TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

A FET (field-effect transistor) transistor is operating in depletion mode when the gate voltage repels the carrier charges.  2, fiche 1, Anglais, - depletion%20mode

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

depletion mode: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, fiche 1, Anglais, - depletion%20mode

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d’un transistor à effet de champ normalement conducteur, c’est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour réduire ou annuler le courant de la source au drain par appauvrissement du canal en porteurs de charge.  5, fiche 1, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d’appauvrissement [et] régime d’enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d’appauvrissement lorsqu'une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d’enrichissement lorsque c'est une tension positive qui y est appliquée. Les D-MOSFETS sont, en général, utilisés en régime d’appauvrissement.  6, fiche 1, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

mode de déplétion : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  7, fiche 1, Français, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de silicio. Cuando [está] en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta.  1, fiche 1, Espagnol, - modo%20de%20empobrecimiento

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

A FET [field-effect transistor] in which no device current flows (leakage only) when [gate-to-source voltage] is zero volts.  2, fiche 2, Anglais, - enhancement%2Dmode%20field%2Deffect%20transistor

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

Conduction does not begin until [gate-to-source voltage] reaches the threshold voltage.  2, fiche 2, Anglais, - enhancement%2Dmode%20field%2Deffect%20transistor

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Transistor à effet de champ ayant une conductance sensiblement nulle pour une tension grille-source nulle et dont le canal peut être rendu conducteur par l’application d’une tension grille-source de polarité appropriée.  2, fiche 2, Français, - transistor%20%C3%A0%20effet%20de%20champ%20%C3%A0%20enrichissement

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol

Fiche 3,  Justifications,  Anglais

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

A type of MOS [metal-oxide semiconductor] transistor in which no current flows in the absence of an input control signal on the control terminal (called the gate) of the transistor.  1, fiche 3, Anglais, - enhancement%20MOS

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

MOSFET: metal-oxide semiconductor field-effect transistor.  3, fiche 3, Anglais, - enhancement%20MOS

Fiche 3,  Justifications,  Français

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

MOS : métal-oxyde-semiconducteur.  3, fiche 3, Français, - MOS%20%C3%A0%20enrichissement

Fiche 3,  Justifications,  Espagnol

Record number: 3, Textual support number: 1 OBS

MOS: metal-óxido-semiconductor.  2, fiche 3, Espagnol, - transistor%20MOS%20de%20enriquecimiento

Fiche 4,  Justifications,  Anglais

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

A MOSFET transistor is operating in enhancement mode when the gate voltage attracts the carrier charges, although no current flows through the gate because it is insulated from the carrier channel.  2, fiche 4, Anglais, - enhancement%20mode

Fiche 4,  Justifications,  Français

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d’un transistor à effet de champ, notamment d’un MOS [métal-oxyde-semiconducteur], normalement bloqué, c'est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour faire passer un courant plus ou moins intense de la source au drain par enrichissement de la zone du canal en porteurs minoritaires pour créer le canal.  3, fiche 4, Français, - mode%20d%26rsquo%3Benrichissement

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d’appauvrissement [et] régime d’enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d’appauvrissement lorsqu'une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d’enrichissement lorsque c'est une tension positive qui y est appliquée.  4, fiche 4, Français, - mode%20d%26rsquo%3Benrichissement

Fiche 4,  Justifications,  Espagnol

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

En la región activa de un MOSFET [transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor] en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la transconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal.  3, fiche 4, Espagnol, - modo%20de%20enriquecimiento