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Record 1,  Textual support,  English

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

The current threshold for lasing in GaAs is strongly temperature-dependent,... At low temperature(up to approximately 30 °K) the threshold is fairly constant. Above 100 °K, the threshold current density for laser operation increases rapidly with increasing temperature.  1, record 1, English, - threshold%20current%20density

Record 1,  Textual support,  French

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

Densité minimale de courant électrique nécessaire pour provoquer un effet laser à une température spécifique.  2, record 1, French, - densit%C3%A9%20de%20courant%20de%20seuil

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

L'avantage des lasers à points quantiques tiendrait à une nette augmentation d'intensité en fonction du courant d'excitation. Les meilleurs résultats jusqu'à ce jour, qui ne font toujours pas l'unanimité, indiquent qu'un laser à PQ d'InGaAs sur GaAAs, fonctionnant à une température de 77 K, présente une densité de courant de seuil de 120 A/cm2, soit environ cinq fois le rendement à température ambiante des lasers à puits quantiques actuels les plus perfectionnés.  2, record 1, French, - densit%C3%A9%20de%20courant%20de%20seuil

Record 1,  Textual support,  Spanish

Record 2,  Textual support,  English

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

The heterostructure laser. Heterostructures have been crucially important for the development of semiconductor lasers.... Alferov was the first to succeed in producing a lattice-adapted heterostructure(AIGaAs/GaAs, 1969) with clear borders between the layers. Alferov's research team succeeded in rapidly developing many types of components built up of heterostructures, including the injection laser which Alferov patented in 1963. A technological breakthrough occurred around 1970 when heterostructure lasers became able to work continuously at room temperatures. These properties have, for example, made fibre-optic communications practically possible.  2, record 2, English, - heterostructure

Record 2,  Textual support,  French

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

[...] la durée de vie utile d'un laser à semi-conducteur est plus longue quand on limite la quantité d'électricité qui le traverse. Il existe plusieurs façons de limiter le courant électrique. On peut, par exemple, introduire d'autres éléments chimiques dans le cristal, de sorte que la couche active du laser soit située entre des matériaux dont la bande interdite est particulièrement large. On obtient ainsi une "hétérostructure" dont les barrières d'énergie internes empêchent la diffusion des porteurs de charge hors de la région active. (Pour la science, janvier 1985).  1, record 2, French, - h%C3%A9t%C3%A9rostructure

Record 2,  Textual support,  Spanish