TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Deep reactive-ion etching (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep-sided holes and trenches in wafers/substrates, typically with high aspect ratios.  2, fiche 1, Anglais, - deep%20reactive%20ion%20etching

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Gravure ionique réactive profonde(DRIE). Dans les cas où la profondeur de gravure est très grande, la RIE [gravure ionique réactive] n’ est plus une option valable de gravure à cause de la faible sélectivité avec le masque. Les procédés de DRIE offrent des sélectivités plus importantes et permettent donc d’atteindre des profondeurs de gravure de 500 µm [micromètres] ou plus [...]  1, fiche 1, Français, - gravure%20ionique%20r%C3%A9active%20profonde

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

La masa [...] inercial se crea mediante grabado de la capa de silicio tanto superior como inferior de la oblea de SOI (silicio sobre aislante) mediante RIE (grabado iónico reactivo) y DRIE (grabado iónico reactivo profundo), respectivamente.  2, fiche 1, Espagnol, - grabado%20i%C3%B3nico%20reactivo%20profundo

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

The opposite process to chip fabrication is called deprocessing. ... There are two main applications of deprocessing. One is to remove the passivation layer, exposing the top metal layer for microprobing attacks. Another is to gain access to the deep layers and observe the internal structure of the chip. Three basic deprocessing methods are used: wet chemical etching, plasma etching, also known as dry etching, and mechanical polishing ...  4, fiche 2, Anglais, - plasma%20etching

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

[An] etching process using a cloud of ionized gas.  5, fiche 2, Anglais, - plasma%20etching

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Dans la fabrication des circuits intégrés, procédé utilisant un gaz ionisé pour obtenir le dessin voulu dans une mince couche métallique déposée sur le substrat.  4, fiche 2, Français, - gravure%20au%20plasma

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

La gravure au plasma se distingue des autres types de gravure notamment par la nature de ses interactions avec la surface d’un solide qui peut être à la fois chimique et physique. [La] liberté de modifier la nature de la gravure permet un contrôle directionnel qui peut mener à l’obtention de profils de gravure droits, même à l’échelle submicronique et constitue d’ailleurs l’avantage principal de la gravure au plasma par rapport à la gravure humide [...]  1, fiche 2, Français, - gravure%20au%20plasma

Record number: 2, Textual support number: 2 CONT

La gravure sèche est recommandée pour obtenir des profils de gravure anisotropes sur des substrats de nature amorphe. Elle est plus lente que la gravure humide et présente une faible sélectivité par rapport au masque. Ce procédé utilise des réacteurs de gravure ionique réactive profonde à plasma inductivement couplé [...]  3, fiche 2, Français, - gravure%20au%20plasma

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

El proceso de grabado de plasma en seco reemplaza el método de baño de ácido y película (conocido como procesamiento "húmedo") que se utiliza para crear un diseño en una oblea. El método de plasma en seco lanza iones calientes a través de una máscara directamente en la plaqueta o microcircuito, que evaporan la capa de dióxido de [silicio].  2, fiche 2, Espagnol, - grabado%20de%20plasma%20en%20seco