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HETEROEPITAXY [2 records]

Record 1 2007-07-04

English

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Physics of Solids
DEF

Epitaxial deposition process in which chemical composition of epi material is different than chemical composition of the substrate; e.g. AlGaAs epi on GaAs substrate or SiGe epi on Si substrate.

French

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Physique des solides
CONT

L'épitaxie consiste à faire croître une couche mince, le plus souvent monocristalline, sur un substrat servant de germe. En général, l'épaisseur totale du dépôt n'excède pas 20-50 µm pour le silicium et 2-5 µm avec l'AsCa. Avec un support et une couche de même matériau, l'opération s'appelle une homoépitaxie; dans le cas contraire il s'agit d'une hétéroépitaxie.

Spanish

Save record 1

Record 2 2005-02-16

English

Subject field(s)
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • Industrial Techniques and Processes

French

Domaine(s)
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Techniques industrielles
DEF

Méthode de croissance de cristaux sous ultra-vide par pyrolyse organométallique en phase vapeur à haute température.

CONT

L'élaboration de semi-conducteurs à base de silicium, saphir, arséniure de gallium, par épitaxie et hétéroépitaxie, devient courante dans les secteurs de l'électronique et de l'optoélectronique : laser à base de semi-conducteurs, transistors ultra-rapides, LED, photocathodes, etc.

OBS

À la différence de l'épitaxie, l'hétéroépitaxie fait croître un cristal de composition chimique différente du support, dit substrat. Les arrangements cristallins du substrat et du composé à croître doivent être similaires pour que l'opération réussisse.

Spanish

Save record 2

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