TERMIUM Plus®
La banque de données terminologiques et linguistiques du gouvernement du Canada.
TECHNIQUE IMPLANTATION IONIQUE PLANAIRE [1 fiche]
Fiche 1 - données d’organisme interne 2010-12-07
Fiche 1, Anglais
Fiche 1, Subject field(s)
- Semiconductors (Electronics)
- Radiological Physics (Theory and Application)
Fiche 1, La vedette principale, Anglais
- planar ion-implantation technique
1, fiche 1, Anglais, planar%20ion%2Dimplantation%20technique
correct
Fiche 1, Les abréviations, Anglais
Fiche 1, Les synonymes, Anglais
- planar ion implantation process 2, fiche 1, Anglais, planar%20ion%20implantation%20process
- planar ion implantation 3, fiche 1, Anglais, planar%20ion%20implantation
Fiche 1, Justifications, Anglais
Record number: 1, Textual support number: 1 DEF
A low-energy ion accelerator process used to build a planar device such as a detector. 4, fiche 1, Anglais, - planar%20ion%2Dimplantation%20technique
Fiche 1, Terme(s)-clé(s)
- planar ion implantation technique
- planar ion-implantation process
- planar ion-implantation
Fiche 1, Français
Fiche 1, Domaine(s)
- Semi-conducteurs (Électronique)
- Physique radiologique et applications
Fiche 1, La vedette principale, Français
- procédé d’implantation passivée planaire
1, fiche 1, Français, proc%C3%A9d%C3%A9%20d%26rsquo%3Bimplantation%20passiv%C3%A9e%20planaire
correct, nom masculin
Fiche 1, Les abréviations, Français
Fiche 1, Les synonymes, Français
- technique d’implantation ionique planaire 1, fiche 1, Français, technique%20d%26rsquo%3Bimplantation%20ionique%20planaire
correct, nom féminin
Fiche 1, Justifications, Français
Record number: 1, Textual support number: 1 CONT
Détecteurs réalisés selon la technique d’implantation ionique «planaire». La technologie de fabrication des détecteurs silicium a beaucoup évolué au cours du dernier demi-siècle grâce aux progrès de la microélectronique. Aujourd’hui, on utilise le procédé d’implantation passivée planaire […] qui a complètement supplanté les techniques de fabrication des détecteurs à barrière de surface ou à jonction diffusée. La technique actuelle basée sur l’utilisation d’implanteurs (accélérateurs d’ions de faible énergie), permet de réaliser des jonctions abruptes et minces grâce à un contrôle très précis de la position en profondeur des dopants (B pour type P et As pour type N) à l’intérieur d’un substrat de Si (réduction de la zone morte du dispositif) de haute résistivité (de type N–). Celui-ci est recouvert d’une couche mince de passivation (SiO2) afin de minimiser les courants de fuite de surface. Un traitement chimique par photolithographie permet de définir la géométrie finale du détecteur. 1, fiche 1, Français, - proc%C3%A9d%C3%A9%20d%26rsquo%3Bimplantation%20passiv%C3%A9e%20planaire
Fiche 1, Espagnol
Fiche 1, Justifications, Espagnol
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