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HETEROSTRUCTURE [31 records]

Record 1 2022-03-10

English

Subject field(s)
  • Electronic Devices
  • Semiconductors (Electronics)
  • Electromagnetism
CONT

A magnetoresistance device is proposed in [both a] magnetically and electrically modulated two-dimensional electron gas, which can be realized experimentally by the deposition, on the top and bottom of a semiconductor heterostructure, of two parallel metallic ferromagnetic strips under an applied voltage. It is shown that a considerable magnetoresistance effect can be achieved in such a device due to the significant transmission difference for electrons through parallel and antiparallel magnetization configurations.

Key term(s)
  • magneto-resistance device

French

Domaine(s)
  • Dispositifs électroniques
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Électromagnétisme
Key term(s)
  • dispositif à magnéto-résistance

Spanish

Save record 1

Record 2 2000-12-14

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers
CONT

The heterostructure laser. Heterostructures have been crucially important for the development of semiconductor lasers.... Alferov was the first to succeed in producing a lattice-adapted heterostructure(AIGaAs/GaAs, 1969) with clear borders between the layers. Alferov's research team succeeded in rapidly developing many types of components built up of heterostructures, including the injection laser which Alferov patented in 1963. A technological breakthrough occurred around 1970 when heterostructure lasers became able to work continuously at room temperatures. These properties have, for example, made fibre-optic communications practically possible.

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers
CONT

[...] la durée de vie utile d'un laser à semi-conducteur est plus longue quand on limite la quantité d'électricité qui le traverse. Il existe plusieurs façons de limiter le courant électrique. On peut, par exemple, introduire d'autres éléments chimiques dans le cristal, de sorte que la couche active du laser soit située entre des matériaux dont la bande interdite est particulièrement large. On obtient ainsi une "hétérostructure" dont les barrières d'énergie internes empêchent la diffusion des porteurs de charge hors de la région active. (Pour la science, janvier 1985).

Spanish

Save record 2

Record 3 2000-07-18

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers
DEF

Diode laser obtenue en noyant une double hétérojonction dans un matériau à haute résistivité.

CONT

[...] la durée de vie utile d'un laser à semi-conducteur est plus longue quand on limite la quantité d'électricité qui le traverse. Il existe plusieurs façons de limiter le courant électrique. On peut, par exemple, introduire d'autres éléments chimiques dans le cristal, de sorte que la couche active du laser soit située entre des matériaux dont la bande interdite est particulièrement large. On obtient ainsi une «hétérostructure» dont les barrières d'énergie internes empêchent la diffusion des porteurs de charge hors de la région active [...]. Dans la pratique, la région active est un tube mince entouré de matériaux dont la bande interdite est très large : on appelle ces dispositifs des lasers à hétérostructure enterrée. (Pour la science, no 87, janvier 1985).

Spanish

Save record 3

Record 4 1999-07-15

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers
CONT

laser à hétérostructure enterrée.

Spanish

Save record 4

Record 5 1999-07-15

English

Subject field(s)
  • Printed Circuits and Microelectronics
  • Lasers and Masers
  • Life Cycle (Informatics)
DEF

An arrangement of atoms of two or more substances in which the atoms of one substance occupy regular positions in the lattice of the other, without any chemical combination occurring between them.

CONT

... the useful life of a semiconductor laser depends on limiting the amount of current applied to the device. Several methods are employed. In one method further chemical elements are introduced into the crystal so that the active layer of the laser is between regions where the band gap is particularly wide. The resulting "heterostructure" has built-in energy barriers that help to prevent the diffusion of charged carriers out of the active layer. Stimulated emission can then be attained at relatively low values of applied current.

French

Domaine(s)
  • Circuits imprimés et micro-électronique
  • Masers et lasers
  • Cycle de vie (Informatique)
CONT

[...] la durée de vie utile d'un laser à semi-conducteur est plus longue quand on limite la quantité d'électricité qui le traverse. Il existe plusieurs façons de limiter le courant électrique. On peut, par exemple, introduire d'autres éléments chimiques dans le cristal, de sorte que la couche active du laser soit située entre des matériaux dont la bande interdite est particulièrement large. On obtient ainsi une «hétérostructure» dont les barrières d'énergie internes empêchent la diffusion des porteurs de charge hors de la région active.

Spanish

Save record 5

Record 6 1996-07-04

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers
OBS

optoelectronics

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 6

Record 7 1996-06-13

English

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Masers et lasers
CONT

Classiquement, une diode laser de puissance se compose d'un ensemble de diodes lasers élémentaires de structure GRINSCH (pour Graded Refractive Index Separate Confinement Heterostructure). Ces diodes ont la forme d'un étroit ruban, de quelques centaines de [mu]m de long et de quelques [mu]m² de section. En plaçant plusieurs dizaines de ces rubans parallèlement les uns aux autres, on forme des barrettes continu et plus de 70 watts crête en quasi continu, c'est-à-dire sur des impulsions de 200 [mu]s avec un taux de répétition de 50 à 100 Hz.

Spanish

Save record 7

Record 8 1996-05-14

English

Subject field(s)
  • Printed Circuits and Microelectronics
OBS

integrated circuits

French

Domaine(s)
  • Circuits imprimés et micro-électronique

Spanish

Save record 8

Record 9 1996-03-11

English

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
CONT

The HEMT belongs to a class of devices known as field effect transistors(FETS). It is also known a MODFET, because it depends on changing material composition from layer to layer. It goes by a variety of names... including selectively doped heterostructure transistor and two-dimensional electron gas(because of the charged particles’ vaporlike freedom to roam within the thin layer). One wit has dubbed it the MAD(many-acronymed device).

Key term(s)
  • high electron mobility transistor

French

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)

Spanish

Save record 9

Record 10 1992-10-17

English

Subject field(s)
  • Telecommunications
  • Electrical Engineering
  • Photoelectricity and Electron Optics

French

Domaine(s)
  • Télécommunications
  • Électrotechnique
  • Photo-électricité et optique électronique

Spanish

Save record 10

Record 11 1992-10-17

English

Subject field(s)
  • Telecommunications
  • Semiconductors (Electronics)

French

Domaine(s)
  • Télécommunications
  • Semi-conducteurs (Électronique)

Spanish

Save record 11

Record 12 1992-10-17

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers
  • Photoelectricity and Electron Optics

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers
  • Photo-électricité et optique électronique

Spanish

Save record 12

Record 13 1992-10-17

English

Subject field(s)
  • Telecommunications
  • Electrical Engineering
  • Photoelectricity and Electron Optics

French

Domaine(s)
  • Télécommunications
  • Électrotechnique
  • Photo-électricité et optique électronique

Spanish

Save record 13

Record 14 1991-05-22

English

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
CONT

Zipping electrons more quickly from point A to point B is only one way that heterostructures could lead to speedier semiconductor devices. Heterostructure(or superlattice) devices delineate features not by adding impurities but by changing the host material itself. As designers push toward gate lengths of only 0. 2-0. 3 micron, heterostructure transistors loom as the most likely avenue for ultra-large-scale integration.

French

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)

Spanish

Save record 14

Record 15 1991-05-06

English

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)

French

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)

Spanish

Save record 15

Record 16 1990-06-04

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 16

Record 17 1989-02-08

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 17

Record 18 1989-02-03

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 18

Record 19 1989-02-01

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 19

Record 20 1989-02-01

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 20

Record 21 1989-02-01

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 21

Record 22 1989-01-27

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 22

Record 23 1988-09-26

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 23

Record 24 1988-06-13

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 24

Record 25 1988-05-25

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 25

Record 26 1987-05-01

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 26

Record 27 1985-06-03

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 27

Record 28 1985-04-30

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 28

Record 29 1984-12-12

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 29

Record 30 1984-11-05

English

Subject field(s)
  • Semiconductors (Electronics)
  • Lasers and Masers

French

Domaine(s)
  • Semi-conducteurs (Électronique)
  • Masers et lasers

Spanish

Save record 30

Record 31 1984-10-22

English

Subject field(s)
  • Lasers and Masers
  • Electronic Devices

French

Domaine(s)
  • Masers et lasers
  • Dispositifs électroniques

Spanish

Save record 31

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