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Record 1,  Textual support,  English

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

A method of doping or modifying the characteristics of semiconductor material by bombardment with charged particles to enhance or change the characteristics of semiconductor material from P- or N-type characteristics.  2, record 1, English, - ion%20implantation

Record number: 1, Textual support number: 2 DEF

A process of introducing impurities into the near-surface regions of solids by directing a beam of ions at the solid.  3, record 1, English, - ion%20implantation

Record 1,  Textual support,  French

Record number: 1, Textual support number: 1 DEF

Procédé consistant à implanter des atomes étrangers dans un matériau, à une profondeur de quelques dixièmes de nanomètre à quelques micromètres. Les atomes, à l’état de vapeur dans un vide poussé, sont accélérés vers la cible sous l’action d’un champ électrique intense.  3, record 1, French, - implantation%20ionique

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

L'implantation ionique est utilisée en électronique pour doper les semi-conducteurs. Dans la fabrication des tranches de silicium destinées à recevoir des microcircuits, on implante des atomes d’oxygène pour former une couche isolante au cœur de la matière. En métallurgie, l'implantation ionique d’atomes d’azote est utilisée pour le durcissement superficiel de métaux comme le titane.  3, record 1, French, - implantation%20ionique

Record 1,  Textual support,  Spanish

Record 2,  Textual support,  English

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

An atomic or molecular structure in which the largest dimentions reach, at the most, one tenth of a nanometer.  11, record 2, English, - nanocluster

Record number: 2, Textual support number: 1 PHR

Nanosize cluster model, self-organisation of substance.  11, record 2, English, - nanocluster

Record number: 2, Textual support number: 2 PHR

Nanometer-scale aggregate grains.  11, record 2, English, - nanocluster

Record number: 2, Textual support number: 3 PHR

Three-dimensional nanosize cluster.  11, record 2, English, - nanocluster

Record number: 2, Textual support number: 4 PHR

Nanosize cluster locked by electrons.  11, record 2, English, - nanocluster

Record 2,  Textual support,  French

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

Structure constituée d’atomes ou de molécules dont la plus grande des dimensions atteint tout au plus une dizaine de nanomètres.  6, record 2, French, - nano%2Damas

Record number: 2, Textual support number: 1 PHR

Nano-amas magnétique.  6, record 2, French, - nano%2Damas

Record number: 2, Textual support number: 2 PHR

Nanoamas amorphe.  6, record 2, French, - nano%2Damas

Record number: 2, Textual support number: 3 PHR

Projection planaire d’un nanoagrégat.  6, record 2, French, - nano%2Damas

Record number: 2, Textual support number: 4 PHR

Nanoagrégat obtenu par implantation ionique.  6, record 2, French, - nano%2Damas

Record number: 2, Textual support number: 5 PHR

Amas nanométrique d’un métal.  6, record 2, French, - nano%2Damas

Record 2,  Textual support,  Spanish

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Resinas de nanorelleno: Este tipo de resinas son un desarrollo reciente, contienen partículas con tamaños menores a 10nm [nanómetros], este relleno se dispone de forma individual o en [...] nanoagregados de aproximadamente 75 nm.  1, record 2, Spanish, - nanoagregado

Record 3,  Textual support,  English

Record 3,  Textual support,  French

Record number: 3, Textual support number: 1 DEF

Mince film de dioxyde ou de nitrure de silicium déposé sur une tranche et destiné à la protéger des contaminations, à isoler les composants, ou à servir de masque pour l'implantation ionique.  3, record 3, French, - couche%20de%20passivation

Record 3,  Textual support,  Spanish

Record 4,  Textual support,  English

Record number: 4, Textual support number: 1 CONT

The planar detector consists of a crystal of either rectangular or circular cross section and a sensitive thickness of 1-20 mm ... The electric field is perpendicular to the cross-sectional area of the crystal. The crystal thickness is selected on the basis of the gamma-ray energy region relevant to the application of interest, with the small thicknesses optimum for low-energy measurements (for example in the L-x-ray region for special nuclear material). Planar detectors usually achieve the best energy resolution, because of their low capacitance; they are preferred for detailed spectroscopy, such as the analysis of the complex low-energy gamma-ray and x-ray spectra of uranium and plutonium.  1, record 4, English, - planar%20detector

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

Solid-state detectors are produced mainly in two configurations: planar and coaxial. These terms refer to the detector crystal shape and the manner in which it is wired into the detector circuit.  1, record 4, English, - planar%20detector

Record 4,  Textual support,  French

Record number: 4, Textual support number: 1 OBS

Détecteurs réalisés selon la technique d’implantation ionique «planaire». La technologie de fabrication des détecteurs [au] silicium a beaucoup évolué au cours du dernier demi-siècle grâce aux progrès de la microélectronique. Aujourd’hui, on utilise le procédé d’implantation passivée planaire(ou Implantation Planar Process) qui a complètement supplanté les techniques de fabrication des détecteurs à barrière de surface ou à jonction diffusée. La technique actuelle basée sur l'utilisation d’implanteurs(accélérateurs d’ions de faible énergie), permet de réaliser des jonctions abruptes et minces grâce à un contrôle très précis de la position en profondeur des dopants(B pour type P et As pour type N) à l'intérieur d’un substrat de Si(réduction de la zone morte du dispositif) de haute résistivité(de type N–). Celui-ci est recouvert d’une couche mince de passivation(SiO₂) afin de minimiser les courants de fuite de surface. Un traitement chimique par photolithographie permet de définir la géométrie finale du détecteur.  2, record 4, French, - d%C3%A9tecteur%20planaire

Record 4,  Textual support,  Spanish

Record 5,  Textual support,  English

Record number: 5, Textual support number: 1 DEF

A low-energy ion accelerator process used to build a planar device such as a detector.  4, record 5, English, - planar%20ion%2Dimplantation%20technique

Record 5,  Textual support,  French

Record number: 5, Textual support number: 1 CONT

Détecteurs réalisés selon la technique d’implantation ionique «planaire». La technologie de fabrication des détecteurs silicium a beaucoup évolué au cours du dernier demi-siècle grâce aux progrès de la microélectronique. Aujourd’hui, on utilise le procédé d’implantation passivée planaire […] qui a complètement supplanté les techniques de fabrication des détecteurs à barrière de surface ou à jonction diffusée. La technique actuelle basée sur l'utilisation d’implanteurs(accélérateurs d’ions de faible énergie), permet de réaliser des jonctions abruptes et minces grâce à un contrôle très précis de la position en profondeur des dopants(B pour type P et As pour type N) à l'intérieur d’un substrat de Si(réduction de la zone morte du dispositif) de haute résistivité(de type N–). Celui-ci est recouvert d’une couche mince de passivation(SiO₂) afin de minimiser les courants de fuite de surface. Un traitement chimique par photolithographie permet de définir la géométrie finale du détecteur.  1, record 5, French, - proc%C3%A9d%C3%A9%20d%26rsquo%3Bimplantation%20passiv%C3%A9e%20planaire

Record 5,  Textual support,  Spanish

Record 6,  Textual support,  English

Record number: 6, Textual support number: 1 OBS

Ion implantation is a precise and reproducible method of doping semiconductors to achieve a desired characteristic. With this equipment, ions of the particular dopant are energized and accelerated to the point where they can be driven in a focused beam directly into the silicon wafer. This technique assures uniform, accurately controlled depth of implantation and ionic diffusion in the wafer, and is highly repeatable on succeeding wafers.  1, record 6, English, - ion%20beam%20implantation%20equipment

Record 6,  Textual support,  French

Record number: 6, Textual support number: 1 CONT

équipements de production à commande par programme enregistré par l'implantation ionique ayant des courants du faisceau de 5 m A ou plus.  1, record 6, French, - %C3%A9quipement%20par%20implantation%20ionique

Record 6,  Textual support,  Spanish

Record 7,  Textual support,  English

Record 7,  Textual support,  French

Record number: 7, Textual support number: 1 OBS

Propagation par disques. Des chaînes de disques sécants formés par implantation ionique superficielle du reste de la couche de grenat(les disques étant masqués pendant l'implantation) fonctionnent en circuit de propagation.  1, record 7, French, - propagation%20par%20disques

Record 7,  Textual support,  Spanish

Record 8,  Textual support,  English

Record 8,  Textual support,  French

Record number: 8, Textual support number: 1 DEF

Appareil de dopage des semiconducteurs par implantation ionique, composé d’une source émettant un faisceau d’ions, d’un tube accélérateur et d’un séparateur de masse qui permet de trier les ions désirés avant de les projeter sur le substrat.  1, record 8, French, - implanteur%20ionique

Record 8,  Textual support,  Spanish

Record 9,  Textual support,  English

Record 9,  Textual support,  French

Record number: 9, Textual support number: 1 OBS

Des chaînes de disques sécants formés par implantation ionique superficielle du reste de la couche de grenat(les disques étant masqués pendant l'implantation) fonctionnent en circuit de propagation.  1, record 9, French, - disque%20s%C3%A9cant

Record 9,  Textual support,  Spanish

Record 10,  Textual support,  English

Record 10,  Textual support,  French

Record number: 10, Textual support number: 1 OBS

Bulles dures. Ces bulles ont une structure de paroi et un comportement dynamique particuliers. On évite qu'elles apparaissent en diminuant l'anisotropie à la surface de la couche magnétique, au moyen d’une implantation ionique agissant par l'intermédiaire de contraintes(effet magnétostrictif).  1, record 10, French, - bulle%20dure

Record 10,  Textual support,  Spanish

Record 11,  Textual support,  English

Record number: 11, Textual support number: 1 OBS

Recent advances in ion implantation, neutron doping, fine line geometry photolithography and process control mean that gain balance of the pnp and npn components of the GTO (...) can now be achieved in the production with good yields instead of just in the development laboratory.  1, record 11, English, - neutron%20doping

Record 11,  Textual support,  French

Record number: 11, Textual support number: 1 OBS

Avec les progrès récemment accomplis dans un certain nombre de techniques :implantation ionique, dopage neutronique, techniques de photolithogravure fine et commande de processus, il est possible maintenant de réaliser en production-et non plus seulement en laboratoire-l'équilibre de gain des "composants" pnp et npn du GTO(...)  1, record 11, French, - dopage%20neutronique

Record 11,  Textual support,  Spanish