TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

A FET (field-effect transistor) transistor is operating in depletion mode when the gate voltage repels the carrier charges.  2, fiche 1, Anglais, - depletion%20mode

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

depletion mode: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, fiche 1, Anglais, - depletion%20mode

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d’un transistor à effet de champ normalement conducteur, c’est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour réduire ou annuler le courant de la source au drain par appauvrissement du canal en porteurs de charge.  5, fiche 1, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d’appauvrissement [et] régime d’enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d’appauvrissement lorsqu'une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d’enrichissement lorsque c'est une tension positive qui y est appliquée. Les D-MOSFETS sont, en général, utilisés en régime d’appauvrissement.  6, fiche 1, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

mode de déplétion : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  7, fiche 1, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de silicio. Cuando [está] en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta.  1, fiche 1, Espagnol, - modo%20de%20empobrecimiento

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

An insulated-gate field-effect transistor (IGFET) in which the insulating layer between each gate electrode and the channel is native oxide material.  4, fiche 2, Anglais, - metal%2Doxide%20semiconductor%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

Transistors with nitride in the insulating layer are also called MOSFETs.  4, fiche 2, Anglais, - metal%2Doxide%20semiconductor%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 2, Textual support number: 2 OBS

metal-oxide semiconductor field-effect transistor: term standardized by IEC.  4, fiche 2, Anglais, - metal%2Doxide%20semiconductor%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ à grille isolée dans lequel la couche isolante entre chaque électrode de grille et le canal est un oxyde.  1, fiche 2, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Doxyde%20semiconducteur

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

Le terme s’applique aussi aux transistors dont la couche isolante contient du nitride.  1, fiche 2, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Doxyde%20semiconducteur

Record number: 2, Textual support number: 2 OBS

transistor à effet de champ métal-oxyde semiconducteur : terme normalisé par la CEI.  1, fiche 2, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20m%C3%A9tal%2Doxyde%20semiconducteur

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Semiconductor caracterizado por una impedancia de entrada extremadamente alta, una impedancia activa bastante alta, y velocidades de cambios bajos.  3, fiche 2, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo%20MOS

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de silicio. Cuando [está] en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta.  4, fiche 2, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo%20MOS

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

Al aplicarse un voltaje (negativo respecto al substrato) a una compuerta o acceso, este transistor se conducirá como un conductor, y al aplicarse una diferencia de potencial entre la fuente y la carga, habrá un flujo de corriente.  3, fiche 2, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo%20MOS

Record number: 2, Textual support number: 2 OBS

transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico: Los equivalentes que indican que MOS (metal-óxido-semiconductor) es un semiconductor no son precisos. En realidad, el semiconductor es una de las tres capas que componen esta estructura junto con el metal y el óxido.  5, fiche 2, Espagnol, - transistor%20de%20efecto%20de%20campo%20MOS

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

A MOSFET transistor is operating in enhancement mode when the gate voltage attracts the carrier charges, although no current flows through the gate because it is insulated from the carrier channel.  2, fiche 3, Anglais, - enhancement%20mode

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d’un transistor à effet de champ, notamment d’un MOS [métal-oxyde-semiconducteur], normalement bloqué, c’est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour faire passer un courant plus ou moins intense de la source au drain par enrichissement de la zone du canal en porteurs minoritaires pour créer le canal.  3, fiche 3, Français, - mode%20d%26rsquo%3Benrichissement

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d’appauvrissement [et] régime d’enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d’appauvrissement lorsqu'une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d’enrichissement lorsque c'est une tension positive qui y est appliquée.  4, fiche 3, Français, - mode%20d%26rsquo%3Benrichissement

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

En la región activa de un MOSFET [transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor] en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la transconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal.  3, fiche 3, Espagnol, - modo%20de%20enriquecimiento

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

MOS: metal-oxide semiconductor.  2, fiche 4, Anglais, - floating%2Dgate%20avalanche%2Dinjection%20MOS%20transistor

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

Transistor MOS [métal-oxyde-semiconducteur] comportant une grille «flottante», c'est-à-dire isolée de tout conducteur, chargée électriquement par effet d’avalanche et gardant sa charge jusqu'à ce qu'elle soit exposée à des rayons ultraviolets permettant aux électrons piégés de s’écouler à travers la couche isolante qui l'entoure pour retourner au substrat.  1, fiche 4, Français, - transistor%20FAMOS

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

FAMOS: metal óxido semiconductor de inyección de avalancha de puerta flotante.  2, fiche 4, Espagnol, - transistor%20FAMOS

Fiche 5,  Justifications,  Anglais

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

A doped region in a semiconductor material that is used to provide a current channel or channel region for a MOS-gated or insulated gate semiconductor transistor, such as a metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), an IGFET or an insulated gate bipolar transistor (IGBT).  1, fiche 5, Anglais, - base%20region

Fiche 5,  Justifications,  Français

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Région dopée d’un semiconducteur qui fournit un canal de courant ou zone de canal à un transistor ou semiconducteur à grille isolée ou à commande par grille MOS(metal oxide semiconductor).  2, fiche 5, Français, - zone%20de%20base

Fiche 5,  Justifications,  Espagnol

Fiche 6,  Justifications,  Anglais

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

A field-effect transistor with one or more gate electrodes electrically insulated from the channel.  1, fiche 6, Anglais, - insulated%2Dgate%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

isolated-gate field-effect transistor: term standardized by IEEE.  2, fiche 6, Anglais, - insulated%2Dgate%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 6, Textual support number: 2 OBS

Most FETs are IGFETs. This excludes JFETs.  2, fiche 6, Anglais, - insulated%2Dgate%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 6,  Justifications,  Français

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ dont une ou plusieurs électrodes de grille sont isolées électriquement du canal.  1, fiche 6, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20grille%20isol%C3%A9e

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

Terme normalisé par la CEI.  1, fiche 6, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20grille%20isol%C3%A9e

Fiche 6,  Justifications,  Espagnol

Fiche 7,  Justifications,  Anglais

Record number: 7, Textual support number: 1 OBS

Electronique applications no. 63, p. 34.  3, fiche 7, Anglais, - insulated%20gate%20bipolar%20transistor

Fiche 7,  Justifications,  Français

Record number: 7, Textual support number: 1 DEF

Composant électronique de puissance qui permet d’adapter le courant du réseau aux caractéristiques d’un équipement électrique en exploitation.  1, fiche 7, Français, - transistor%20bipolaire%20%C3%A0%20porte%20isol%C3%A9e

Record number: 7, Textual support number: 1 CONT

Intercalé entre le réseau et la machine, le composant IGBT décompose, grâce aux centaines de micro-interrupteurs gravés à sa surface, l’onde sinusoïdale du courant d’entrée de manière à la recaler sur les valeurs d’intensité, de tension ou de fréquence nécessitées par l’application. Dans l’industrie, on utilise ce composant dans les systèmes de commande-contrôle de variateurs de vitesse, de machines tournantes, ou encore de chauffage par induction... On le retrouve également dans certains dispositifs de protection chargés de corriger les défauts du courant, comme les onduleurs.  1, fiche 7, Français, - transistor%20bipolaire%20%C3%A0%20porte%20isol%C3%A9e

Fiche 7,  Justifications,  Espagnol

Fiche 8,  Justifications,  Français

Fiche 8,  Justifications,  Espagnol