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Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

RIBE involves the use of an ion beam in the presence of reactive gases. Unlike RIE [reactive ion etching], where plasma is generated within the reaction chamber, RIBE directs a focused ion beam onto the substrate, allowing for highly directional etching.  2, fiche 1, Anglais, - reactive%20ion%20beam%20etching

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

La gravure par faisceau d’ions assistés chimiquement(CAIBE) et la gravure par faisceau d’ions réactifs(RIBE) ont également été utilisées pour graver des matériaux. [...] En CAIBE, les gaz réactifs sont ajoutés dans le plasma sous la grille d’accélération : la composante chimique de la gravure est privilégiée. En RIBE, les gaz réactifs sont introduits dans la source.  1, fiche 1, Français, - gravure%20par%20faisceau%20d%26rsquo%3Bions%20r%C3%A9actifs

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Grabado por haz de iones reactivos (RIBE): en esta técnica los iones de un plasma son acelerados proporcionando un haz de iones que incide perpendicularmente sobre la muestra arrancando el material superficial de manera muy direccional. La muestra está separada del plasma por una rejilla que sirve para extraer un haz dirigido de iones hacia la muestra.  1, fiche 1, Espagnol, - grabado%20por%20haz%20de%20iones%20reactivos

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Reactive ion etching (RIE) is a plasma etching process that adds a charge to the part being etched which induces a directional component to the etching process. This directionality of the etch enables significantly smaller etch feature sizes which is commonly used on substrates in the semiconductor industry.  3, fiche 2, Anglais, - reactive%20ion%20etching

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

La RIE est une variante physico-chimique de gravure au plasma pour laquelle une différence de potentiel entre un gaz et le matériau à graver est générée pour faire intervenir efficacement des ions dans la gravure.  2, fiche 2, Français, - gravure%20ionique%20r%C3%A9active

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

El grabado iónico reactivo [...] es una de las técnicas más usadas para grabado seco. El RIE es realizado por la combinación de mecanismos químicos generados en el plasma con los efectos físicos causados por el bombardeo iónico.  3, fiche 2, Espagnol, - grabado%20i%C3%B3nico%20reactivo

Record number: 2, Textual support number: 2 CONT

Grabado por iones reactivos (RIE): En esta técnica el grabado se produce por bombardeo iónico de los iones contenidos en un plasma. El plasma reacciona física y químicamente con la superficie del material retirando una parte del material o sustancias depositadas en él. El plasma es generado a baja presión por uno o más campos eléctricos o magnéticos. A diferencia del grabado RIBE, el plasma está en contacto directo con la muestra lo que la hace una técnica algo menos direccional que el RIBE.  2, fiche 2, Espagnol, - grabado%20i%C3%B3nico%20reactivo

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

The opposite process to chip fabrication is called deprocessing. ... There are two main applications of deprocessing. One is to remove the passivation layer, exposing the top metal layer for microprobing attacks. Another is to gain access to the deep layers and observe the internal structure of the chip. Three basic deprocessing methods are used: wet chemical etching, plasma etching, also known as dry etching, and mechanical polishing ...  4, fiche 3, Anglais, - plasma%20etching

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

[An] etching process using a cloud of ionized gas.  5, fiche 3, Anglais, - plasma%20etching

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Dans la fabrication des circuits intégrés, procédé utilisant un gaz ionisé pour obtenir le dessin voulu dans une mince couche métallique déposée sur le substrat.  4, fiche 3, Français, - gravure%20au%20plasma

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

La gravure au plasma se distingue des autres types de gravure notamment par la nature de ses interactions avec la surface d’un solide qui peut être à la fois chimique et physique. [La] liberté de modifier la nature de la gravure permet un contrôle directionnel qui peut mener à l'obtention de profils de gravure droits, même à l'échelle submicronique et constitue d’ailleurs l'avantage principal de la gravure au plasma par rapport à la gravure humide [...]  1, fiche 3, Français, - gravure%20au%20plasma

Record number: 3, Textual support number: 2 CONT

La gravure sèche est recommandée pour obtenir des profils de gravure anisotropes sur des substrats de nature amorphe. Elle est plus lente que la gravure humide et présente une faible sélectivité par rapport au masque. Ce procédé utilise des réacteurs de gravure ionique réactive profonde à plasma inductivement couplé [...]  3, fiche 3, Français, - gravure%20au%20plasma

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

El proceso de grabado de plasma en seco reemplaza el método de baño de ácido y película (conocido como procesamiento "húmedo") que se utiliza para crear un diseño en una oblea. El método de plasma en seco lanza iones calientes a través de una máscara directamente en la plaqueta o microcircuito, que evaporan la capa de dióxido de [silicio].  2, fiche 3, Espagnol, - grabado%20de%20plasma%20en%20seco

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Spin qubits in semiconductors are a promising platform for producing highly scalable quantum computing devices.  3, fiche 4, Anglais, - spin%20qubit

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Le qubit de spin est un exemple de dispositif quantique qui pourrait être la solution à la conception de l'ordinateur quantique. La conception de qubit de spin se fait en plusieurs étapes, dont l'électrolithographie, qui consiste à écrire des motifs dans une résine à l'aide d’un faisceau d’électrons, ainsi que la gravure plasma, qui va venir former les grilles du qubit.  3, fiche 4, Français, - qubit%20de%20spin

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

Lo que el equipo ha inventado es una nueva forma de definir un qubit de spin que usa tanto el electrón como el núcleo del átomo, lo que es crucial para controlar las señales eléctricas en lugar de las magnéticas que son significativamente más fáciles de distribuir y localizar dentro de un chip electrónico [...]  1, fiche 4, Espagnol, - qubit%20de%20spin

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

... low pressure plasma is used in the most diverse ranges, where a better adhesion between materials or a change in surface property is desired. With the low pressure plasma technology gas in the vacuum becomes excited by energy input. High energy ions and electrons are developed along with other reactive particles, which form the plasma, and surfaces can be changed effectively.  2, fiche 5, Anglais, - low%2Dpressure%20plasma

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

Le plasma sous basse pression constitue un outil particulièrement polyvalent pour modifier les surfaces. Nettoyage final de composants contaminés, activation de surface de pièces plastique, attaque du PTFE[ polytétrafluoréthylène], gravure du silicium et revêtement de pièces plastique par des films proches du PTFE, figurent parmi les applications possibles. À cet égard, le plasma sous basse pression est utilisé dans de nombreux domaines où il est important de coller les matériaux ensemble ou pour modifier les propriétés de surface [...] Dans la technologie de plasma sous basse pression, le gaz est excité sous vide par apport d’énergie. Il en résulte la formation d’espèces énergétiques ions, électrons, ainsi que d’autres particules réactives, lesquelles constituent le plasma. Les surfaces peuvent ainsi être modifiées efficacement.  3, fiche 5, Français, - plasma%20basse%20pression

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

Based on a micromachining process that can be adopted by current silicon production facilities, these are relatively inexpensive to manufacture and should allow the development of infrared imagers costing one or two orders of magnitude less than current designs, perhaps a few thousand dollars or less.  1, fiche 6, Anglais, - micromachining%20process

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Ensemble des techniques de microgravure isotropique ou anisotropique du silicium par attaque chimique, photolithographie, gravure par faisceaux d’ions, gravures «plasma».  2, fiche 6, Français, - micro%2Dusinage

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

La firme a mis au point des réseaux plan-focal bidimensionnels en silice micro-usinée, le micro-usinage est un nouveau procédé de fabrication en usage dans l’industrie microélectronique, sensibles à l’infrarouge.  3, fiche 6, Français, - micro%2Dusinage

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

micro-usinage : terme publié au Journal officiel de la République française le 27 décembre 2009.  4, fiche 6, Français, - micro%2Dusinage

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

Restricting the etching action on a pattern by the use of selective chemical which attack only one of the exposed materials.  1, fiche 7, Anglais, - selective%20etch

Fiche 7,  Justifications,  Français

Record number: 7, Textual support number: 1 CONT

Étude du procédé de gravure sélective de l'oxyde de silicium en plasma dense de CHF3/CH4.  1, fiche 7, Français, - gravure%20s%C3%A9lective

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol

Fiche 8,  Justifications,  Anglais

Record number: 8, Textual support number: 1 CONT

Generally, in magnetic containment schemes the deuterium/tritium fuel mixture would be introduced into the reaction chamber where it would be heated and compressed into a dense hot plasma to produce fusion.  2, fiche 8, Anglais, - hot%20plasma

Record number: 8, Textual support number: 2 CONT

Hot plasmas can incinerate the most toxic organic substances completely, leaving no trace that might leak from the incinerator. Plasma incineration reduces the chemical quickly to molten carbon in which very little toxin could survive.  3, fiche 8, Anglais, - hot%20plasma

Record number: 8, Textual support number: 3 CONT

... to say that hot plasma glows is to say that the plasma contains, besides freely moving electrons and atomic nuclei stripped bare, a large number of photons.  4, fiche 8, Anglais, - hot%20plasma

Fiche 8,  Justifications,  Français

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

Plasma dans lequel l’agitation thermique des particules est très élevée et peut atteindre l’énergie nécessaire aux réactions de fusion.  1, fiche 8, Français, - plasma%20chaud

Record number: 8, Textual support number: 1 OBS

Contraster avec plasma froid. Voir aussi plasma industriel, gravure au plasma, traitement ou usinage au plasma.  2, fiche 8, Français, - plasma%20chaud

Fiche 8,  Justifications,  Espagnol

Fiche 9,  Justifications,  Anglais

Fiche 9,  Justifications,  Français

Record number: 9, Textual support number: 1 DEF

Appareil conçu pour la gravure des tranches de semi-conducteur, et utilisant l'action d’un plasma dans un réacteur.  1, fiche 9, Français, - appareil%20de%20gravure%20par%20plasma

Fiche 9,  Justifications,  Espagnol