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FLOATING-GATE AVALANCHE-INJECTION MOS TRANSISTOR [1 fiche]

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Fiche 1 2008-11-25

Anglais

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
OBS

MOS: metal-oxide semiconductor.

Terme(s)-clé(s)
  • floating gate avalanche injection MOS transistor

Français

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
DEF

Transistor MOS [métal-oxyde-semiconducteur] comportant une grille «flottante», c'est-à-dire isolée de tout conducteur, chargée électriquement par effet d'avalanche et gardant sa charge jusqu'à ce qu'elle soit exposée à des rayons ultraviolets permettant aux électrons piégés de s'écouler à travers la couche isolante qui l'entoure pour retourner au substrat.

Espagnol

Campo(s) temático(s)
  • Semiconductores (Electrónica)
OBS

FAMOS: metal óxido semiconductor de inyección de avalancha de puerta flotante.

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