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GRAVURE FAISCEAU IONS REACTIFS [1 fiche]

Fiche 1 2026-03-06

Anglais

Subject field(s)
  • Electronic Circuits Technology
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • Photoelectricity and Electron Optics
  • IT Security
CONT

RIBE involves the use of an ion beam in the presence of reactive gases. Unlike RIE [reactive ion etching], where plasma is generated within the reaction chamber, RIBE directs a focused ion beam onto the substrate, allowing for highly directional etching.

Français

Domaine(s)
  • Technologie des circuits électroniques
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Photo-électricité et optique électronique
  • Sécurité des TI
CONT

La gravure par faisceau d’ions assistés chimiquement(CAIBE) et la gravure par faisceau d’ions réactifs(RIBE) ont également été utilisées pour graver des matériaux. [...] En CAIBE, les gaz réactifs sont ajoutés dans le plasma sous la grille d’accélération : la composante chimique de la gravure est privilégiée. En RIBE, les gaz réactifs sont introduits dans la source.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Tecnología de los circuitos electrónicos
  • Circuitos impresos y microelectrónica
  • Fotoelectricidad y óptica electrónica
  • Seguridad de IT
CONT

Grabado por haz de iones reactivos (RIBE): en esta técnica los iones de un plasma son acelerados proporcionando un haz de iones que incide perpendicularmente sobre la muestra arrancando el material superficial de manera muy direccional. La muestra está separada del plasma por una rejilla que sirve para extraer un haz dirigido de iones hacia la muestra.

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