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REACTEUR EPITAXIE [5 fiches]

Fiche 1 2007-07-04

Anglais

Subject field(s)
  • Equipment (Chemistry)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Physics of Solids

Français

Domaine(s)
  • Équipement (Chimie)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Physique des solides

Espagnol

Conserver la fiche 1

Fiche 2 2007-07-03

Anglais

Subject field(s)
  • Vacuum Machines
  • Semiconductors (Electronics)
DEF

Enclosure in which extremely low pressure can be produced by vacuum pumps.

Français

Domaine(s)
  • Machines à vide
  • Semi-conducteurs (Électronique)
DEF

Enceinte où règne une très basse pression.

CONT

L'enceinte du réacteur d’épitaxie est sous ultra-vide, afin d’éviter la contamination des couches pendant la croissance.

Espagnol

Conserver la fiche 2

Fiche 3 2001-09-05

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • Industrial Techniques and Processes
DEF

A chamber or device used to form an epitaxial film on a substrate.

OBS

There are three types of systems used to produce epitaxia l films: (a) Chemical vapour deposition (CVD)l (b) Liquid, and (c) Molecular beam.

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Techniques industrielles

Espagnol

Conserver la fiche 3

Fiche 4 1992-08-18

Anglais

Subject field(s)
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • Industrial Techniques and Processes
CONT

Susceptors are the devices that hold wafers being processed within an epitaxial reactor system. There are three basic types of epitaxial reactors, and susceptor designs vary with each.

Français

Domaine(s)
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Techniques industrielles
DEF

Support de graphite recouvert d’une couche de carbure de silicium et servant à chauffer les tranches dans un réacteur d’épitaxie.

Espagnol

Conserver la fiche 4

Fiche 5 1990-12-10

Anglais

Subject field(s)
  • Lasers and Masers
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • Atomic Physics

Français

Domaine(s)
  • Masers et lasers
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Physique atomique
DEF

Dopage non intentionnel des tranches dans un réacteur d’épitaxie, causé par la présence dans le réacteur d’atomes d’impuretés autres que les atomes dopants choisis.

Espagnol

Conserver la fiche 5

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