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DRY PLASMA ETCHING [1 fiche]

Fiche 1 2004-07-13

Anglais

Subject field(s)
  • Metal Finishing
  • Electronic Circuits Technology
CONT

Agents used to remove unwanted material from a substrate are known as etchants. ... By chemical action, the etchant removes all material that is not protected.... In dry plasma etching, the etchant is comprised of gas ions that remove material by virtue of their kinetic energy. ... Ions for plasma etching are often provided by argon....

OBS

Plasma etching and desmearing gases are used as purifying agents in the fluorocarbon products industry. Contrast to wet etching or solvent etching.

OBS

"etch" (chemical ind.): "décaper".

Français

Domaine(s)
  • Finissage des métaux
  • Technologie des circuits électroniques
OBS

«décapage» : Opération ayant pour objet de nettoyer une surface [...]

OBS

La surface des métaux est couverte d'oxydes, de sels, de graisses, de diverses matières [...]. Ces impuretés gênent les traitements ultérieurs soit en formant des incrustations au cours des mises en formes, soit en laissant la surface terne lorsqu'elle doit être brillante et polie. Elles rendent même impossible tout traitement pour lequel la surface doit être correctement mise à nu : soudage, étamage, revêtement électrolytique, métallisation, etc. Le décapage peut s'effectuer soit par des moyens chimiques, soit par des moyens mécaniques.

OBS

[...] les plasmas sont des «gaz complètement ionisés» [...]. En métallurgie, on utilise le jet de plasma produit par un arc électrique continu de grande énergie pour le soudage, le coupage des métaux ainsi que pour faciliter l'usinage de métaux réfractaires par chauffage local et superficiel de la pièce avant le passage de l'outil de coupe. [...] Les plasmas peuvent aussi servir à l'élaboration de métaux ultrapurs (aciers par le procédé SKF, silicium).

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Acabado de metales
  • Tecnología de los circuitos electrónicos
DEF

Método para revelar una máscara en una oblea.

CONT

El proceso de grabado de plasma en seco reemplaza el método de baño de ácido y película (conocido como procesamiento "húmedo") que se utiliza para crear un diseño en una oblea. El método de plasma en seco lanza iones calientes a través de una máscara directamente en la plaqueta o microcircuito, que evaporan la capa de dióxido de silicón.

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