TERMIUM Plus®
La banque de données terminologiques et linguistiques du gouvernement du Canada.
TRANSISTOR SCHOTTKY [2 fiches]
Fiche 1 - données d’organisme interne 2021-11-30
Fiche 1, Anglais
Fiche 1, Subject field(s)
- Electronic Components
- Magnetism and Electromagnetism
Fiche 1, La vedette principale, Anglais
- spin-valve transistor
1, fiche 1, Anglais, spin%2Dvalve%20transistor
correct
Fiche 1, Les abréviations, Anglais
- SVT 2, fiche 1, Anglais, SVT
correct
Fiche 1, Les synonymes, Anglais
- spin valve transistor 3, fiche 1, Anglais, spin%20valve%20transistor
correct
- SVT 3, fiche 1, Anglais, SVT
correct
- SVT 3, fiche 1, Anglais, SVT
Fiche 1, Justifications, Anglais
Record number: 1, Textual support number: 1 CONT
In [a] spin valve transistor (SVT)[,] electrons are injected in [a] metallic base across a Schottky barrier [(emitter side),] pass through the spin valve and reach the opposite side [(collector side)] of [the] transistor. 3, fiche 1, Anglais, - spin%2Dvalve%20transistor
Fiche 1, Français
Fiche 1, Domaine(s)
- Composants électroniques
- Magnétisme et électromagnétisme
Fiche 1, La vedette principale, Français
- transistor à vanne de spin
1, fiche 1, Français, transistor%20%C3%A0%20vanne%20de%20spin
correct, nom masculin
Fiche 1, Les abréviations, Français
- SVT 2, fiche 1, Français, SVT
correct, nom masculin
Fiche 1, Les synonymes, Français
- transistor magnétique à vanne de spin 3, fiche 1, Français, transistor%20magn%C3%A9tique%20%C3%A0%20vanne%20de%20spin
correct, nom masculin
Fiche 1, Justifications, Français
Record number: 1, Textual support number: 1 CONT
Le transistor magnétique à vanne de spin [...] : on retrouve l'architecture à deux barrières Schottky[, ] l'une pour l'injection des électrons chauds dans la vanne de spin, l'autre pour la collecte et la sélection en énergie des électrons. La polarisation en spin, ainsi que la détection, sont assurées par des couches ferromagnétiques, grâce à la magnétorésistance géante. 3, fiche 1, Français, - transistor%20%C3%A0%20vanne%20de%20spin
Fiche 1, Espagnol
Fiche 1, Justifications, Espagnol
Fiche 2 - données d’organisme interne 2001-12-13
Fiche 2, Anglais
Fiche 2, Subject field(s)
- Semiconductors (Electronics)
Fiche 2, La vedette principale, Anglais
- metal-semi-conductor-field-effect-transistor
1, fiche 2, Anglais, metal%2Dsemi%2Dconductor%2Dfield%2Deffect%2Dtransistor
correct
Fiche 2, Les abréviations, Anglais
Fiche 2, Les synonymes, Anglais
- MESFET 2, fiche 2, Anglais, MESFET
correct
Fiche 2, Justifications, Anglais
Record number: 2, Textual support number: 1 DEF
A field effect transistor whose gate structure consists of a metallic Schottky barrier. 2, fiche 2, Anglais, - metal%2Dsemi%2Dconductor%2Dfield%2Deffect%2Dtransistor
Fiche 2, Terme(s)-clé(s)
- Metallic Schottky FET
Fiche 2, Français
Fiche 2, Domaine(s)
- Semi-conducteurs (Électronique)
Fiche 2, La vedette principale, Français
- transistor à effet de champ métal-semiconducteur
1, fiche 2, Français, transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Dsemiconducteur
correct, nom masculin
Fiche 2, Les abréviations, Français
- MESFET 1, fiche 2, Français, MESFET
correct, nom masculin
Fiche 2, Les synonymes, Français
Fiche 2, Justifications, Français
Record number: 2, Textual support number: 1 DEF
Transistor à effet de champ dont l'électrode de commande est une barrière de Schottky réalisée par dépôt d’une couche de métal directement sur la surface d’un mince film d’arséniure de gallium. 1, fiche 2, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Dsemiconducteur
Fiche 2, Espagnol
Fiche 2, Justifications, Espagnol
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