1, Anglais, - field%20effect%20transistor

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Field effect transistors are used to replace vacuum tubes in equipment for improved reliability.  4, fiche 1, Anglais, - field%20effect%20transistor

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

field-effect transistor; FET: term and abbreviation term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  5, fiche 1, Anglais, - field%20effect%20transistor

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

Dispositif à semi-conducteurs commandé par la tension et présentant une impédance d’entrée très élevée, analogue à celle d’un tube à vide.  2, fiche 1, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

Remplace le tube à vide dans certains équipements étant donné sa performance et une sûreté de fonctionnement plus grande.  2, fiche 1, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ

Record number: 1, Textual support number: 2 OBS

transistor à effet de champ : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques(Nouveau-Brunswick).  3, fiche 1, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

Dispositivo semiconductor, de tres terminales, que actúa como elemento de almacenamiento de carga variable.  1, fiche 1, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

A FET (field-effect transistor) transistor is operating in depletion mode when the gate voltage repels the carrier charges.  2, fiche 2, Anglais, - depletion%20mode

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

depletion mode: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, fiche 2, Anglais, - depletion%20mode

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d’un transistor à effet de champ normalement conducteur, c'est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour réduire ou annuler le courant de la source au drain par appauvrissement du canal en porteurs de charge.  5, fiche 2, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d’appauvrissement [et] régime d’enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d’appauvrissement lorsqu’une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d’enrichissement lorsque c’est une tension positive qui y est appliquée. Les D-MOSFETS sont, en général, utilisés en régime d’appauvrissement.  6, fiche 2, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

mode de déplétion : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  7, fiche 2, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de silicio. Cuando [está] en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta.  1, fiche 2, Espagnol, - modo%20de%20empobrecimiento

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

The input (control) electrode of a field-effect transistor [FET]  1, fiche 3, Anglais, - gate

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

it is analogous to the base of a [conventional] transistor or the grid of a vacuum tube.  2, fiche 3, Anglais, - gate

Record number: 3, Textual support number: 2 DEF

Symbol for gate.  1, fiche 3, Anglais, - gate

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Elément de commande d’un transistor à effet de champ(T. E. C.).  4, fiche 3, Français, - grille

Record number: 3, Textual support number: 2 DEF

Symbole indiquant la grille d’un T.E.C. dans les schémas.  4, fiche 3, Français, - grille

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Scientists create nanonose with [the] aim of sniffing out sickly cells. A team of scientists from the University of Massachusetts Amherst have created a kind of molecular nose that uses nanoparticle-based sensors to sniff out and identify proteins. The sensors, which can be trained to detect a wide variety of proteins, could eventually serve as a tool for diagnosing diseases like cancer by sniffing out the proteins made by sickly cells.  1, fiche 4, Anglais, - nanonose

Record number: 4, Textual support number: 1 PHR

Thermoelectric nanonose.  3, fiche 4, Anglais, - nanonose

Record number: 4, Textual support number: 2 PHR

Chemical nose approach, sensor.  3, fiche 4, Anglais, - nanonose

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

[...] un nano-nez hypersensible aux molécules biologiques. Ce genre de senseur pourrait, par exemple, servir à l’identification précoce d’un infarctus du myocarde : il pourrait détecter rapidement d’infimes quantités de la substance que le corps humain libère à cette occasion, même si celle-ci se distingue à peine des autres substances que sécrète l’organisme. Le nano-nez ressemble à un peigne, mais en cent fois plus petit. Ses dents sont recouvertes de fragments d’anticorps qui lui permettent de détecter des molécules biologiques. [...] Les petites dents du nano-nez se courbent lorsque les fragments d’anticorps qui les recouvrent entrent en interaction moléculaire avec les substances à détecter. Comme ce mouvement est d’à peine quelques millionièmes de millimètre (nanomètres), on le mesure au rayon laser. Outre sa grande sensibilité, le nano-nez couvert d’anticorps a un autre avantage : la substance à détecter n’a plus besoin d’être signalée par un marqueur chimique.  3, fiche 4, Français, - nano%2Dnez

Record number: 4, Textual support number: 2 CONT

Un nano-nez à base de nanotube de carbone et d’ADN [acide désoxyribonucléique] : capteur haute précision. Des chercheurs de l'Université de Pennsylvanie viennent de créer un type de capteur à l'échelle nanométrique capable de détecter des substances aussi bien dans l'air que dans l'eau, pouvant même auto régénérer sa surface active après utilisation. Le dispositif, déjà à l'appellation de «nano-bouche» et de «nano-nez», se compose d’un transistor à effet de champ sous la forme d’un nanotube de carbone recouvert de brins d’ADN.  2, fiche 4, Français, - nano%2Dnez

Record number: 4, Textual support number: 1 PHR

Nano-nez à hydrogène.  4, fiche 4, Français, - nano%2Dnez

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

La nanonariz, instrumento clave en la detención del cáncer de próstata. En el Parque Científico de Barcelona un nueva nariz artificial ha sido desarrollada [...] La nanotecnología ha hecho posible la inclusión de elementos químicos sensoriales en electrodos que pueden detectar el "olor" de las moléculas cancerígenas.  1, fiche 4, Espagnol, - nanonariz

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Phototransistor dont la structure est similaire à un transistor à effet de champ et qui sert à l'ajustement de la sensibilité du photodétecteur en fonction de l'éclairement énergétique.  3, fiche 5, Français, - phototransistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ

Record number: 5, Textual support number: 1 OBS

Comme exemple de phototransistors, on peut mentionner le phototransistor à effet de champ et le phototransistor Darlington.  1, fiche 5, Français, - phototransistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

Contrast enhancement FET and depletion FET.  1, fiche 6, Anglais, - junction%2Dgate%20field%20effect%20transistor

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ dont plusieurs régions de grille forment une ou plusieurs jonctions PN avec le canal.  2, fiche 6, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20jonction%20de%20grille

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Fiche 7,  Justifications,  Français

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ qui comprend un canal conducteur de type P.  2, fiche 7, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20canal%20P

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol

Fiche 8,  Justifications,  Anglais

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

An insulated-gate field-effect transistor (IGFET) in which the insulating layer between each gate electrode and the channel is native oxide material.  4, fiche 8, Anglais, - metal%2Doxide%20semiconductor%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 8, Textual support number: 1 OBS

Transistors with nitride in the insulating layer are also called MOSFETs.  4, fiche 8, Anglais, - metal%2Doxide%20semiconductor%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 8, Textual support number: 2 OBS

metal-oxide semiconductor field-effect transistor: term standardized by IEC.  4, fiche 8, Anglais, - metal%2Doxide%20semiconductor%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 8,  Justifications,  Français

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ à grille isolée dans lequel la couche isolante entre chaque électrode de grille et le canal est un oxyde.  1, fiche 8, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Doxyde%20semiconducteur

Record number: 8, Textual support number: 1 OBS

Le terme s’applique aussi aux transistors dont la couche isolante contient du nitride.  1, fiche 8, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Doxyde%20semiconducteur

Record number: 8, Textual support number: 2 OBS

transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur : terme normalisé par la CEI.  1, fiche 8, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Doxyde%20semiconducteur

Fiche 8,  Justifications,  Espagnol

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

Semiconductor caracterizado por una impedancia de entrada extremadamente alta, una impedancia activa bastante alta, y velocidades de cambios bajos.  3, fiche 8, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo%20MOS

Record number: 8, Textual support number: 1 CONT

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de silicio. Cuando [está] en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta.  4, fiche 8, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo%20MOS

Record number: 8, Textual support number: 1 OBS

Al aplicarse un voltaje (negativo respecto al substrato) a una compuerta o acceso, este transistor se conducirá como un conductor, y al aplicarse una diferencia de potencial entre la fuente y la carga, habrá un flujo de corriente.  3, fiche 8, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo%20MOS

Record number: 8, Textual support number: 2 OBS

transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico: Los equivalentes que indican que MOS (metal-óxido-semiconductor) es un semiconductor no son precisos. En realidad, el semiconductor es una de las tres capas que componen esta estructura junto con el metal y el óxido.  5, fiche 8, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo%20MOS

Fiche 9,  Justifications,  Anglais

Record number: 9, Textual support number: 1 DEF

Region of the working-current terminal (at one end of the channel in a FET) that is the drain for holes or free electrons from the channel, and that corresponds to the collector of a bipolar transistor.  1, fiche 9, Anglais, - drain%20region

Fiche 9,  Justifications,  Français

Record number: 9, Textual support number: 1 DEF

Région vers laquelle les porteurs majoritaires circulent en provenance du canal d’un transistor à effet de champ.  1, fiche 9, Français, - r%C3%A9gion%20de%20drain

Fiche 9,  Justifications,  Espagnol

Fiche 10,  Justifications,  Anglais

Record number: 10, Textual support number: 1 DEF

A FET [field-effect transistor] which exhibits substantial device current (IDSS) with zero gate-to-source bias.  3, fiche 10, Anglais, - depletion%2Dmode%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 10,  Justifications,  Français

Record number: 10, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ dont le canal a une conductance qui peut être augmentée ou diminuée suivant la polarité de la tension grille source.  3, fiche 10, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Fiche 10,  Justifications,  Espagnol

Fiche 11,  Justifications,  Anglais

Record number: 11, Textual support number: 1 DEF

Region of one of the electrodes of a field-effect transistor; it is analogous to the base of a transistor or the grid of a vacuum tube. Symbol: G.  1, fiche 11, Anglais, - gate%20region

Fiche 11,  Justifications,  Français

Record number: 11, Textual support number: 1 DEF

Région dans laquelle s’exerce l'effet du champ électrique dû à la tension de grille de commande d’un transistor à effet de champ.  1, fiche 11, Français, - r%C3%A9gion%20de%20grille

Fiche 11,  Justifications,  Espagnol

Fiche 12,  Justifications,  Anglais

Record number: 12, Textual support number: 1 DEF

A FET [field-effect transistor] in which no device current flows (leakage only) when [gate-to-source voltage] is zero volts.  2, fiche 12, Anglais, - enhancement%2Dmode%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 12, Textual support number: 1 OBS

Conduction does not begin until [gate-to-source voltage] reaches the threshold voltage.  2, fiche 12, Anglais, - enhancement%2Dmode%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 12,  Justifications,  Français

Record number: 12, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ ayant une conductance sensiblement nulle pour une tension grille-source nulle et dont le canal peut être rendu conducteur par l'application d’une tension grille-source de polarité appropriée.  2, fiche 12, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20enrichissement

Fiche 12,  Justifications,  Espagnol

Fiche 13,  Justifications,  Anglais

Record number: 13, Textual support number: 1 DEF

[The] operation of an active device which is biased almost to output-current cut-off so that current flows only during one half of each cycle of sinusoidal input signal, i.e. the angle of flow is 180°.  3, fiche 13, Anglais, - class%2DB%20operation

Record number: 13, Textual support number: 1 OBS

[The class-B] mode of operation ... is very efficient because the mean current of the active device is directly proportional to the signal amplitude and is almost zero for zero input signal. The output signal is ... a reproduction of only one half of each cycle of input signal but linear amplification is possible by using two class-B stages in push-pull operation and most of the output stages in transistor amplifiers and receivers are of this type.  3, fiche 13, Anglais, - class%2DB%20operation

Record number: 13, Textual support number: 2 OBS

The theoretical efficiency of a class-B stage (measured by the ratio of the output power to the power taken from the supply) is 78% and efficiencies approaching this value can be obtained in practice.  3, fiche 13, Anglais, - class%2DB%20operation

Fiche 13,  Justifications,  Français

Record number: 13, Textual support number: 1 CONT

L'amplification d’un signal à enveloppe variable par un TEC [transistor à effet de champ] fonctionnant en classe A résultent de faibles performances en rendement. Le fonctionnement en classe B permet une forte amélioration du rendement mais au détriment d’une réduction du gain en puissance. La classe A permet de conserver le gain de la classe A en permettant d’atteindre un niveau de rendement pratiquement égal à celui obtenu en classe B.  2, fiche 13, Français, - fonctionnement%20en%20classe%20B

Fiche 13,  Justifications,  Espagnol

Fiche 14,  Justifications,  Anglais

Record number: 14, Textual support number: 1 CONT

A MOSFET transistor is operating in enhancement mode when the gate voltage attracts the carrier charges, although no current flows through the gate because it is insulated from the carrier channel.  2, fiche 14, Anglais, - enhancement%20mode

Fiche 14,  Justifications,  Français

Record number: 14, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d’un transistor à effet de champ, notamment d’un MOS [métal-oxyde-semiconducteur], normalement bloqué, c'est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour faire passer un courant plus ou moins intense de la source au drain par enrichissement de la zone du canal en porteurs minoritaires pour créer le canal.  3, fiche 14, Français, - mode%20d%27enrichissement

Record number: 14, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d’appauvrissement [et] régime d’enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d’appauvrissement lorsqu’une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d’enrichissement lorsque c’est une tension positive qui y est appliquée.  4, fiche 14, Français, - mode%20d%27enrichissement

Fiche 14,  Justifications,  Espagnol

Record number: 14, Textual support number: 1 CONT

En la región activa de un MOSFET [transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor] en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la transconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal.  3, fiche 14, Espagnol, - modo%20de%20enriquecimiento

Fiche 15,  Justifications,  Anglais

Record number: 15, Textual support number: 1 DEF

A Field Effect Transistor in which the conducting channel lies between pn junctions in the silicon material.  2, fiche 15, Anglais, - junction%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 15,  Justifications,  Français

Record number: 15, Textual support number: 1 CONT

Dans un Transistor à Effet de Champ à jonctions(TEC ou Junction Field Effect Transistor : JFET) le courant est : créé par le déplacement d’un seul type de porteurs : les majoritaires(composant unipolaires) modifié par un champ électrique appliqué transversalement au sens de déplacement des porteurs.  1, fiche 15, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20jonctions

Fiche 15,  Justifications,  Espagnol

Record number: 15, Textual support number: 1 CONT

El transistor de efecto de campo de unión (Junction Field-Effect Transistor) es un dispositivo semiconductor que basa su funcionamiento en la estrangulación de un canal por la penetración de la zona de carga espacial de las junturas vecinas.  1, fiche 15, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo%20de%20uni%C3%B3n

Fiche 16,  Justifications,  Anglais

Record number: 16, Textual support number: 1 DEF

A battery charge regulator where the charging current is controlled by a switch, transistor, or field-effect transistor connected in series with the device providing the charge, such as a solar module.  1, fiche 16, Anglais, - series%20regulator

Fiche 16,  Justifications,  Français

Record number: 16, Textual support number: 1 DEF

Régulateur de charge de batterie dont le courant de charge est contrôlé par un commutateur, un transistor ou un transistor à effet de champ brahnchés en série avec un dispositif dispensateur de la charge, tel qu'un module solaire.  2, fiche 16, Français, - rh%C3%A9ostat%20en%20s%C3%A9rie

Fiche 16,  Justifications,  Espagnol

Fiche 17,  Justifications,  Anglais

Record number: 17, Textual support number: 1 DEF

A field effect transistor whose gate structure consists of a metallic Schottky barrier.  2, fiche 17, Anglais, - metal%2Dsemi%2Dconductor%2Dfield%2Deffect%2Dtransistor

Fiche 17,  Justifications,  Français

Record number: 17, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ dont l'électrode de commande est une barrière de Schottky réalisée par dépôt d’une couche de métal directement sur la surface d’un mince film d’arséniure de gallium.  1, fiche 17, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Dsemiconducteur

Fiche 17,  Justifications,  Espagnol

Fiche 18,  Justifications,  Anglais

Record number: 18, Textual support number: 1 OBS

PIN-FET correspond respectively to positive intrinsic-negative and field effect transistor.  2, fiche 18, Anglais, - PIN%2DFET%20integrated%20receiver

Fiche 18,  Justifications,  Français

Record number: 18, Textual support number: 1 DEF

Récepteur optique comprenant une photodiode PIN et un transistor à effet de champ, intégrés dans un boîtier.  2, fiche 18, Français, - r%C3%A9cepteur%20int%C3%A9gr%C3%A9%20PIN%2DTEC

Record number: 18, Textual support number: 1 OBS

PIN et TEC correspondent respectivement à positif-intrinsèque-négatif et à transistor à effet de champ.  2, fiche 18, Français, - r%C3%A9cepteur%20int%C3%A9gr%C3%A9%20PIN%2DTEC

Fiche 18,  Justifications,  Espagnol

Fiche 19,  Justifications,  Anglais

Record number: 19, Textual support number: 1 DEF

A field-effect transistor with one or more gate electrodes electrically insulated from the channel.  1, fiche 19, Anglais, - insulated%2Dgate%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 19, Textual support number: 1 OBS

isolated-gate field-effect transistor: term standardized by IEEE.  2, fiche 19, Anglais, - insulated%2Dgate%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 19, Textual support number: 2 OBS

Most FETs are IGFETs. This excludes JFETs.  2, fiche 19, Anglais, - insulated%2Dgate%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 19,  Justifications,  Français

Record number: 19, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ dont une ou plusieurs électrodes de grille sont isolées électriquement du canal.  1, fiche 19, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20grille%20isol%C3%A9e

Record number: 19, Textual support number: 1 OBS

Terme normalisé par la CEI.  1, fiche 19, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20grille%20isol%C3%A9e

Fiche 19,  Justifications,  Espagnol

Fiche 20,  Justifications,  Anglais

Record number: 20, Textual support number: 1 CONT

Bell hales has not yet demonstrated a resonant tunneling transistor, but Fujitsu in Japan has built one with the quantum well in the emitter region rather than the base. The resulting lack of symmetry makes the device unsuited for multistate logic. Its main advantage is the potential for greatly increased switching speed; charges travel much faster via tunneling than by ordinary induction.  3, fiche 20, Anglais, - resonant%20tunneling%20transistor

Fiche 20,  Justifications,  Français

Record number: 20, Textual support number: 1 CONT

T1(Texas Instruments) a procédé à la démonstration d’au moins cinq types de transistors à tunnel de résonance : le transistor bipolaire à tunnel de résonance(RTBT), le transistor à électrons chauds à tunnel de résonance(RHET), le transistor à tunnel de résonance et puits quantique bipolaire(BiQuaRTT), le transistor à tunnel de résonance et effet de champ latéral, et enfin le transistor à tunnel de résonance et effet de champ vertical. La conception de tous ces composants repose sur les effets mécaniques des quanta, et chacun d’eux présente des caractéristiques méritant des recherches plus approfondies.  1, fiche 20, Français, - transistor%20%C3%A0%20tunnel%20de%20r%C3%A9sonance

Fiche 20,  Justifications,  Espagnol

Fiche 21,  Justifications,  Anglais

Fiche 21,  Justifications,  Français

Record number: 21, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ dont la grille se présente sous la forme d’un réseau maillé hexagonal entourant les régions de source.  1, fiche 21, Français, - HEXFET

Fiche 21,  Justifications,  Espagnol

Fiche 22,  Justifications,  Anglais

Fiche 22,  Justifications,  Français

Record number: 22, Textual support number: 1 OBS

canal de transistor à effet de champ formé dans le substrat sous une mince couche de semiconducteur de type opposé à celui du substrat, ce qui repousse le canal légèrement au-dessous de la surface du substrat et évite ainsi les pertes de porteurs de charge par recombinaison en surface.  2, fiche 22, Français, - canal%20enterr%C3%A9

Fiche 22,  Justifications,  Espagnol

Fiche 23,  Justifications,  Anglais

Record number: 23, Textual support number: 1 DEF

(In a field-effect transistor) The region connecting source and drain, the conductivity of which is modulated by the gate voltage.  1, fiche 23, Anglais, - channel

Fiche 23,  Justifications,  Français

Record number: 23, Textual support number: 1 DEF

[Dans un transistor à effet de champ, ] zone de semiconducteur dopé dans lequel passeront les charges entre les électrodes appelées respectivement source et drain.  1, fiche 23, Français, - canal

Fiche 23,  Justifications,  Espagnol