TERMIUM Plus^®

Fiche 1,  Justifications,  Anglais

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

The heterostructure laser. Heterostructures have been crucially important for the development of semiconductor lasers. ... Alferov was the first to succeed in producing a lattice-adapted heterostructure (AIGaAs/GaAs, 1969) with clear borders between the layers. Alferov's research team succeeded in rapidly developing many types of components built up of heterostructures, including the injection laser which Alferov patented in 1963. A technological breakthrough occurred around 1970 when heterostructure lasers became able to work continuously at room temperatures. These properties have, for example, made fibre-optic communications practically possible.  2, fiche 1, Anglais, - heterostructure

Fiche 1,  Justifications,  Français

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

[...] la durée de vie utile d'un laser à semi-conducteur est plus longue quand on limite la quantité d'électricité qui le traverse. Il existe plusieurs façons de limiter le courant électrique. On peut, par exemple, introduire d'autres éléments chimiques dans le cristal, de sorte que la couche active du laser soit située entre des matériaux dont la bande interdite est particulièrement large. On obtient ainsi une "hétérostructure" dont les barrières d'énergie internes empêchent la diffusion des porteurs de charge hors de la région active. (Pour la science, janvier 1985).  1, fiche 1, Français, - h%C3%A9t%C3%A9rostructure

Fiche 1,  Justifications,  Espagnol

Fiche 2,  Justifications,  Anglais

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

An arrangement of atoms of two or more substances in which the atoms of one substance occupy regular positions in the lattice of the other, without any chemical combination occurring between them.  3, fiche 2, Anglais, - heterostructure

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

... the useful life of a semiconductor laser depends on limiting the amount of current applied to the device. Several methods are employed. In one method further chemical elements are introduced into the crystal so that the active layer of the laser is between regions where the band gap is particularly wide. The resulting "heterostructure" has built-in energy barriers that help to prevent the diffusion of charged carriers out of the active layer. Stimulated emission can then be attained at relatively low values of applied current.  4, fiche 2, Anglais, - heterostructure

Fiche 2,  Justifications,  Français

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

[...] la durée de vie utile d'un laser à semi-conducteur est plus longue quand on limite la quantité d'électricité qui le traverse. Il existe plusieurs façons de limiter le courant électrique. On peut, par exemple, introduire d'autres éléments chimiques dans le cristal, de sorte que la couche active du laser soit située entre des matériaux dont la bande interdite est particulièrement large. On obtient ainsi une «hétérostructure» dont les barrières d'énergie internes empêchent la diffusion des porteurs de charge hors de la région active.  1, fiche 2, Français, - h%C3%A9t%C3%A9rostructure

Fiche 2,  Justifications,  Espagnol