TERMIUM Plus^®

Record 1,  Textual support,  English

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

[A] sensitive electronic device based on the Coulomb blockade effect.  5, record 1, English, - single%2Delectron%20transistor

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Such a rapid variation in conductance makes the single-electron transistor an ideal device for high-precision electrometry. In this type of application the SET has two gate electrodes, and the bias voltage is kept close to the Coulomb blockade voltage to enhance the sensitivity of the current to changes in the gate voltage.  6, record 1, English, - single%2Delectron%20transistor

Record 1,  Textual support,  French

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

[Dispositif] électronique basé sur l'effet de blocage de Coulomb.  4, record 1, French, - transistor%20%C3%A0%20un%20%C3%A9lectron

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

Les caractéristiques de faible tension de polarisation d'un transistor à un électron doté d'un îlot Nb [niobium] et de fils en Al [aluminium] correspondaient à des transitions résonantes entre des états quantiques, déterminés par la charge transférée par le biais du circuit.  5, record 1, French, - transistor%20%C3%A0%20un%20%C3%A9lectron

Record 1,  Textual support,  Spanish

Record 2,  Textual support,  English

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

A FET(field-effect transistor) transistor is operating in depletion mode when the gate voltage repels the carrier charges.  2, record 2, English, - depletion%20mode

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

depletion mode: term officially approved by the Lexicon Project Committee (New Brunswick).  3, record 2, English, - depletion%20mode

Record 2,  Textual support,  French

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d'un transistor à effet de champ normalement conducteur, c'est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour réduire ou annuler le courant de la source au drain par appauvrissement du canal en porteurs de charge.  5, record 2, French, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d'appauvrissement [et] régime d'enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d'appauvrissement lorsqu'une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d'enrichissement lorsque c'est une tension positive qui y est appliquée. Les D-MOSFETS sont, en général, utilisés en régime d'appauvrissement.  6, record 2, French, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record number: 2, Textual support number: 1 OBS

mode de déplétion : terme uniformisé par le Comité du projet de lexiques (Nouveau-Brunswick).  7, record 2, French, - mode%20de%20d%C3%A9pl%C3%A9tion

Record 2,  Textual support,  Spanish

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor: transistor de efecto de campo que tiene una puerta aislada del sustrato semiconductor por una capa delgada de óxido de silicio. Cuando [está] en el modo de empobrecimiento, una tensión negativa de puerta reduce los portadores de carga normalmente presentes en el canal conductor con polarización nula de puerta.  1, record 2, Spanish, - modo%20de%20empobrecimiento

Record 3,  Textual support,  English

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

A function, usually represented graphically, relating the anode-to-cathode voltage to the principal current with gate current, where applicable, as a parameter.  1, record 3, English, - anode%2Dto%2Dcathode%20voltage%2Dcurrent%20characteristic

Record 3,  Textual support,  French

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Relation entre la tension d'anode et le courant principal.  1, record 3, French, - caract%C3%A9ristique%20tension%2Dcourant%20d%27anode%2Dcathode

Record 3,  Textual support,  Spanish

Record 4,  Textual support,  English

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

A gate-controlled full-wave a-c silicon switch designed to switch from a blocking obate to a conducting state for either polarity of applied voltage with positive or negative gate tuggering(Modern Dictionary of Electronics)  1, record 4, English, - Triac%26trade%3B

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

A trademark of General Electric.  1, record 4, English, - Triac%26trade%3B

Record 4,  Textual support,  French

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

Triac^MC : Marque de commerce de General Electric.  1, record 4, French, - Triac

Record 4,  Textual support,  Spanish

Record 5,  Textual support,  English

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

A MOSFET transistor is operating in enhancement mode when the gate voltage attracts the carrier charges, although no current flows through the gate because it is insulated from the carrier channel.  2, record 5, English, - enhancement%20mode

Record 5,  Textual support,  French

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

Mode de fonctionnement d'un transistor à effet de champ, notamment d'un MOS [métal-oxyde-semiconducteur], normalement bloqué, c'est-à-dire dans lequel il faut appliquer une tension appropriée à la grille pour faire passer un courant plus ou moins intense de la source au drain par enrichissement de la zone du canal en porteurs minoritaires pour créer le canal.  3, record 5, French, - mode%20d%27enrichissement

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

[...] le transistor D-MOSFET peut fonctionner sous deux régimes : régime d'appauvrissement [et] régime d'enrichissement. Comme la grille est isolée du canal, on peut y appliquer une tension positive ou négative. Il fonctionne en régime d'appauvrissement lorsqu'une tension négative est appliquée sur la grille et en régime d'enrichissement lorsque c'est une tension positive qui y est appliquée.  4, record 5, French, - mode%20d%27enrichissement

Record 5,  Textual support,  Spanish

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

En la región activa de un MOSFET [transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor] en modo de enriquecimiento, la capacitancia de entrada y la transconductancia es casi independiente del voltaje de la compuerta y la capacitancia de salida es independiente del voltaje del drenador. Este puede proveer una potencia de amplificación muy lineal.  3, record 5, Spanish, - modo%20de%20enriquecimiento

Record 6,  Textual support,  English

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

By virtue of gold doping, the GTO [gate turn-off switch] has a low storage time compared with high voltage transistor.  2, record 6, English, - gold%20doping

Record 6,  Textual support,  French

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

Grâce au dopage or, le GTO se caractérise, par comparaison avec un transistor haute tension, par un temps de stockage réduit.  1, record 6, French, - dopage%20or

Record 6,  Textual support,  Spanish

Record number: 6, Textual support number: 1 DEF

Proceso usado a veces en la fabricación de los circuitos integrados en el cual el oro se disemina en el material semiconductor, dando por resultado velocidades mayores en las operaciones.  1, record 6, Spanish, - impurificaci%C3%B3n%20con%20oro

Record 7,  Textual support,  English

Record number: 7, Textual support number: 1 CONT

[In a MOS transistor], when there is no voltage applied to the gate, the two p-type regions, called source and drain, are electrically insulated from each other by the n-type region which surrounds them.  1, record 7, English, - source

Record 7,  Textual support,  French

Record number: 7, Textual support number: 1 CONT

Le transistor MOS est essentiellement un dispositif à trois électrodes, la source et le drain, analogues à l'émetteur et au collecteur d'un transistor bipolaire, et la grille, qui est l'électrode de commande [...].  1, record 7, French, - source

Record 7,  Textual support,  Spanish

Record 8,  Textual support,  English

Record number: 8, Textual support number: 1 OBS

In the insulated-gate FET structure a thin dielectric barrier is used to isolate the gate and the channel. The control voltage applied to the gate terminal induces an electric field across the dielectric barrier and modulates the free-carrier concentration in the channel region.  1, record 8, English, - gate%20voltage

Record 8,  Textual support,  French

Record number: 8, Textual support number: 1 CONT

Si la tension de grille est inférieure à la tension d'inversion, dite tension de seuil, il y a entre source et drain une jonction P.N polarisée en inverse, qui bloque la conduction.  1, record 8, French, - tension%20de%20grille

Record 8,  Textual support,  Spanish

Record 9,  Textual support,  English

Record number: 9, Textual support number: 1 CONT

As soon as a positive voltage is applied to T2, this transistor will conduct, a negative GTO gate current will flow, and capacitor C1 will act as a voltage source of 10V.  1, record 9, English, - gate%20current

Record number: 9, Textual support number: 1 OBS

This term applies to field-effect transistors.  2, record 9, English, - gate%20current

Record 9,  Textual support,  French

Record number: 9, Textual support number: 1 CONT

Dès qu'une tension positive est appliquée à T2, ce transistor conduit, un courant de grille négatif s'écoule et la capacité C1 agit comme une source de tension de 10V.  1, record 9, French, - courant%20de%20grille

Record number: 9, Textual support number: 1 OBS

Ce terme s'applique aux transistors à effet de champ.  2, record 9, French, - courant%20de%20grille

Record 9,  Textual support,  Spanish

Record 10,  Textual support,  English

Record number: 10, Textual support number: 1 DEF

(In a field-effect transistor) The region connecting source and drain, the conductivity of which is modulated by the gate voltage.  1, record 10, English, - channel

Record 10,  Textual support,  French

Record number: 10, Textual support number: 1 DEF

[Dans un transistor à effet de champ,] zone de semiconducteur dopé dans lequel passeront les charges entre les électrodes appelées respectivement source et drain.  1, record 10, French, - canal

Record 10,  Textual support,  Spanish

Record 11,  Textual support,  English

Record number: 11, Textual support number: 1 OBS

[The gate turn-off switch's] fast, clean turn-off, with times of less than 1 us including storage, distinguish its superior performance to high voltage bipolar thyristors.  1, record 11, English, - turn%2Doff

Record 11,  Textual support,  French

Record number: 11, Textual support number: 1 OBS

Le blocage [du GTO] est amélioré et accéléré (moins de 1 us, stockage compris) comparativement aux thyristors bipolaires haute tension.  1, record 11, French, - blocage

Record 11,  Textual support,  Spanish

Record 12,  Textual support,  English

Record number: 12, Textual support number: 1 OBS

The GTO [gate twin-off switch](...) combines the inherently high blocking voltage and high overcurrent capability of the thyristor with the ease of gate drive and switching normally associated with bipolar transistors and Darlingtons;(...)  1, record 12, English, - overcurrent%20capability

Record 12,  Textual support,  French

Record number: 12, Textual support number: 1 OBS

Le GTO (...) combine deux caractéristiques inhérentes au thyristor (tension de blocage élevée et capacité de surcharge en courant élevée) avec la facilité de commande de grille et de commutation qui caractérise les transistors bipolaires et les Darlington; (...)  1, record 12, French, - capacit%C3%A9%20de%20surcharge%20en%20courant

Record 12,  Textual support,  Spanish

Record 13,  Textual support,  English

Record number: 13, Textual support number: 1 OBS

[The gate turn-off switch] combines the inherently high blocking voltage and high overcurrent capability of the thyristor with the case of gate drive and switching normally associated with bipolar transistors and Darlingtons;(...)  1, record 13, English, - gate%20drive

Record 13,  Textual support,  French

Record number: 13, Textual support number: 1 OBS

[Le GTO] combine deux caractéristiques inhérentes au thyristor (tension de blocage élevée et capacité de surcharge en courant élevée) avec la facilité de commande de grille et de commutation qui caractérise les transistors bipolaires et les Darlington; (...)  1, record 13, French, - commande%20de%20grille

Record 13,  Textual support,  Spanish

Record 14,  Textual support,  English

Record number: 14, Textual support number: 1 OBS

A balance is also required between forward on-state voltage drop, anode current turn-off properties, turn-on and turn-off gate drive levels.  1, record 14, English, - on%2Dstate%20voltage%20drop

Record 14,  Textual support,  French

Record number: 14, Textual support number: 1 OBS

Il est nécessaire d'assurer l'équilibre entre la chute vers l'avant à l'état d'amorçage, les propriétés de blocage du courant d'anode et les niveaux de commande positive et négative de grille.  1, record 14, French, - chute%20de%20tension%20%C3%A0%20l%27%C3%A9tat%20d%27amor%C3%A7age

Record 14,  Textual support,  Spanish