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TRANSISTOR GRILLE FLOTTANTE [4 fiches]

Fiche 1 2011-10-03

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
OBS

MOS: metal-oxide semiconductor.

Terme(s)-clé(s)
  • floating gate MOS transistor

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
CONT

La structure de point mémoire, la plus simple, est celle représentée [à la] figure 7. C'est essentiellement un transistor MOS à grille flottante, dans lequel on charge cette grille, par injection d’électrons à partir de la jonction P plus N portée au claquage [...]

OBS

MOS : métal-oxyde-semiconducteur.

Espagnol

Conserver la fiche 1

Fiche 2 2008-11-25

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
OBS

MOS: metal-oxide semiconductor.

Terme(s)-clé(s)
  • floating gate avalanche injection MOS transistor

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
DEF

Transistor MOS [métal-oxyde-semiconducteur] comportant une grille «flottante», c'est-à-dire isolée de tout conducteur, chargée électriquement par effet d’avalanche et gardant sa charge jusqu'à ce qu'elle soit exposée à des rayons ultraviolets permettant aux électrons piégés de s’écouler à travers la couche isolante qui l'entoure pour retourner au substrat.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Semiconductores (Electrónica)
OBS

FAMOS: metal óxido semiconductor de inyección de avalancha de puerta flotante.

Conserver la fiche 2

Fiche 3 2007-10-29

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
DEF

A transistor designed primarily for computer-storage systems.

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)

Espagnol

Conserver la fiche 3

Fiche 4 2004-02-04

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
CONT

An EEPROM cell is a MOS transistor that stores charge on an electrically isolated, conductive capacitor plate called a floating gate. The floating gate is located above the transistor channel. The charge on the floating gate produces an electric field that changes the conductivity of the channel. The value of the channel's conductivity corresponds to the value of the analog value stored.

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
CONT

À l'état initial la connexion est établie car le transistor est conducteur. Pour bloquer le transistor, on applique une tension supérieure à la tension de claquage de la jonction PN; des électrons de forte énergie sont alors injectés dans la grille flottante. Une fois la tension disparue, ces électrons restent prisonniers car la grille est entourée d’isolant.

CONT

Des solutions plus élaborées utilisent [...] l’injection d’électrons puis de trous pour charger puis décharger la grille flottante.

Espagnol

Conserver la fiche 4

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