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Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Deep reactive-ion etching (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep-sided holes and trenches in wafers/substrates, typically with high aspect ratios.  2, fiche 1, Anglais, - deep%20reactive%20ion%20etching

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Gravure ionique réactive profonde(DRIE). Dans les cas où la profondeur de gravure est très grande, la RIE [gravure ionique réactive] n’ est plus une option valable de gravure à cause de la faible sélectivité avec le masque. Les procédés de DRIE offrent des sélectivités plus importantes et permettent donc d’atteindre des profondeurs de gravure de 500 µm [micromètres] ou plus [...]  1, fiche 1, Français, - gravure%20ionique%20r%C3%A9active%20profonde

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

La masa [...] inercial se crea mediante grabado de la capa de silicio tanto superior como inferior de la oblea de SOI (silicio sobre aislante) mediante RIE (grabado iónico reactivo) y DRIE (grabado iónico reactivo profundo), respectivamente.  2, fiche 1, Espagnol, - grabado%20i%C3%B3nico%20reactivo%20profundo

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Reactive ion etching (RIE) is a plasma etching process that adds a charge to the part being etched which induces a directional component to the etching process. This directionality of the etch enables significantly smaller etch feature sizes which is commonly used on substrates in the semiconductor industry.  3, fiche 2, Anglais, - reactive%20ion%20etching

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

La RIE est une variante physico-chimique de gravure au plasma pour laquelle une différence de potentiel entre un gaz et le matériau à graver est générée pour faire intervenir efficacement des ions dans la gravure.  2, fiche 2, Français, - gravure%20ionique%20r%C3%A9active

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

El grabado iónico reactivo [...] es una de las técnicas más usadas para grabado seco. El RIE es realizado por la combinación de mecanismos químicos generados en el plasma con los efectos físicos causados por el bombardeo iónico.  3, fiche 2, Espagnol, - grabado%20i%C3%B3nico%20reactivo

Record number: 2, Textual support number: 2 CONT

Grabado por iones reactivos (RIE): En esta técnica el grabado se produce por bombardeo iónico de los iones contenidos en un plasma. El plasma reacciona física y químicamente con la superficie del material retirando una parte del material o sustancias depositadas en él. El plasma es generado a baja presión por uno o más campos eléctricos o magnéticos. A diferencia del grabado RIBE, el plasma está en contacto directo con la muestra lo que la hace una técnica algo menos direccional que el RIBE.  2, fiche 2, Espagnol, - grabado%20i%C3%B3nico%20reactivo

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

The opposite process to chip fabrication is called deprocessing. ... There are two main applications of deprocessing. One is to remove the passivation layer, exposing the top metal layer for microprobing attacks. Another is to gain access to the deep layers and observe the internal structure of the chip. Three basic deprocessing methods are used: wet chemical etching, plasma etching, also known as dry etching, and mechanical polishing ...  4, fiche 3, Anglais, - plasma%20etching

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

[An] etching process using a cloud of ionized gas.  5, fiche 3, Anglais, - plasma%20etching

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Dans la fabrication des circuits intégrés, procédé utilisant un gaz ionisé pour obtenir le dessin voulu dans une mince couche métallique déposée sur le substrat.  4, fiche 3, Français, - gravure%20au%20plasma

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

La gravure au plasma se distingue des autres types de gravure notamment par la nature de ses interactions avec la surface d’un solide qui peut être à la fois chimique et physique. [La] liberté de modifier la nature de la gravure permet un contrôle directionnel qui peut mener à l’obtention de profils de gravure droits, même à l’échelle submicronique et constitue d’ailleurs l’avantage principal de la gravure au plasma par rapport à la gravure humide [...]  1, fiche 3, Français, - gravure%20au%20plasma

Record number: 3, Textual support number: 2 CONT

La gravure sèche est recommandée pour obtenir des profils de gravure anisotropes sur des substrats de nature amorphe. Elle est plus lente que la gravure humide et présente une faible sélectivité par rapport au masque. Ce procédé utilise des réacteurs de gravure ionique réactive profonde à plasma inductivement couplé [...]  3, fiche 3, Français, - gravure%20au%20plasma

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

El proceso de grabado de plasma en seco reemplaza el método de baño de ácido y película (conocido como procesamiento "húmedo") que se utiliza para crear un diseño en una oblea. El método de plasma en seco lanza iones calientes a través de una máscara directamente en la plaqueta o microcircuito, que evaporan la capa de dióxido de [silicio].  2, fiche 3, Espagnol, - grabado%20de%20plasma%20en%20seco

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Focused ion neam (FIB) is a setup similar to a scanning electron beam, but with a beam of ions instead. Currently, the most used is the gallium ion beam powered by liquid metal ion sources (LMIS).  4, fiche 4, Anglais, - focused%20ion%20beam

Record number: 4, Textual support number: 2 CONT

The focussed ion beam enables access to sub-surface structures, across electrode interfaces, or within integrated circuits.  3, fiche 4, Anglais, - focused%20ion%20beam

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Le faisceau ionique focalisé permet d’obtenir une surface d’analyse très plane et dénuée de déformations mécaniques. De plus, la différence qui existe entre les taux de gravure des matériaux induit un contraste de nature topographique entre les phases. La topographie est ensuite mesurée à l'aide d’un microscope à force atomique et les images obtenues permettent d’analyser avec précision la géométrie autour de la ligne triphasée.  2, fiche 4, Français, - faisceau%20d%26rsquo%3Bions%20focalis%C3%A9

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Un haz de iones enfocados [...] es un sistema que se basa en el disparo de iones de galio hacia una superficie a una velocidad muy alta con el propósito básico de cortar o agregar material a una superficie o un área de dimensiones en la escala nanométrica.  2, fiche 4, Espagnol, - haz%20de%20iones%20concentrado

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

The major advantage of ionic etching is that the object is bombarded by the ions in [a] chamber of analysis.  1, fiche 5, Anglais, - ionic%20etching

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Ajustage de l’épaisseur des couches d’un échantillon consistant à bombarder le matériau à traiter d’un faisceau d’ions provenant d’un plasma qui arrache la matière à l’endroit souhaité.  4, fiche 5, Français, - d%C3%A9capage%20ionique

Record number: 5, Textual support number: 1 OBS

Les principaux accessoires des appareils Auger sont : — un détecteur d’électrons secondaires, qui permet d’obtenir une image MEB [microscopie électronique à balayage] de l’échantillon et de sélectionner la zone à analyser; — un dispositif de décapage ionique plus ou moins sophistiqué, qui permet de nettoyer la surface de l’échantillon préalablement à l’analyse; — un sas d’introduction de l’échantillon, qui évite de remettre toute l’enceinte à la pression atmosphérique à chaque changement d’échantillon.  1, fiche 5, Français, - d%C3%A9capage%20ionique

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Ajustage de l’épaisseur des couches métalliques d’un circuit, qui consiste à projeter sur le matériau à traiter un faisceau d’ions extraits d’un plasma qui arrache la matière à l’endroit désiré.  2, fiche 6, Français, - attaque%20par%20faisceau%20d%26rsquo%3Bion

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Record number: 7, Textual support number: 1 OBS

Ion-beams are used to produce fineline lithography patterns in semiconductor processing operations or as etchers in ion-milling stages.  1, fiche 7, Anglais, - ion%20beam%20lithography

Fiche 7,  Justifications,  Français

Record number: 7, Textual support number: 1 CONT

Les procédés clés qu'emploie le Groupe de microfabrication comprennent la lithographie(optique, par faisceau électronique et par faisceau ionique), la gravure par faisceau ionique et attaque chimique.  1, fiche 7, Français, - lithographie%20par%20faisceau%20ionique

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol

Fiche 8,  Justifications,  Français

Fiche 8,  Justifications,  Espagnol