TERMIUM Plus^®

Record 1,  Textual support,  English

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

A GaAs FET... is simply a [field effect transistor] with a diode gate structure... made from gallium arsenide(GaAs)...  2, record 1, English, - gallium%20arsenide%20field%20effect%20transistor

Record 1,  Textual support,  French

Record 1,  Textual support,  Spanish

Record 2,  Textual support,  English

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Solution growth of GaAs crystals under microgravity.  2, record 2, English, - solution%20growth

Record 2,  Textual support,  French

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Équipements de synthèse de monocristaux à partir de différentes techniques : croissance par tirage (four à induction jusqu'à 1600 °C); synthèse par sol-gel; croissance en solution [...]  2, record 2, French, - croissance%20en%20solution

Record 2,  Textual support,  Spanish

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

[...] la técnica de laboratorio más antigua y familiar para crecer monocristales es la lenta evaporación o enfriamiento de soluciones acuosas. Otros métodos de crecimiento en solución incluyen, crecimiento por flujo, métodos electrolíticos, síntesis hidrotérmica, y crecimiento en gel.  1, record 2, Spanish, - crecimiento%20en%20soluci%C3%B3n

Record 3,  Textual support,  English

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

A sandwich of high-bandgap semiconductor(typically GaA1As) surrounding a very thin film of another material with a smaller gap(usually GaAs). Electrons in the GaA1As tend to dive into the lower energy level offered by the nearby GaAs. Once there, the electron is trapped, since the bandgap discontinuity forms a steepsided well that prevents its escape.  2, record 3, English, - quantum%20well

Record 3,  Textual support,  French

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

Dans les puits quantiques ou dans les super-réseaux constitués d'une superposition de couches atomiques, les électrons se déplacent dans le plan des couches : il leur reste deux degrés de liberté. Quand le plan est découpé en fils, ils ne peuvent plus se mouvoir que dans une direction et quand le fil est découpé en tranches pour constituer des boîtes quantiques, ils sont totalement confinés.  2, record 3, French, - puits%20quantique

Record 3,  Textual support,  Spanish

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

Si se reduce una dimensión a un orden nanométrico, mientras que las dos otras dimensiones se mantienen grandes, obtenemos la estructura que se conoce como "pozo cuántico".  2, record 3, Spanish, - pozo%20cu%C3%A1ntico

Record number: 3, Textual support number: 2 CONT

Existe una serie de técnicas tanto ópticas como eléctricas que nos permiten determinar la calidad de un pozo cuántico. Una de las técnicas más usadas en la caracterización de pozos cuánticos es la fotoluminiscencia.  3, record 3, Spanish, - pozo%20cu%C3%A1ntico

Record 4,  Textual support,  English

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

The current threshold for lasing in GaAs is strongly temperature-dependent,... At low temperature(up to approximately 30 °K) the threshold is fairly constant. Above 100 °K, the threshold current density for laser operation increases rapidly with increasing temperature.  1, record 4, English, - threshold%20current%20density

Record 4,  Textual support,  French

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

Densité minimale de courant électrique nécessaire pour provoquer un effet laser à une température spécifique.  2, record 4, French, - densit%C3%A9%20de%20courant%20de%20seuil

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

L'avantage des lasers à points quantiques tiendrait à une nette augmentation d'intensité en fonction du courant d'excitation. Les meilleurs résultats jusqu'à ce jour, qui ne font toujours pas l'unanimité, indiquent qu'un laser à PQ d'InGaAs sur GaAAs, fonctionnant à une température de 77 K, présente une densité de courant de seuil de 120 A/cm2, soit environ cinq fois le rendement à température ambiante des lasers à puits quantiques actuels les plus perfectionnés.  2, record 4, French, - densit%C3%A9%20de%20courant%20de%20seuil

Record 4,  Textual support,  Spanish

Record 5,  Textual support,  English

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

It has been assumed that the Si delta-layers are characterized by the Si bulk band-structure in the theoretical modelling. Si is an indirect band-gap semiconductor, while GaAs is of direct type. This means that a Si electron experiences the Si delta-layer as a quantum well, while the Si delta-layer instead constitutes a barrier for a GaAs electron.  1, record 5, English, - indirect%2Dband%20gap%20semiconductor

Record 5,  Textual support,  French

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Semi-conducteur dont les électrons du haut de la bande et du bas de la bande de conduction n'ont pas les mêmes vecteurs.  1, record 5, French, - semi%2Dconducteur%20%C3%A0%20structure%20de%20bande%20indirecte

Record 5,  Textual support,  Spanish

Record 6,  Textual support,  English

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

Gallium arsenide.... Prepared by melting together stoichiometric quantities of Ga and As in a sealed ampoule.... GaAs is of interest for microwave diodes and high-temperature rectifiers and transistors.  3, record 6, English, - gallium%20arsenide

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

gallium arsenide: form recommended by the IUPAC (International Union of Pure and Applied Chemistry).  4, record 6, English, - gallium%20arsenide

Record 6,  Textual support,  French

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Composé III-V binaire (combinaison de l'arsenic et du gallium), utilisé comme semi-conducteur dans la fabrication de composants optoélectroniques.  3, record 6, French, - ars%C3%A9nure%20de%20gallium

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

arsénure de gallium : forme recommandée par l'UICPA (Union internationale de chimie pure et appliquée).  4, record 6, French, - ars%C3%A9nure%20de%20gallium

Record 6,  Textual support,  Spanish

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Sustancia cristalina usada como semiconductor. Muy tóxico.  1, record 6, Spanish, - arseniuro%20de%20galio

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

Fórmula Química: GaAs  1, record 6, Spanish, - arseniuro%20de%20galio

Record 7,  Textual support,  English

Record number: 7, Textual support number: 1 CONT

CHAMPS is a modular microgravity research furnace developed for the National Research Council' s Space Division. It was flown in a Get-Away-Special(GAS) container aboard the space shuttle STS-67 in June 1993 to investigate GaAs [gallium arsenide] crystal growth by liquid phase electroepitaxy(LPEE). Combining the advantages of both dedicated and generic experimental facilities, CHAMPS allows investigators to specify their own experimental configuration while at the same time providing them with generic peripherals. Configurable hardware included thermal and gradient furnace, levitator, etc., while generic peripherals included control and data acquisition, thermal insulation, and ground support equipment.  2, record 7, English, - configurable%20hardware%20for%20multidisciplinary%20projects%20in%20space

Record 7,  Textual support,  French

Record 7,  Textual support,  Spanish

Record 8,  Textual support,  English

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

A type of opinion formerly used when the auditor, while giving an adverse opinion or a denial of opinion with respect to the financial statements or other financial information taken as a whole, expressed an unqualified opinion on certain specific items in the financial statements or other financial information.  2, record 8, English, - piecemeal%20opinion

Record number: 8, Textual support number: 1 OBS

A piecemeal opinion is not permitted anymore under Generally Accepted Auditing Standards(GAAS).  3, record 8, English, - piecemeal%20opinion

Record 8,  Textual support,  French

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

Opinion sans réserve exprimée par l'auditeur sur des postes particuliers, en complément d'une opinion défavorable ou d'une impossibilité d'exprimer une opinion à l'égard des états financiers ou autres informations financières pris dans leur ensemble.  1, record 8, French, - opinion%20partielle

Record number: 8, Textual support number: 1 OBS

L'expression d'opinions partielles est maintenant interdite.  1, record 8, French, - opinion%20partielle

Record 8,  Textual support,  Spanish

Record 9,  Textual support,  English

Record number: 9, Textual support number: 1 DEF

A junction, typically p-n, formed of two different materials(e. g. Si and SiGe, or GaAs and AlGaAs).  2, record 9, English, - heterojunction

Record 9,  Textual support,  French

Record number: 9, Textual support number: 1 DEF

Jonction, normalement du type N et du type P, entre deux matériaux (par exemple métal-semiconducteur) différant entre eux.  2, record 9, French, - h%C3%A9t%C3%A9rojonction

Record number: 9, Textual support number: 1 CONT

[Pour faire des cellules solaires, les] chercheurs de la NASA avaient utilisé une couche de GaAs d'une épaisseur de seulement 5 µ recouverte d'un film très mince (70 angströms) d'or, tandis que ceux de Varian ont choisi de construire une cellule à hétérojonction p-GaAs/p-A'GaAs, sur un substrat du type n+GaAs.  3, record 9, French, - h%C3%A9t%C3%A9rojonction

Record 9,  Textual support,  Spanish

Record 10,  Textual support,  English

Record number: 10, Textual support number: 1 DEF

Epitaxial deposition process in which chemical composition of epi material is different than chemical composition of the substrate; e. g. AlGaAs epi on GaAs substrate or SiGe epi on Si substrate.  1, record 10, English, - heteroepitaxy

Record 10,  Textual support,  French

Record number: 10, Textual support number: 1 CONT

L'épitaxie consiste à faire croître une couche mince, le plus souvent monocristalline, sur un substrat servant de germe. En général, l'épaisseur totale du dépôt n'excède pas 20-50 µm pour le silicium et 2-5 µm avec l'AsCa. Avec un support et une couche de même matériau, l'opération s'appelle une homoépitaxie; dans le cas contraire il s'agit d'une hétéroépitaxie.  1, record 10, French, - h%C3%A9t%C3%A9ro%C3%A9pitaxie

Record 10,  Textual support,  Spanish

Record 11,  Textual support,  English

Record number: 11, Textual support number: 1 CONT

Scanning tunneling microscopy topographic images have been used to obtain the dimensions of the strain field detected at the surface of InAs thin films grown on GaAs(110) substrates by molecular-beam epitaxy.  3, record 11, English, - STM%20topograph

Record number: 11, Textual support number: 2 CONT

The STM is a revolutionary experimental surface probe that has provided direct local insight into the surface electronic structure. Sometimes the interpretation of STM topographs are not straightforward and therefore theoretically modeled STM images may resolve conflicting possibilities and point to an underlying atomistic model.  4, record 11, English, - STM%20topograph

Record 11,  Textual support,  French

Record number: 11, Textual support number: 1 CONT

La microscopie à effet tunnel permet d'obtenir des images de la surface de matériaux conducteurs dans différents environnements. Contrairement aux microscopes électroniques à transmission ou à balayage, on peut, avec un STM, obtenir des images à l'air ou même dans un liquide. En première approximation, ces images reproduisent la carte des iso densités d'électrons des atomes de la surface. Quand les maxima de densité sont localisés sur les atomes (cas le plus fréquent), les images STM peuvent représenter la cartographie, à résolution atomique, de la surface explorée. Dans ce cas, chaque protubérance dans l'image correspond à un atome.  3, record 11, French, - image%20STM

Record 11,  Textual support,  Spanish

Record 12,  Textual support,  English

Record number: 12, Textual support number: 1 CONT

An IBM team lead by Mordehai Heiblum constructed a semiconductor sandwich : two outer layers of gallium aluminium arsenide(the transistor's emitter and collector terminals, analogous to the source and chain) and the ultrathin "filling" of gallium arsenide as the base. Electrons fall from one of the higher-bandgap GA1As layers into the low-bandgap GaAs interior, picking up speed like a boulder rolling down a mountainside.  1, record 12, English, - semiconductor%20sandwich

Record 12,  Textual support,  French

Record number: 12, Textual support number: 1 OBS

Pluriel : des sandwichs; des sandwiches.  2, record 12, French, - sandwich%2Dsemiconducteurs

Record number: 12, Textual support number: 2 OBS

sandwichs (pl.) : Cette graphie, puisée des Rectifications de l'orthographe recommandées par le Conseil supérieur de la langue française, est attestée dans le Petit Robert (2006).  3, record 12, French, - sandwich%2Dsemiconducteurs

Record 12,  Textual support,  Spanish

Record 13,  Textual support,  English

Record number: 13, Textual support number: 1 CONT

The Advanced Solar Gallium Arsenide Array(ASGA) will provide valuable information on the performance of gallium arsenide(GaAs) solar arrays and on the effects of the low Earth orbit environment on their components. These solar cells, already being used in a trial form to power the Soviet MIR space station, are expected to form the backbone of the next generation of compact, high power-to-weight ratio European solar energy generators.  3, record 13, English, - advanced%20solar%20gallium%20arsenide%20array

Record 13,  Textual support,  French

Record 13,  Textual support,  Spanish

Record 14,  Textual support,  English

Record number: 14, Textual support number: 1 CONT

GaAs : gallium arsenide. A III-V compound semiconductor material used for making optoelectronic devices and high-frequency ICs.  2, record 14, English, - III%2DV%20compound

Record 14,  Textual support,  French

Record number: 14, Textual support number: 1 DEF

Semiconducteur composé de deux éléments, dont l'un appartient au groupe III du tableau périodique (p.ex. gallium) et l'autre au groupe V (p.ex. arsenic). Il existe également des composés II-VI (p.ex. zinc-soufre). [Source : Rodot-Dupas, p. 11]  2, record 14, French, - compos%C3%A9%20III%2DV

Record number: 14, Textual support number: 1 CONT

[...] membrane en semiconducteur composé III-V (système InGaAlAs sur InP).  3, record 14, French, - compos%C3%A9%20III%2DV

Record 14,  Textual support,  Spanish

Record 15,  Textual support,  English

Record number: 15, Textual support number: 1 CONT

The heterostructure laser. Heterostructures have been crucially important for the development of semiconductor lasers.... Alferov was the first to succeed in producing a lattice-adapted heterostructure(AIGaAs/GaAs, 1969) with clear borders between the layers. Alferov's research team succeeded in rapidly developing many types of components built up of heterostructures, including the injection laser which Alferov patented in 1963. A technological breakthrough occurred around 1970 when heterostructure lasers became able to work continuously at room temperatures. These properties have, for example, made fibre-optic communications practically possible.  2, record 15, English, - heterostructure

Record 15,  Textual support,  French

Record number: 15, Textual support number: 1 CONT

[...] la durée de vie utile d'un laser à semi-conducteur est plus longue quand on limite la quantité d'électricité qui le traverse. Il existe plusieurs façons de limiter le courant électrique. On peut, par exemple, introduire d'autres éléments chimiques dans le cristal, de sorte que la couche active du laser soit située entre des matériaux dont la bande interdite est particulièrement large. On obtient ainsi une "hétérostructure" dont les barrières d'énergie internes empêchent la diffusion des porteurs de charge hors de la région active. (Pour la science, janvier 1985).  1, record 15, French, - h%C3%A9t%C3%A9rostructure

Record 15,  Textual support,  Spanish

Record 16,  Textual support,  English

Record number: 16, Textual support number: 1 CONT

Although based on the same microchannel plates as the earlier Generation 11 tubes, these have photocathodes made from the semiconductor gallium arsenide(GaAs) rather than the tri-alkali compounds of Generation 11 devices.  1, record 16, English, - tri%2Dalkali%20compounds

Record 16,  Textual support,  French

Record number: 16, Textual support number: 1 CONT

Ces tubes utilisent les mêmes matrices de microcanaux que ceux de Génération II mais leurs photocathodes sont à semi-conducteur en arséniure de gallium (GaAs) semi-conducteur au lieu de composés tri-alcalins.  1, record 16, French, - compos%C3%A9s%20tri%2Dalcalins

Record 16,  Textual support,  Spanish

Record 17,  Textual support,  English

Record number: 17, Textual support number: 1 CONT

The applications of GaAs(for example in GHz logic and memory chips), the development of floating-point arithmetic chips(which can overcome clutter and signal saturation problems) and the introduction of flat low-voltage radar displays will all have an impact on future radars.  1, record 17, English, - floating%2Dpoint%20arithmetic%20chip

Record 17,  Textual support,  French

Record 17,  Textual support,  Spanish

Record 18,  Textual support,  English

Record number: 18, Textual support number: 1 OBS

météorologie; ICAO, nov. 74, p. 66; The Ceilometer has small dimensions, is easy to install and imposes only small demands on the 2-core signal cable. The signal transmitter incorporates a GaAs diode.  1, record 18, English, - two%2Dcore%20signal%20cable

Record 18,  Textual support,  French

Record number: 18, Textual support number: 1 OBS

OACI, novembre 74, p. 66; (...) le télémètre de nuages est facile à installer et le signal est transmis par un câble à deux conducteurs. L'émetteur de signaux comprend un diode à l'arséniure de gallium.  1, record 18, French, - cable%20%C3%A0%20deux%20conducteurs

Record 18,  Textual support,  Spanish

Record 19,  Textual support,  English

Record number: 19, Textual support number: 1 OBS

meteorology ICAO nov. 74 p. 66(...) the Ceilometer has small dimensions, is easy to install and imposes only small demands on the 2-core signal cable. The signal transmitter incorporates a GaAs diode.  1, record 19, English, - GaAs%20diode

Record 19,  Textual support,  French

Record number: 19, Textual support number: 1 OBS

OACI novembre 74 p. 66 (...) le télémètre de nuages est facile à installer et le signal est transmis par un câble à deux conducteurs. L'émetteur de signaux comprend un diode à l'arséniure de gallium.  1, record 19, French, - diode%20%C3%A0%20l%27ars%C3%A9niure%20de%20gallium

Record 19,  Textual support,  Spanish