TERMIUM Plus^®

Record 1,  Textual support,  English

Record number: 1, Textual support number: 1 CONT

The planar detector consists of a crystal of either rectangular or circular cross section and a sensitive thickness of 1-20 mm ... The electric field is perpendicular to the cross-sectional area of the crystal. The crystal thickness is selected on the basis of the gamma-ray energy region relevant to the application of interest, with the small thicknesses optimum for low-energy measurements (for example in the L-x-ray region for special nuclear material). Planar detectors usually achieve the best energy resolution, because of their low capacitance; they are preferred for detailed spectroscopy, such as the analysis of the complex low-energy gamma-ray and x-ray spectra of uranium and plutonium.  1, record 1, English, - planar%20detector

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

Solid-state detectors are produced mainly in two configurations: planar and coaxial. These terms refer to the detector crystal shape and the manner in which it is wired into the detector circuit.  1, record 1, English, - planar%20detector

Record 1,  Textual support,  French

Record number: 1, Textual support number: 1 OBS

Détecteurs réalisés selon la technique d’implantation ionique «planaire». La technologie de fabrication des détecteurs [au] silicium a beaucoup évolué au cours du dernier demi-siècle grâce aux progrès de la microélectronique. Aujourd’hui, on utilise le procédé d’implantation passivée planaire(ou Implantation Planar Process) qui a complètement supplanté les techniques de fabrication des détecteurs à barrière de surface ou à jonction diffusée. La technique actuelle basée sur l'utilisation d’implanteurs(accélérateurs d’ions de faible énergie), permet de réaliser des jonctions abruptes et minces grâce à un contrôle très précis de la position en profondeur des dopants(B pour type P et As pour type N) à l'intérieur d’un substrat de Si(réduction de la zone morte du dispositif) de haute résistivité(de type N–). Celui-ci est recouvert d’une couche mince de passivation(SiO₂) afin de minimiser les courants de fuite de surface. Un traitement chimique par photolithographie permet de définir la géométrie finale du détecteur.  2, record 1, French, - d%C3%A9tecteur%20planaire

Record 1,  Textual support,  Spanish

Record 2,  Textual support,  English

Record number: 2, Textual support number: 1 DEF

A low-energy ion accelerator process used to build a planar device such as a detector.  4, record 2, English, - planar%20ion%2Dimplantation%20technique

Record 2,  Textual support,  French

Record number: 2, Textual support number: 1 CONT

Détecteurs réalisés selon la technique d’implantation ionique «planaire». La technologie de fabrication des détecteurs silicium a beaucoup évolué au cours du dernier demi-siècle grâce aux progrès de la microélectronique. Aujourd’hui, on utilise le procédé d’implantation passivée planaire […] qui a complètement supplanté les techniques de fabrication des détecteurs à barrière de surface ou à jonction diffusée. La technique actuelle basée sur l'utilisation d’implanteurs(accélérateurs d’ions de faible énergie), permet de réaliser des jonctions abruptes et minces grâce à un contrôle très précis de la position en profondeur des dopants(B pour type P et As pour type N) à l'intérieur d’un substrat de Si(réduction de la zone morte du dispositif) de haute résistivité(de type N–). Celui-ci est recouvert d’une couche mince de passivation(SiO₂) afin de minimiser les courants de fuite de surface. Un traitement chimique par photolithographie permet de définir la géométrie finale du détecteur.  1, record 2, French, - proc%C3%A9d%C3%A9%20d%26rsquo%3Bimplantation%20passiv%C3%A9e%20planaire

Record 2,  Textual support,  Spanish

Record 3,  Textual support,  English

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

The method of claim ... wherein the material of the covering layer is chosen to minimize differences between a coefficient of implantation depth of semiconductor material of the uneven surface layer and a coefficient of implantation depth of the covering layer material.  1, record 3, English, - implantation%20depth

Record 3,  Textual support,  French

Record number: 3, Textual support number: 1 CONT

Implantation des ions dans le semiconducteur [...] La profondeur d’arrêt(ou d’implantation), pour une impureté et un semiconducteur donnés, dépend de l'énergie du faisceau [d’ions]. En règle générale, elle est inférieure au micron.  1, record 3, French, - profondeur%20d%27arr%C3%AAt

Record 3,  Textual support,  Spanish

Record 4,  Textual support,  English

Record 4,  Textual support,  French

Record number: 4, Textual support number: 1 DEF

Appareil de dopage des semiconducteurs par implantation ionique, composé d’une source émettant un faisceau d’ions, d’un tube accélérateur et d’un séparateur de masse qui permet de trier les ions désirés avant de les projeter sur le substrat.  1, record 4, French, - implanteur%20ionique

Record 4,  Textual support,  Spanish