TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

Epitaxial deposition process in which chemical composition of epi material is different than chemical composition of the substrate; e.g. AlGaAs epi on GaAs substrate or SiGe epi on Si substrate.  1, fiche 1, Anglais, - heteroepitaxy

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

L'épitaxie consiste à faire croître une couche mince, le plus souvent monocristalline, sur un substrat servant de germe. En général, l'épaisseur totale du dépôt n'excède pas 20-50 µm pour le silicium et 2-5 µm avec l'AsCa. Avec un support et une couche de même matériau, l'opération s'appelle une homoépitaxie; dans le cas contraire il s'agit d'une hétéroépitaxie.  1, fiche 1, Français, - h%C3%A9t%C3%A9ro%C3%A9pitaxie

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Méthode de croissance de cristaux sous ultra-vide par pyrolyse organométallique en phase vapeur à haute température.  3, fiche 2, Français, - h%C3%A9t%C3%A9ro%C3%A9pitaxie

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

L'élaboration de semi-conducteurs à base de silicium, saphir, arséniure de gallium, par épitaxie et hétéroépitaxie, devient courante dans les secteurs de l'électronique et de l'optoélectronique : laser à base de semi-conducteurs, transistors ultra-rapides, LED, photocathodes, etc.  3, fiche 2, Français, - h%C3%A9t%C3%A9ro%C3%A9pitaxie

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

À la différence de l'épitaxie, l'hétéroépitaxie fait croître un cristal de composition chimique différente du support, dit substrat. Les arrangements cristallins du substrat et du composé à croître doivent être similaires pour que l'opération réussisse.  3, fiche 2, Français, - h%C3%A9t%C3%A9ro%C3%A9pitaxie

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol