TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

If a voltage is applied across the channel so that the drain is positive with respect to the source, ... electrons flow through the channel from the source to the drain producing the drain current ...  2, fiche 1, Anglais, - drain%20current

Record number: 1, Textual support number: 1 PHR

maximum drain current  3, fiche 1, Anglais, - drain%20current

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

[...] quand on augmente la différence de potentiel drain-source, la grille étant toujours reliée à la source, on constate que le courant drain commence à augmenter [...]  3, fiche 1, Français, - courant%20de%20drain

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

A FET (field-effect transistor) transistor is operating in depletion mode when the gate voltage repels the carrier charges.  2, fiche 2, Anglais, - depletion%20mode

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

depletion mode: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, fiche 2, Anglais, - depletion%20mode

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d’un transistor à effet de champ normalement conducteur, c'est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour réduire ou annuler le courant de la source au drain par appauvrissement du canal en porteurs de charge.  5, fiche 2, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d’appauvrissement [et] régime d’enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d’appauvrissement lorsqu’une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d’enrichissement lorsque c’est une tension positive qui y est appliquée. Les D-MOSFETS sont, en général, utilisés en régime d’appauvrissement.  6, fiche 2, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

mode de déplétion : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  7, fiche 2, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de silicio. Cuando [está] en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta.  1, fiche 2, Espagnol, - modo%20de%20empobrecimiento

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

The drain-source voltage that causes [the] current limiting condition is called the pinch-off voltage (...)  2, fiche 3, Anglais, - pinch%2Doff%20voltage

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

[La tension de pincement peut être] [...] la tension drain-source à partir de laquelle, pour une polarisation de grille nulle, le courant drain reste constant [...]  2, fiche 3, Français, - tension%20de%20pincement

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

A MOSFET transistor is operating in enhancement mode when the gate voltage attracts the carrier charges, although no current flows through the gate because it is insulated from the carrier channel.  2, fiche 4, Anglais, - enhancement%20mode

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d’un transistor à effet de champ, notamment d’un MOS [métal-oxyde-semiconducteur], normalement bloqué, c'est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour faire passer un courant plus ou moins intense de la source au drain par enrichissement de la zone du canal en porteurs minoritaires pour créer le canal.  3, fiche 4, Français, - mode%20d%26rsquo%3Benrichissement

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d’appauvrissement [et] régime d’enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d’appauvrissement lorsqu’une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d’enrichissement lorsque c’est une tension positive qui y est appliquée.  4, fiche 4, Français, - mode%20d%26rsquo%3Benrichissement

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

En la región activa de un MOSFET [transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor] en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la transconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal.  3, fiche 4, Espagnol, - modo%20de%20enriquecimiento

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

[In a MOS transistor], when there is no voltage applied to the gate, the two p-type regions, called source and drain, are electrically insulated from each other by the n-type region which surrounds them.  1, fiche 5, Anglais, - source

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

Le transistor MOS est essentiellement un dispositif à trois électrodes, la source et le drain, analogues à l'émetteur et au collecteur d’un transistor bipolaire, et la grille, qui est l'électrode de commande [...].  1, fiche 5, Français, - source

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

In the insulated-gate FET structure a thin dielectric barrier is used to isolate the gate and the channel. The control voltage applied to the gate terminal induces an electric field across the dielectric barrier and modulates the free-carrier concentration in the channel region.  1, fiche 6, Anglais, - gate%20voltage

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

Si la tension de grille est inférieure à la tension d’inversion, dite tension de seuil, il y a entre source et drain une jonction P. N polarisée en inverse, qui bloque la conduction.  1, fiche 6, Français, - tension%20de%20grille

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Français

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol

Fiche 8,  Justifications,  Français

Fiche 8,  Justifications,  Espagnol