TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

[The] operation of an active device which is biased almost to output-current cut-off so that current flows only during one half of each cycle of sinusoidal input signal, i.e. the angle of flow is 180°.  3, fiche 1, Anglais, - class%2DB%20operation

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

[The class-B] mode of operation ... is very efficient because the mean current of the active device is directly proportional to the signal amplitude and is almost zero for zero input signal. The output signal is ... a reproduction of only one half of each cycle of input signal but linear amplification is possible by using two class-B stages in push-pull operation and most of the output stages in transistor amplifiers and receivers are of this type.  3, fiche 1, Anglais, - class%2DB%20operation

Record number: 1, Textual support number: 2 OBS

The theoretical efficiency of a class-B stage (measured by the ratio of the output power to the power taken from the supply) is 78% and efficiencies approaching this value can be obtained in practice.  3, fiche 1, Anglais, - class%2DB%20operation

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

L'amplification d’un signal à enveloppe variable par un TEC [transistor à effet de champ] fonctionnant en classe A résultent de faibles performances en rendement. Le fonctionnement en classe B permet une forte amélioration du rendement mais au détriment d’une réduction du gain en puissance. La classe A permet de conserver le gain de la classe A en permettant d’atteindre un niveau de rendement pratiquement égal à celui obtenu en classe B.  2, fiche 1, Français, - fonctionnement%20en%20classe%20B

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

[The] operation of an active device which is biased beyond cut-off of output current so that current flows for less than one half-cycle of sinusoidal input signal, i.e. the angle of flow is less than 180°.  3, fiche 2, Anglais, - class%2DC%20operation

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

[The class-C] mode of operation ... cannot be used for linear amplification but is extensively used for RF amplification, e.g. in transmitters where a tuned output-load circuit rejects harmonics and gives a sinsoidal output signal. Efficiency (measured by the ratio of the output power to the power taken from the supply) can be very high indeed - approaching 90%.  3, fiche 2, Anglais, - class%2DC%20operation

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Dans un fonctionnement en classe C, la forme impulsionnelle du courant de sortie permet de maximiser le rendement de collecteur ou de drain du transistor. Malheureusement, la chute du gain en puissance est très significative par rapport aux fonctionnements en classe AB ou B. Ceci nuit fortement aux performances en rendement en puissance ajoutée qui sera plus faible qu'en classe B.  2, fiche 2, Français, - fonctionnement%20en%20classe%20C

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

Maximum switching power is 630 W, and maximum switching current is 40 A.  1, fiche 3, Anglais, - switching%20power

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

Cette platine comporte également 8 sorties transistor «supplémentaires» ayant respectivement une puissance de commutation maximale de 0, 05 A.  1, fiche 3, Français, - puissance%20de%20commutation

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Large-Signal Dynamic Loss in Gallium-Arsenide Read Avalanche-Diodes [article title]  1, fiche 4, Anglais, - dynamic%20loss

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

Perte de puissance électrique qui se produit lors de la commutation d’une jonction semiconducteur(diode, transistor, etc.).  1, fiche 4, Français, - perte%20dynamique

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Avec des temps de réponse de l’ordre de 100 ns, valeur aujourd’hui presque courante pour les diodes de puissance, on aboutit à des pertes dynamiques (ou de commutation) qui dépassent rarement, à 20 KHz, le pour cent de la puissance totale redressée.  1, fiche 4, Français, - perte%20dynamique

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 OBS

power transistor: Term officially approved by the Postal Mechanization Terminology Standardization Committee.  3, fiche 5, Anglais, - power%20transistor

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 OBS

transistor de puissance : Terme uniformisé par le comité d’uniformisation de la terminologie de la mécanisation postale.  2, fiche 5, Français, - transistor%20de%20puissance

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Dans un transistor de puissance, structure diffusée, en forme de peigne, constituant la base et l'émetteur du transistor.  1, fiche 6, Français, - structure%20interdigit%C3%A9e

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Record number: 7, Textual support number: 1 CONT

A preliminary theory is developed for the static losses in ferromagnetic materials due to independent Barkhausen jumps. A linear relation between the area swept by the wall and the corresponding duration of the jump is obtained both on the basis of considerations of the pressure acting on the wall and by direct calculation of the energy loss. (...) As is well known, the static losses in ferromagnetic materials are mainly due to discontinuous movements of Bloch walls.  1, fiche 7, Anglais, - static%20loss

Fiche 7,  Justifications,  Français

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

Perte de puissance électrique qui se produit lors de la conduction d’une jonction semiconducteur(diode, transistor, etc.).  1, fiche 7, Français, - perte%20statique

Record number: 7, Textual support number: 1 CONT

Les pertes statiques (ou pertes de conduction) par contre, sont égales à 1,4 V/tension redressée. Pour les faibles tensions, elles sont donc très importantes et on comprend la déception des industriels devant se résigner à perdre plusieurs pourcents de leur puissance disponible dans des composants aussi simples que les diodes.  1, fiche 7, Français, - perte%20statique

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol

Fiche 8,  Justifications,  Anglais

Fiche 8,  Justifications,  Français

Record number: 8, Textual support number: 1 OBS

carte de panneau de transistor de puissance : terme uniformisé par le CN.  2, fiche 8, Français, - carte%20de%20panneau%20de%20transistor%20de%20puissance

Fiche 8,  Justifications,  Espagnol