TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

The high resolution studies ... of inner shell excited states of Ar, Kr and Xe have demonstrated the validity of the equivalent core model for these states. ... In the case of inner shell excited states of homonuclear diatomic molecules [,] however [,] an ambiguity exists in the definition of the equivalent core molecule, depending on whether the inner shell hole is regarded as being localized or delocalized.  1, fiche 1, Anglais, - equivalent%20core

Record number: 1, Textual support number: 2 CONT

The differences ... between the effective quantum numbers ... of the inner-shell-excited atom and the equivalent-core atom are quite small, which indicated that the effective field experienced by the outer excited electron is indeed very similar in these two types of atom.  2, fiche 1, Anglais, - equivalent%20core

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Des molécules à cœur équivalent. Avant de préciser la nature de ces ions, regardons de plus près la structure des molécules excitées par impact électronique de haute énergie. [...] C'est un effet typiquement moléculaire, car il ne se produit pas dans les atomes, où l'on observe toute une série de transitions dites séries de Rydberg. Il résulterait d’un effet de focalisation du champ moléculaire anisotrope sur l'électron excité vers l'orbitale vide. L'interaction entre l'électron excité et le champ moléculaire crée une barrière de potentiel centrifuge qui a pour effet de localiser cette orbitale vide près du cœur de la molécule. [...] La lacune en couche interne est localisée près du noyau, et les électrons de valence s’ajustent comme si la charge nucléaire de l'atome où est créée la lacune était augmentée d’une unité. [...] Ces molécules sont alors dites à cœur équivalent.  2, fiche 1, Français, - %C3%A0%20c%26oelig%3Bur%20%C3%A9quivalent

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Hardness of microscopic areas of a metal or alloy.  2, fiche 2, Anglais, - microhardness

Record number: 2, Textual support number: 2 DEF

Hardness measured with an instrument having a smaller indentor and applying a lower force than normal instruments, permitting measurements on test pieces or thin sheets with dimensions too small to permit the use of normal instruments.  3, fiche 2, Anglais, - microhardness

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

Microhardness: Term standardized by ISO.  4, fiche 2, Anglais, - microhardness

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Dureté mesurée avec un instrument ayant un pénétrateur plus petit que les instruments normaux et appliquant une force moindre, permettant des mesures sur des éprouvettes ou des feuilles minces ayant des dimensions trop faibles pour permettre l’utilisation des instruments normaux.  2, fiche 2, Français, - microduret%C3%A9

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Microdureté. Il est possible de faire des mesures de dureté sous très faible charge, au microscope métallographique. Elles permettent une étude très localisée de la surface du métal, par exemple un cristal de quelques dizaines de microns de côté.  3, fiche 2, Français, - microduret%C3%A9

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

Microdureté : terme normalisé par l’ISO.  4, fiche 2, Français, - microduret%C3%A9

Record number: 2, Textual support number: 1 PHR

Essai de microdureté.  5, fiche 2, Français, - microduret%C3%A9

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Energy level localized in the surface region of semiconductors which do not bear any direct relation to the bulk energy level distribution, but which can exchange electrons with the bulk. In such a case, a space charge may arise: even when the free charge density is zero.  1, fiche 3, Anglais, - surface%20state

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

[...] niveau d’énergie localisée dans le région de surface des semi-conducteurs qui n’ at aucune relation directe avec la distribution des niveaux d’énergie à l'intérieur de la phase, mais qui peut échanger des électrons avec l'intérieur de la phase. Dans un tel cas, il peut se développer une charge d’espace, même lorsque la densité de charge libre est égale à zéro.  1, fiche 3, Français, - %C3%A9tat%20de%20surface

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Fiche 4,  Justifications,  Français

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol