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GRAVURE ISOTROPIQUE [3 fiches]

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Fiche 1 2026-03-10

Anglais

Subject field(s)
  • Electronic Circuits Technology
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • IT Security
CONT

Isotropic etching is an etching method which removes part of the substrate non-directionally ... resulting in round corners.

Français

Domaine(s)
  • Technologie des circuits électroniques
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Sécurité des TI
DEF

Gravure dont la vitesse d’attaque est la même dans toutes les directions à l’intérieur d’un substrat.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Tecnología de los circuitos electrónicos
  • Circuitos impresos y microelectrónica
  • Seguridad de IT
CONT

El silicio es normalmente grabado con gases basados en flúor, cloro o bromo. Los plasmas basados en flúor, a diferencia de los demás halógenos, son generalmente usados para grabado isotrópico, ya que el flúor es la principal especie reactiva con silicio, por lo que el grabado se efectuará en todas direcciones.

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Fiche 2 2010-03-29

Anglais

Subject field(s)
  • Electronic Circuits Technology
  • Photoelectricity and Electron Optics
CONT

Based on a micromachining process that can be adopted by current silicon production facilities, these are relatively inexpensive to manufacture and should allow the development of infrared imagers costing one or two orders of magnitude less than current designs, perhaps a few thousand dollars or less.

Terme(s)-clé(s)
  • micro-machining process
  • micro-machining

Français

Domaine(s)
  • Technologie des circuits électroniques
  • Photo-électricité et optique électronique
DEF

Ensemble des techniques de microgravure isotropique ou anisotropique du silicium par attaque chimique, photolithographie, gravure par faisceaux d’ions, gravures «plasma».

CONT

La firme a mis au point des réseaux plan-focal bidimensionnels en silice micro-usinée, le micro-usinage est un nouveau procédé de fabrication en usage dans l’industrie microélectronique, sensibles à l’infrarouge.

OBS

micro-usinage : terme publié au Journal officiel de la République française le 27 décembre 2009.

Espagnol

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Fiche 3 2008-11-25

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Electronic Circuits Technology
CONT

Electrical feedthrough in silicon wafers used for modules can be fabricated using the following steps: opening holes from both sides of a silicon wafer; oxidizing the surface of the wafer: depositing metal layers on the wafer; subetching the metal films to form pads; placing pins on top of the pads and reflowing the metal to join the pads to the pins.

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Technologie des circuits électroniques
CONT

Schéma de principe d’une gravure humide isotrope : 1. le substrat est protégé localement par un masque, généralement une résine photosensible; 2. le substrat est plongé dans le bain d’attaque chimique et le matériau visé se dégrade; 3. le caractère isotropique de cette attaque donne des formes spécifiques et le matériau est gravé dans tout son volume et non pas uniquement à la verticale sous le masque : c'est la sous-gravure; 4. fin de la gravure, les flans de la couche usinée ne sont pas strictement verticaux, mais ce problème, comme celui de la sous-gravure, est maîtrisé par un masque adapté et les choix judicieux du bain et du temps de trempe.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Semiconductores (Electrónica)
  • Tecnología de los circuitos electrónicos
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